当 CPU 以涡轮模式运行时，系统峰值功率可能会超过适配器和电池的可用功率总和。适配器电流和电池放电峰值电流或系统压降表明系统功耗过高。充电器处理器热量函数会监测这些事件，如果系统功耗过高，则 PROCHOT 脉冲将置为有效。一旦 CPU 从充电器接收到 PROCHOT 脉冲，它就会减慢速度以降低系统功耗。由处理器热量功能监测的事件包括：

• ICRIT：适配器峰值电流，为 I_LIM2 的 110%
• INOM：适配器平均电流（IIN_DPM 的 110%）
• IDCHG1：电池放电电流 1 级
• IDCHG2：电池放电电流 2 级。请注意，IDCHG2 阈值始终大于 IDCHG1 阈值，由 IDCHG_TH2 寄存器设置决定。
• VBUS_VAP：VAP 模式下用于触发 PROCHOT 的 VBUS 阈值
• VSYS：VSYS 上的系统电压。
• 适配器移除：移除适配器时（当 VBUS 降至 V_{VBUS_CONVENZ} 阈值以下且抗尖峰脉冲时间在 1μs 范围内时，PROCHOT 引脚为一次性下降沿触发。如果触发，STAT_ADAPTER_REMOVAL 位将设置为 1b，并将处于高电平，直到通过主机读取或 REG_RESET 位进行清除。状态位是电平触发，这意味着如果在状态位被清除时 VBUS 仍低于 V_{VBUS_CONVENZ}，则应立即再次触发状态位）
• 电池移除：电池移除时（当 CELL_BATPRES 引脚电压降至 V_{CELL_BATPRES_FALL} 以下且抗尖峰脉冲时间处于 1μs 范围内时，PROCHOT 引脚为一次性下降沿触发。如果触发，STAT_BATTERY_REMOVAL 位将设置为 1b，并将被锁定，直到通过主机读取或 REG_RESET 位进行清除。状态位也是下降沿触发，这意味着如果在状态位被清除时 CELL_BATPRES 引脚仍低于 V_{CELL_BATPRES_FALL}，则状态位仍将清除至 0b）
• CMPOUT：独立比较器输出（CMPOUT 引脚从高电平变为低电平）
• VINDPM：VBUS 低于 VINDPM 设置的 83%/91%/100%。有效阈值 PROCHOT_VINDPM 由寄存器 PROCHOT_VINDPM_80_90 位和 LOWER_PROCHOT_VINDPM 位的组合确定：
  • PROCHOT_VINDPM=VINDPM 寄存器设置：LOWER_PROCHOT_VINDPM=0b;
  • PROCHOT_VINDPM=83% VINDPM 寄存器设置： LOWER_PROCHOT_VINDPM=1b;PROCHOT_VINDPM_80_90=0b;
  • PROCHOT_VINDPM=91% VINDPM 寄存器设置：LOWER_PROCHOT_VINDPM=1b;PROCHOT_VINDPM_80_90=1b;
• EXIT_VAP：每当充电器退出 VAP 模式时。
• THERMAL：如果启用 (PP_THERMAL=1b)，则当 CMPIN_TR 引脚电压低于 V_{TREG_PP} 的时间达到 1s/100ms（可由 THERMAL_DEG 位配置）抗尖峰脉冲时间时，STAT_THERMAL 将被锁存，直到通过主机读取或 REG_RESET 位进行清除。

ICRIT、IDCHG1、IDCHG2、VSYS 或 VINDPM 的阈值以及 ICRIT、INOM、IDCHG1、IDCHG2 或 CMPOUT 的抗尖峰脉冲时间是可编程的。除了 PROCHOT_EXIT_VAP 始终处于启用状态外，其他触发事件可在 ProchotOption1[7:0]、PP_IDCHG2 和 PP_VBUS_VAP 中单独启用。触发 PROCHOT 配置中任何已启用的事件时，PROCHOT 在单脉冲中被置为低电平，其最小宽度可在 PROCHOT_WIDTH 寄存器位中编程。在单脉冲结束时，如果 PROCHOT 事件仍处于活动状态，则脉冲会扩展，直到事件被移除。

如果通过设置 EN_PROCHOT_EXT=1b 启用 PROCHOT 脉冲扩展模式，即使触发事件已被移除，PROCHOT 引脚也将保持低电平，直到主机写入 PROCHOT_CLEAR= 1b。

如果触发了 PROCHOT_VINDPM 或 PROCHOT_EXIT_VAP，则无论 PROCHOT 处于单脉冲模式还是扩展模式，PROCHOT 引脚都将始终保持低电平，直到主机将其清除。为了清除 PROCHOT_VINDPM，主机需要向 STAT_VINDPM 写入 0。为了清除 PROCHOT_EXIT_VAP，主机需要向 STAT_EXIT_VAP 写入 0。

图 7-10 PROCHOT 配置