ZHCSW30 April 2024 BQ25770G
PRODUCTION DATA
该充电器可在直通模式 (PTM) 下运行以提高效率。在 PTM 模式下,降压和升压高侧 FET(Q1 和 Q4)均导通,而降压和升压低侧 FET 均关断。输入功率直接通过充电器传递到系统。节省了 MOSFET 的开关损耗和电感器磁芯损耗。PTM 模式下的充电器静态电流也会最小化(在 2.5mA 附近)以提高轻负载效率。
可编程电源 (PPS) 用作输入适配器时,也可以利用 PTM 模式在电池快速充电周期中实现的电池闪充。启用闪充后,甚至可以通过更高的充电电流进一步提高充电效率。在预充电和终止充电期间,充电器可以返回降压/升压模式。
充电器可以退出 PTM 以进入降压/升压运行模式并在某些保护场景中自动返回 PTM 模式(TI 专利)。
在移除适配器之前,如果充电器处于 PTM 运行模式,为了防止适配器移除后反向升压,有一个轻负载 PTM 自动退出功能,可通过配置 PTM_EXIT_LIGHT_LOAD=1b 来启用该功能。
通过设置 EN_PTM = 1b,充电器将从正常的降压/升压运行模式转换到 PTM 运行模式,而通过设置 EN_PTM = 0b 将在主机控制下退出 PTM 模式。