ZHCSW30 April 2024 BQ25770G
PRODUCTION DATA
该器件分四个阶段对电池进行充电:涓流充电、预充电、恒流充电和恒压充电。在充电周期开始时,器件会检查电池电压并相应地调节电流/电压。如果启用自主充电,则可以实现自动终止充电,并在 VBAT 降至低于 CHARGE_VOLTAGE() 的特定值时将开始自动再充电。用户寄存器 VRECHG 位用于配置电池再充电阈值。
当充电器处于涓流充电状态 (VBAT<VBAT_SHORT) 且 EN_LDO=1b 时,充电电流以 IBAT_SHORT 为上限,以防止电池过流充电并唤醒电池包。实际充电电流应为 CHARGE_CURRENT() 和 IBAT_SHORT 中的较低值,以便提供 EC 灵活性来根据电池包要求对涓流充电电流进行编程。请注意,当 EN_LDO=0b 时,IBAT_SHORT 电流钳位无效,并提供 EC 灵活性以便通过 CHARGE_CURRENT() 寄存器对充电电流进行编程。
当充电器处于预充电状态 (VBAT_SHORT<VBAT<VSYS_MIN()) 且 EN_LDO=1b 时,充电电流是 IPRECHG() 和 CHARGE_CURRENT() 设置中的较低值;最大充电电流受 IPRECHG() 最大设置(即 2048mA)的限制以防止 BATFET 上产生过热。在这种情况下,更大的 VSYS_MIN() 减去 VBAT 差值和更大的充电电流会在 BATFET 上产生更多的散热,应适当地限制该散热以确保安全运行。因此,该器件还有额外的两级电流钳位,以确保最大 BATFET 耗散损耗低于 2W(基于 VBAT 和 VSYS_MIN() 设置之间的关系,请参阅表 7-9)。请注意,当 EN_LDO=0b 时,预充电电流限制 (IPRECHG()) 无效,并提供 EC 灵活性以便通过 CHARGE_CURRENT() 寄存器对充电电流进行编程。
| VBAT 条件 | 充电电流 | 默认设置 | CHRG_STAT |
|---|---|---|---|
| VBAT<VBAT_SHORT | IBAT_SHORT | 128mA | 001 |
| VBAT_SHORT<VBAT<VSYS_MIN() | IPRECHG | 384mA | 010 |
| VSYS_MIN()<VBAT<CHARGE_VOLTAGE() | CHARGE_CURRENT() | 0A(需要主机根据电池要求进行配置) | 011 |
如果充电器器件在充电期间处于 DPM 调节状态,则实际充电电流将小于编程值。在这种情况下,终止充电被暂时禁用,并且充电安全计时器以时钟速率的一半进行计数,详见“充电安全计时器”一节。