BQ25770G
- TI 获得专利的准双相降压/升压窄电压直流 (NVDC) 充电器,适用于 USB-C 扩展功率范围 (EPR) 接口平台
- 输入电压范围为 3.5V 至 40V,可为 2 至 5 节电池充电
- 充电电流高达 16.3A/30A,基于 5mΩ/2mΩ 检测电阻
- 输入电流限值高达 8.2A/16.4A,基于 10mΩ/5mΩ 检测电阻
- 支持 USB 2.0、USB 3.0、USB 3.1、USB-C 电力输送和扩展功率范围输入电流设置
- 输入电流优化器 (ICO),无需过载适配器即可获取最大输入功率
- 符合 USB-PD 规范的集成型快速角色交换 (FRS) 功能
- 可在准双相降压、降压/升压和升压运行之间进无缝转换
- 提供输入电流和电压调节(IINDPM 和 VINDPM)以防电源过载
- 适配器满载时,电池可为系统补电
- TI 获得专利的双随机展频 (DRSS),可确保符合 IEC-CISPR 32 EMI 规范
- TI 获得专利的直通模式 (PTM),可确保效率大于 99% 并支持电池快速充电
- 适用于 Intel 平台且符合 IMVP8/IMVP9 标准的系统功能
- 增强型 Vmin 主动保护 (VAP) 模式可在系统峰值功率尖峰期间根据最新的 Intel 规范通过输入电容器为电池补电
- 全面的 PROCHOT 配置
- 两级放电电流限制 PROCHOT 配置,可避免电池损耗
- 系统功率监测器 (PSYS)
- 通过专用引脚监测输入和电池电流
- 集成式 16 位 ADC,可监测电压、电流和功率
- 电池 MOSFET 可在补电模式下实现理想二极管运行
- 通过电池给 USB 端口加电 (USB OTG)
- 3V 至 5V OTG
- 输出电流限制高达 3A,基于 10mΩ 检测电阻
- 600kHz/800kHz 可编程开关频率
- SMBus 主机控制接口,支持灵活的系统配置
- 高精度调节和监控
- ±0.5% 充电电压调节
- ±2% 充电电流调节
- ±2% 输入电流调节
- ±2% 输入/充电电流监测
- 安全
- 热调节和热关断
- 输入、系统和电池过压保护
- 输入、MOSFET 和电感器过流保护
- 封装:36 引脚 4.0mm × 5.0mm WQFN
BQ25770G 是一款同步 NVDC 降压/升压电池充电控制器,可通过各种输入源为 2 至 5 节电池充电。这些输入源包括 USB 适配器、扩展功率范围 (EPR) USB-C 电力输送 (PD) 源和标准功率范围 (SPR) USB-C 电力输送 (PD) 源以及传统适配器。该器件是元件数量少的高效率解决方案,适用于空间受限的 2 至 5 节电池充电应用。
通过 NVDC 配置,系统电压可根据电池电压进行调节,但不会降至低于系统最低电压。即便在电池完全放电或被取出时,系统也仍会继续工作。当负载功率超过输入源额定值时,电池会进入补电模式并防止系统崩溃。
在上电期间,充电器基于输入源和电池状况,将转换器设置为降压、升压或降压/升压配置。充电器可在降压、升压、降压/升压工作模式间无缝转换,无需主机控制。TI 获得专利的准双相转换器可以在高功率降压模式下实现交错双相,从而帮助散热并减小每个电感器尺寸。同时,由于升压模式下的供电功率有限,因此只需两个升压侧开关 MOSFET,从而节省整个系统的面积和成本。
在无输入源的情况下,BQ25770G 支持 USB On-the-Go (OTG) 功能,可通过 2 至 5 节电池在 VBUS 上生成具有 20mV 分辨率的 3V 至 5V 可调输出电压。
当仅通过电池为系统供电且 USB OTG 端口未连接任何外部负载时,BQ25770G 可实现最新的 Intel Vmin 主动保护 (VAP) 特性,借助该特性,该器件会通过电池向 VBUS 处充电,从而将部分电能存储在输入去耦电容器中。在系统峰值功率尖峰期间,存储在输入电容器中的电能会为系统补电,从而防止系统电压下降到最低系统电压以下而导致系统崩溃。
BQ25770G 可监测适配器电流、电池电流和系统功率。可灵活编程的 PROCHOT 输出直连 CPU,可根据需要对其进行降频控制。
最新版本的 USB-C PD 规范包括快速角色交换 (FRS),可确保及时进行电源角色交换,以便连接到扩展坞的器件避免瞬时断电或瞬时故障。此器件集成了 FRS,符合 PD 规范。
TI 获得专利的开关频率抖动模式可以在整个 EMI 传导频率范围(150kHz 至 30MHz)内显著降低 EMI 噪声。有多个抖动扩展选项,可为不同的应用提供灵活性。抖动特性极大地简化了 EMI 噪声滤波器设计。
该充电器在 TI 获得专利的直通模式 (PTM) 下运行,从而在整个负载范围内提高效率。在 PTM 中,输入功率直接通过充电器传递到系统。这样可以降低 MOSFET 的开关损耗和电感器磁芯损耗,从而实现高效运行。
BQ25770G 采用 36 引脚 4mm × 5mm WQFN 封装。
设计和开发
如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。
BQ25770GEVM — BQ25770G 评估模块
封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
---|---|---|
WQFN (REE) | 36 | Ultra Librarian |
订购和质量
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
- 制造厂地点
- 封装厂地点
推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。