ZHCSW30 April   2024 BQ25770G

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
    7. 6.7 典型特性 - BQ25770G
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  上电序列
      2. 7.3.2  MODE 引脚检测
      3. 7.3.3  REGN 稳压器 (REGN LDO)
      4. 7.3.4  独立比较器功能
      5. 7.3.5  电池充电管理
        1. 7.3.5.1 自主充电周期
        2. 7.3.5.2 电池充电曲线
        3. 7.3.5.3 充电终止
        4. 7.3.5.4 充电安全计时器
      6. 7.3.6  温度调节 (TREG)
      7. 7.3.7  仅电池模式下的 Vmin 主动保护 (VAP)
      8. 7.3.8  两级电池放电电流限制
      9. 7.3.9  快速角色交换功能
      10. 7.3.10 CHRG_OK 指示器
      11. 7.3.11 输入电流和充电电流检测
      12. 7.3.12 输入电流和电压限制设置
      13. 7.3.13 电池电芯配置
      14. 7.3.14 器件高阻态状态
      15. 7.3.15 USB On-The-Go (OTG)
      16. 7.3.16 准双相位转换器运行模式
      17. 7.3.17 连续导通模式 (CCM)
      18. 7.3.18 脉冲频率调制 (PFM)
      19. 7.3.19 开关频率和抖动功能
      20. 7.3.20 电流和功率监控器
        1. 7.3.20.1 高精度电流检测放大器（IADPT 和 IBAT）
        2. 7.3.20.2 高精度功率检测放大器 (PSYS)
      21. 7.3.21 输入源动态电源管理
      22. 7.3.22 用于监测的集成 16 位 ADC
      23. 7.3.23 输入电流优化器 (ICO)
      24. 7.3.24 两级适配器电流限制（峰值功率模式）
      25. 7.3.25 处理器热量指示
        1. 7.3.25.1 低功耗模式期间的 PROCHOT
        2. 7.3.25.2 PROCHOT 状态
      26. 7.3.26 器件保护
        1. 7.3.26.1  看门狗计时器 (WD)
        2. 7.3.26.2  输入过压保护 (ACOV)
        3. 7.3.26.3  输入过流保护 (ACOC)
        4. 7.3.26.4  系统过压保护 (SYSOVP)
        5. 7.3.26.5  电池过压保护 (BATOVP)
        6. 7.3.26.6  电池充电过流保护 (BATCOC)
        7. 7.3.26.7  电池放电过流保护 (BATDOC)
        8. 7.3.26.8  LDO 调节模式下的 BATFET 充电电流钳位保护
        9. 7.3.26.9  VBUS 和 ACP_A 之间的睡眠比较器保护 (SC_VBUSACP)
        10. 7.3.26.10 高占空比降压模式退出比较器保护 (HDBCP)
        11. 7.3.26.11 REGN 电源正常保护 (REGN_PG)
        12. 7.3.26.12 系统欠压锁定 (VSYS_UVP) 和断续模式
        13. 7.3.26.13 OTG 模式过压保护 (OTG_OVP)
        14. 7.3.26.14 OTG 模式欠压保护 (OTG_UVP)
        15. 7.3.26.15 热关断 (TSHUT)
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 正向模式
        1. 7.4.1.1 采用窄 VDC 架构的系统电压调节
        2. 7.4.1.2 电池充电
      2. 7.4.2 USB On-The-Go 模式
      3. 7.4.3 直通模式 (PTM) 专利技术
      4. 7.4.4 学习模式
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 SMBus 接口
        1. 7.5.1.1 SMBus 写入字和读取字协议
        2. 7.5.1.2 时序图
    6. 7.6 BQ25770G 寄存器
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 ACP-ACN 输入滤波器
        2. 8.2.2.2 电感器选型
        3. 8.2.2.3 输入电容器
        4. 8.2.2.4 输出电容器
        5. 8.2.2.5 功率 MOSFET 选择
      3. 8.2.3 应用曲线
  10. 9 电源相关建议
  11. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
      1. 10.2.1 布局示例参考顶视图
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 器件支持
      1. 11.1.1 第三方产品免责声明
    2. 11.2 文档支持
      1. 11.2.1 相关文档
    3. 11.3 接收文档更新通知
    4. 11.4 支持资源
    5. 11.5 商标
    6. 11.6 静电放电警告
    7. 11.7 术语表
  13. 12修订历史记录
  14. 13机械、封装和可订购信息

8.2.2.4 输出电容器

输出电容器还应具有足够的纹波电流额定值，以吸收输出开关纹波电流。输出电容器的首选陶瓷电容器为 35V X7R 或 X5R。建议至少将 7 个 10µF 0603 尺寸电容器放置在尽可能靠近 Q3 和 Q4 半桥的位置（在 Q4 漏极端子和 Q3 源极端子之间），当功率达到 140W/180W 时，建议在系统输出端多放置 2 个 0603 MLCC。为实现出色的稳定性，建议在充电电流检测电阻之后放置至少 2*10µF。总最小 VSYS 有效电容应为 50μF，包括沿 VSYS 输出线路分布的所有电容，如下一级 VR 上的输入电容，请参阅表 8-7。

陶瓷电容器表现出直流偏置效应。在陶瓷电容器上施加直流偏置电压时，这种效应可减小有效电容，就像是在充电器的输出电容器上一样。这种影响可能会导致显著的电容压降，尤其是对于高输出电压和小型电容器封装。请参阅制造商的数据表，了解施加直流偏置电压时的降额性能。为了在运行点获得所需的电容值，也许有必要选择一个更高的额定电压或者标称电容值。

表 8-5 最小输出电容要求
输出电容器与总输入功率间的关系 100W 140W 180W
最小有效输出电容 50μF 50μF 50μF
充电器 VSYS 输出端子上的最小输出电容器 7*10μF (0603 35V MLCC) 9*10μF (0603 35V MLCC)

VBUS<=28V 时为 9*10μF (0603 35V MLCC)

VBUS=36V 时为 9*10μF (0805 50V MLCC)
VSYS 配电线路上的最小附加输出电容器，下一级转换器的输入电容器也可计入。 2*22μF（2917 35V POSCAP，每个均为小于 100mΩ ESR） 2*22μF（2917 35V POSCAP，每个均为小于 100mΩ ESR）

2*22μF（2917 35V POSCAP，每个均为小于 100mΩ ESR）VBUS<=28V

2*22μF（2917 50V POSCAP，每个均为小于 100mΩ ESR）

VBUS=36V

在系统功率较高的情况下，总的下一级 (Vcore) 输入电容通常可能会相应地增加。这些电容也被计为充电器系统输出电容。当这些电容值过大时，也会影响控制器稳定性，下面列出了最大有效输出电容供参考。

表 8-6 最大输出电容要求
输出电容器与总输入功率间的关系 100W 140W 180W
最大有效输出电容 500μF 800μF 800μF
VSYS 配电线路上的最大输出电容器，下一级转换器的输入电容器也可计入。 5*100μF（2917 35V POSCAP，每个均为小于 100mΩ ESR） 8*100μF（2917 35V POSCAP，每个均为小于 100mΩ ESR）

8*100μF（2917 35V POSCAP，每个均为小于 100mΩ ESR）VBUS<=28V

8*100μF（2917 50V POSCAP，每个均为小于 100mΩ ESR）VBUS=36V