ZHCSW30 April   2024 BQ25770G

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
    7. 6.7 典型特性 - BQ25770G
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  上电序列
      2. 7.3.2  MODE 引脚检测
      3. 7.3.3  REGN 稳压器 (REGN LDO)
      4. 7.3.4  独立比较器功能
      5. 7.3.5  电池充电管理
        1. 7.3.5.1 自主充电周期
        2. 7.3.5.2 电池充电曲线
        3. 7.3.5.3 充电终止
        4. 7.3.5.4 充电安全计时器
      6. 7.3.6  温度调节 (TREG)
      7. 7.3.7  仅电池模式下的 Vmin 主动保护 (VAP)
      8. 7.3.8  两级电池放电电流限制
      9. 7.3.9  快速角色交换功能
      10. 7.3.10 CHRG_OK 指示器
      11. 7.3.11 输入电流和充电电流检测
      12. 7.3.12 输入电流和电压限制设置
      13. 7.3.13 电池电芯配置
      14. 7.3.14 器件高阻态状态
      15. 7.3.15 USB On-The-Go (OTG)
      16. 7.3.16 准双相位转换器运行模式
      17. 7.3.17 连续导通模式 (CCM)
      18. 7.3.18 脉冲频率调制 (PFM)
      19. 7.3.19 开关频率和抖动功能
      20. 7.3.20 电流和功率监控器
        1. 7.3.20.1 高精度电流检测放大器（IADPT 和 IBAT）
        2. 7.3.20.2 高精度功率检测放大器 (PSYS)
      21. 7.3.21 输入源动态电源管理
      22. 7.3.22 用于监测的集成 16 位 ADC
      23. 7.3.23 输入电流优化器 (ICO)
      24. 7.3.24 两级适配器电流限制（峰值功率模式）
      25. 7.3.25 处理器热量指示
        1. 7.3.25.1 低功耗模式期间的 PROCHOT
        2. 7.3.25.2 PROCHOT 状态
      26. 7.3.26 器件保护
        1. 7.3.26.1  看门狗计时器 (WD)
        2. 7.3.26.2  输入过压保护 (ACOV)
        3. 7.3.26.3  输入过流保护 (ACOC)
        4. 7.3.26.4  系统过压保护 (SYSOVP)
        5. 7.3.26.5  电池过压保护 (BATOVP)
        6. 7.3.26.6  电池充电过流保护 (BATCOC)
        7. 7.3.26.7  电池放电过流保护 (BATDOC)
        8. 7.3.26.8  LDO 调节模式下的 BATFET 充电电流钳位保护
        9. 7.3.26.9  VBUS 和 ACP_A 之间的睡眠比较器保护 (SC_VBUSACP)
        10. 7.3.26.10 高占空比降压模式退出比较器保护 (HDBCP)
        11. 7.3.26.11 REGN 电源正常保护 (REGN_PG)
        12. 7.3.26.12 系统欠压锁定 (VSYS_UVP) 和断续模式
        13. 7.3.26.13 OTG 模式过压保护 (OTG_OVP)
        14. 7.3.26.14 OTG 模式欠压保护 (OTG_UVP)
        15. 7.3.26.15 热关断 (TSHUT)
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 正向模式
        1. 7.4.1.1 采用窄 VDC 架构的系统电压调节
        2. 7.4.1.2 电池充电
      2. 7.4.2 USB On-The-Go 模式
      3. 7.4.3 直通模式 (PTM) 专利技术
      4. 7.4.4 学习模式
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 SMBus 接口
        1. 7.5.1.1 SMBus 写入字和读取字协议
        2. 7.5.1.2 时序图
    6. 7.6 BQ25770G 寄存器
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 ACP-ACN 输入滤波器
        2. 8.2.2.2 电感器选型
        3. 8.2.2.3 输入电容器
        4. 8.2.2.4 输出电容器
        5. 8.2.2.5 功率 MOSFET 选择
      3. 8.2.3 应用曲线
  10. 9 电源相关建议
  11. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
      1. 10.2.1 布局示例参考顶视图
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 器件支持
      1. 11.1.1 第三方产品免责声明
    2. 11.2 文档支持
      1. 11.2.1 相关文档
    3. 11.3 接收文档更新通知
    4. 11.4 支持资源
    5. 11.5 商标
    6. 11.6 静电放电警告
    7. 11.7 术语表
  13. 12修订历史记录
  14. 13机械、封装和可订购信息

7.3.3 REGN 稳压器 (REGN LDO)

REGN LDO 稳压器为 IC 和外部上拉电阻提供稳压辅助电源。此外，REGN 电压也用于驱动降压/升压开关 FET。CELL_BATPRES 引脚和 ILIM_HIZ 引脚的上拉电源轨也可连接至 REGN。当系统上没有有效的外部 5V 电压源时，REGN LDO 将由 VBUS 引脚或 VSYS 引脚供电。如果 VBUS 和 VSYS 都高于 6V，REGN 电源选择器将选择二者中的较低者；如果 VBUS 和 VSYS 都低于 6V，应选择二者中的较高者；如果只有一个高于 6V，应选择这个高于 6V 的值。REGN_A 和 REGN_B 引脚均在内部连接到 REGN LDO，在 REGN_A 和 REGN_B 之间不需要外部连接，但 REGN_A 和 REGN_B 引脚都需要 2.2uF 的本地去耦电容。

当系统中有一个合格的 5V 电源时，这个电源可以用作 REGN 电源。这样可以减少内部 LDO 的功率损耗，尤其是在 VBUS 和 VSYS 都远高于 5V 时。LDO 可配置为由外部 5V 电源进行过驱。然后，REGN 引脚将从模拟输出引脚更改为模拟输入引脚。以下方法采用 REGN_EXT 位进行配置。

  • 当没有合格的外部 5V 电源时，主机应配置 REGN_EXT=0b（默认状态），然后内部 REGN LDO 调节输出电压为 5V，从而正常支持内部偏置和开关 MOSFET 栅极驱动。内部电流限制可防止 LDO 过载。电流限制级别为 IREGN_LIM_CHARGING，标记为电流限制 1。
  • 当有专用的合格外部 5V 电源（高于 4.8V 且低于 VREGN_OV_RISE）并且 REGN 是外部电源上的唯一负载时，主机应配置 REGN_EXT=1b，以便将内部 REGN LDO 调节输出电压降低为 VREGN_REG_EXT(4.5V)，然后外部 5V 稳压器就可以过驱内部 LDO。外部电源需要 500mA 的电流限制以防止内部自举二极管出现过流损坏。应用示意图如图 7-1 所示。
  • 当外部 5V 电源（高于 4.8V 且低于 VREGN_OV_RISE）也支持 REGN 以外的其他负载时，需要一个专用的阻断电路来防止 REGN 电流在外部 5V 降压转换器斜升之前流入外部负载，如图 7-2 所示。在外部 5V 稳压器 PG（电源正常）进入活动状态之前，QBLK 用于阻止外部负载对 REGN_A 引脚的影响。外部 5V 斜升后，外部 5V 稳压 PG 引脚将进入活动状态，并且 QBLK 将开通以将 5V 电压分配到 REGN_A 引脚。主机应配置 REGN_EXT=1b 以将内部 REGN LDO 调节输出电压降低为 VREGN_REG_EXT(4.5V)，然后外部 5V 稳压器便可自动过驱至内部 LDO。
  • 当外部 5V 电源高于 VREGN_OV_RISE 时，充电器应停止开关，下拉 CHRG_OK 引脚，并触发 FAULT_REGN 状态位，请参阅节 7.3.26.11。
BQ25770G 外部专用 5V 电源过驱 REGN图 7-1 外部专用 5V 电源过驱 REGN
BQ25770G 外部 5V 电源带负载过驱 REGN图 7-2 外部 5V 电源带负载过驱 REGN

通过 REGN LDO 驱动栅极的功率耗散为：PREGN = (VAC - VREGN) QG(TOT)*fSW，其中的 QG(TOT) 是所有实际开关 FET（1A、1B、2A、2B、3 和 4）的总栅极电荷之和，fSW 是编程的开关频率。

在仅电池供电的情况下，可通过以下方法灵活配置 REGN 的开关状态：

  • 当充电器配置为低功耗模式 (EN_LWPWR=1b) 时，REGN 默认关闭 (EN_REGN_LWPWR=0b)。如果客户需要为电路提供 REGN 电压，充电器通过设置 EN_REGN_LWPWR=1b 来启用 REGN。为了在低功耗模式下节省静态电流，REGN 电流能力按比例降低到 5mA（典型值）和 3mA（最小值）。当接收到启动转换器的主机命令时（例如启用 OTG 或 VAP 模式），随后 REGN 应自动恢复到满量程，以便支持大栅极驱动电流需求，即使 EN_LWPWR=1b 也是如此。
  • 当充电器配置为性能模式 (EN_LWPWR=0b) 时，应该以满量程能力开启 REGN，并忽略 EN_REGN_LWPWR 配置。这样才能支持 OTG、VAP、PSYS、IBAT、PROCHOT 和 ADC 特性。