ZHCSW30 April   2024 BQ25770G

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
    7. 6.7 典型特性 - BQ25770G
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  上电序列
      2. 7.3.2  MODE 引脚检测
      3. 7.3.3  REGN 稳压器 (REGN LDO)
      4. 7.3.4  独立比较器功能
      5. 7.3.5  电池充电管理
        1. 7.3.5.1 自主充电周期
        2. 7.3.5.2 电池充电曲线
        3. 7.3.5.3 充电终止
        4. 7.3.5.4 充电安全计时器
      6. 7.3.6  温度调节 (TREG)
      7. 7.3.7  仅电池模式下的 Vmin 主动保护 (VAP)
      8. 7.3.8  两级电池放电电流限制
      9. 7.3.9  快速角色交换功能
      10. 7.3.10 CHRG_OK 指示器
      11. 7.3.11 输入电流和充电电流检测
      12. 7.3.12 输入电流和电压限制设置
      13. 7.3.13 电池电芯配置
      14. 7.3.14 器件高阻态状态
      15. 7.3.15 USB On-The-Go (OTG)
      16. 7.3.16 准双相位转换器运行模式
      17. 7.3.17 连续导通模式 (CCM)
      18. 7.3.18 脉冲频率调制 (PFM)
      19. 7.3.19 开关频率和抖动功能
      20. 7.3.20 电流和功率监控器
        1. 7.3.20.1 高精度电流检测放大器（IADPT 和 IBAT）
        2. 7.3.20.2 高精度功率检测放大器 (PSYS)
      21. 7.3.21 输入源动态电源管理
      22. 7.3.22 用于监测的集成 16 位 ADC
      23. 7.3.23 输入电流优化器 (ICO)
      24. 7.3.24 两级适配器电流限制（峰值功率模式）
      25. 7.3.25 处理器热量指示
        1. 7.3.25.1 低功耗模式期间的 PROCHOT
        2. 7.3.25.2 PROCHOT 状态
      26. 7.3.26 器件保护
        1. 7.3.26.1  看门狗计时器 (WD)
        2. 7.3.26.2  输入过压保护 (ACOV)
        3. 7.3.26.3  输入过流保护 (ACOC)
        4. 7.3.26.4  系统过压保护 (SYSOVP)
        5. 7.3.26.5  电池过压保护 (BATOVP)
        6. 7.3.26.6  电池充电过流保护 (BATCOC)
        7. 7.3.26.7  电池放电过流保护 (BATDOC)
        8. 7.3.26.8  LDO 调节模式下的 BATFET 充电电流钳位保护
        9. 7.3.26.9  VBUS 和 ACP_A 之间的睡眠比较器保护 (SC_VBUSACP)
        10. 7.3.26.10 高占空比降压模式退出比较器保护 (HDBCP)
        11. 7.3.26.11 REGN 电源正常保护 (REGN_PG)
        12. 7.3.26.12 系统欠压锁定 (VSYS_UVP) 和断续模式
        13. 7.3.26.13 OTG 模式过压保护 (OTG_OVP)
        14. 7.3.26.14 OTG 模式欠压保护 (OTG_UVP)
        15. 7.3.26.15 热关断 (TSHUT)
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 正向模式
        1. 7.4.1.1 采用窄 VDC 架构的系统电压调节
        2. 7.4.1.2 电池充电
      2. 7.4.2 USB On-The-Go 模式
      3. 7.4.3 直通模式 (PTM) 专利技术
      4. 7.4.4 学习模式
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 SMBus 接口
        1. 7.5.1.1 SMBus 写入字和读取字协议
        2. 7.5.1.2 时序图
    6. 7.6 BQ25770G 寄存器
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 ACP-ACN 输入滤波器
        2. 8.2.2.2 电感器选型
        3. 8.2.2.3 输入电容器
        4. 8.2.2.4 输出电容器
        5. 8.2.2.5 功率 MOSFET 选择
      3. 8.2.3 应用曲线
  10. 9 电源相关建议
  11. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
      1. 10.2.1 布局示例参考顶视图
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 器件支持
      1. 11.1.1 第三方产品免责声明
    2. 11.2 文档支持
      1. 11.2.1 相关文档
    3. 11.3 接收文档更新通知
    4. 11.4 支持资源
    5. 11.5 商标
    6. 11.6 静电放电警告
    7. 11.7 术语表
  13. 12修订历史记录
  14. 13机械、封装和可订购信息

7.6 BQ25770G 寄存器

表 7-12 列出了 BQ25770G 寄存器的存储器映射寄存器。表 7-12 中未列出的所有寄存器偏移地址都应视为保留的位置，并且不应修改寄存器内容。

表 7-12 BQ25770G 寄存器
地址首字母缩写词寄存器名称部分
12hREG0x12_ChargeOption0ChargeOption0()转到
14hREG0x14_CHARGE_CURRENTCHARGE_CURRENT()转到
15hREG0x15_CHARGE_VOLTAGECHARGE_VOLTAGE()转到
17hREG0x17_ChargeProfileChargeProfile()转到
18hREG0x18_GateDriveGateDrive()转到
19hREG0x19_ChargeOption5ChargeOption5()转到
1AhREG0x1A_AutoChargeAutoCharge()转到
1BhREG0x1B_ChargerStatus0ChargerStatus0()转到
20hREG0x20_ChargerStatus1ChargerStatus1()转到
21hREG0x21_Prochot_Status_RegisterProchot 状态寄存器转到
22hREG0x22_IIN_DPMIIN_DPM()转到
23hREG0x23_ADC_VBUSADC_VBUS()转到
24hREG0x24_ADC_IBATADC_IBAT()转到
25hREG0x25_ADC_IINADC_IIN()转到
26hREG0x26_ADC_VSYSADC_VSYS()转到
27hREG0x27_ADC_VBATADC_VBAT()转到
28hREG0x28_ADC_PSYSADC_PSYS()转到
29hREG0x29_ADC_CMPIN_TRADC_CMPIN_TR()转到
30hREG0x30_ChargeOption1ChargeOption1()转到
31hREG0x31_ChargeOption2ChargeOption2()转到
32hREG0x32_ChargeOption3ChargeOption3()转到
33hREG0x33_ProchotOption0_RegisterProchotOption0 寄存器转到
34hREG0x34_ProchotOption1ProchotOption1()转到
35hREG0x35_ADCOptionADCOption()转到
36hREG0x36_ChargeOption4ChargeOption4()转到
37hREG0x37_Vmin_Active_ProtectionVmin_Active_Protection()转到
3BhREG0x3B_OTG_VOLTAGEOTG_VOLTAGE()转到
3ChREG0x3C_OTG_CURRENTOTG_CURRENT()转到
3DhREG0x3D_VINDPMVINDPM()转到
3EhREG0x3E_VSYS_MINVSYS_MIN()转到
3FhREG0x3F_IIN_HOSTIIN_HOST()转到
60hREG0x60_AUTOTUNE_READAUTOTUNE_READ()转到
61hREG0x61_AUTOTUNE_FORCEAUTOTUNE_FORCE()转到
62hREG0x62_GM_ADJUST_FORCEGM_ADJUST_FORCE()转到
FDhREG0xFD_VIRTUAL_CONTROLVIRTUAL_CONTROL()转到
FEhREG0xFE_Manufacture_ID制造 ID转到
FFhREG0xFF_Device_ID器件 ID转到

复杂的位访问类型经过编码可适应小型表单元。表 7-13 展示了适用于此部分中访问类型的代码。

表 7-13 BQ25770G 访问类型代码
访问类型代码说明
读取类型
RR读取
写入类型
WW写入
复位或默认值
-n复位后的值或默认值

7.6.1 REG0x12_ChargeOption0 寄存器（地址 = 12h）[复位 = E70Eh]

图 7-14 展示了 REG0x12_ChargeOption0，表 7-14 中对此进行了介绍。

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图 7-14 REG0x12_ChargeOption0 寄存器
15141312111098
EN_LWPWRWDTMR_ADJIIN_DPM_AUTO_DISABLEOTG_ON_CHRGOKEN_OOAPWM_FREQEN_BATOVP
R/W-1hR/W-3hR/W-0hR/W-0hR/W-1hR/W-1hR/W-1h
76543210
EN_CMP_LATCHVSYS_UVP_ENZEN_LEARNIADPT_GAINIBAT_GAINEN_LDOEN_IIN_DPMCHRG_INHIBIT
R/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-1hR/W-1hR/W-1hR/W-0h
表 7-14 REG0x12_ChargeOption0 寄存器字段说明
位字段类型复位注释说明
15EN_LWPWRR/W1h复位方式：
REG_RESET		低功耗模式使能0b = 禁用低功耗模式。器件处于性能模式，仅使用电池。PROCHOT、IADPT/IBAT/PSYS 和比较器遵循相应的寄存器设置，REGN 应以满容量运行。
1b = 启用低功耗模式。器件处于低功耗模式，仅使用电池，以实现最低静态电流。PROCHOT、放电电流监控缓冲器、电源监控缓冲器和独立比较器被禁用。ADC 在低功耗模式下不可用。可以通过将 EN_LWPWR_CMP 设置为 1b 来启用独立比较器。可以通过 EN_REGN_LWPWR=1b 启用 REGN，并以 5mA 电流能力来节省静态电流。
14-13WDTMR_ADJR/W3h复位方式：
REG_RESET		看门狗计时器调节
设置充电电压或充电电流命令的连续 EC 主机写入之间的最大延迟。
如果器件在看门狗时间段内未收到对 CHARGE_VOLTAGE() 或 CHARGE_CURRENT() 的写入，则会通过将 CHARGE_CURRENT() 设置为 0mA 来暂停充电器。到期后，计时器将在写入 CHARGE_CURRENT()、CHARGE_VOLTAGE()、WDTMR_ADJ 或 WD_RST=1b 时恢复。如果值有效，充电器将恢复。00b = 禁用
01b = 5 秒
10b = 88 秒
11b = 175 秒
12IIN_DPM_AUTO_DISABLER/W0h复位方式：
REG_RESET		IIN_DPM 自动禁用
当 CELL_BATPRES 引脚为低电平时，充电器通过将 EN_IIN_DPM 设置为 0
自动禁用 IIN_DPM 功能。主机稍后可以通过
向 EN_IIN_DPM 位写入 1 来启用 IIN_DPM 功能。0b = 禁用
1b = 启用
11OTG_ON_CHRGOKR/W0h复位方式：
REG_RESET		将 OTG 添加到 CHRG_OK
当器件处于 OTG 模式时，将 CHRG_OK 驱动为高电平。0b = 禁用
1b = 启用
10EN_OOAR/W1h复位方式：
REG_RESET		Out-of-Audio 使能0b = 无限制
1b = 将最小 PFM 频率设置为高于 20kHz 以避免音频噪声
9PWM_FREQR/W1h 开关频率选择：建议在 2.2µH 时使用 600kHz，在 1.5µH 时使用 800kHz。在充电器 POR 后，MODE 引脚编程过程将改变一次频率选择。
注意：不允许动态更改的频率必须在转换器为高阻态时更改。0b = 800kHz
1b = 600kHz
8EN_BATOVPR/W1h复位方式：
REG_RESET		启用 BATOVP 保护：0b = 禁用
1b = 启用
7EN_CMP_LATCHR/W0h复位方式：
REG_RESET		启用独立比较器锁存。比较器输出具有有效低电平。如果在 PROCHOT 配置 (PP_CMP=1b) 中启用，则 STAT_COMP 位会在触发后保持 1b，直到由主机读取并清除。主机可以通过切换此 EN_CMP_LATCH 位来清除 CMPOUT 引脚0b = 无锁存
1b = 锁存
6VSYS_UVP_ENZR/W0h复位方式：
REG_RESET		禁用系统欠压保护。0b = 启用
1b = 禁用
5EN_LEARNR/W0h复位方式：
REG_RESET		学习模式功能使能：0b = 禁用
1b = 启用
4IADPT_GAINR/W0h复位方式：
REG_RESET		IADPT 放大器比率
IADPT 上的电压与 ACP 和 ACN 上的电压之比。0b = 20x
1b = 40x
3IBAT_GAINR/W1h复位方式：
REG_RESET		IBAT 放大器比率
IBAT 上的电压与 SRP 和 SRN 上的电压之比0b = 8x
1b = 64x
2EN_LDOR/W1h复位方式：
REG_RESET		LDO 模式使能
当电池电压低于 VSYS_MIN() 时，
充电器处于预充电状态并启用 LDO 模式。0b = 禁用 LDO 模式，当启用充电且 VSYS_MIN() 调节无效时，BATFET 完全开启，除非 VBAT<5V 且系统被调节至 5V。禁用充电后，BATFET 完全关闭，且系统被调节至 VBAT+160mV。
1b = 启用 LDO 模式，预充电电流由 CHARGE_CURRENT() 和 IPRECHG() 中的较低设置
进行设置。系统由 VSYS_MIN() 寄存器进行调节。
1EN_IIN_DPMR/W1h复位方式：
REG_RESET		IIN_DPM 使能
主机写入该位以启用 IIN_DPM 调节环路。当充电器禁用 IIN_DPM 时
（请参阅 IIN_DPM_AUTO_DISABLE），该位变为低电平。在 OTG 模式下，该位还用于启用/禁用 IOTG 调节。0b = 禁用
1b = 启用
0CHRG_INHIBITR/W0h复位方式：
REG_RESET		充电抑制
当该位为 0 时，电池充电将以 CHARGE_VOLTAGE() 和
CHARGE_CURRENT() 中的有效值启动。0b = 启用
1b = 抑制

7.6.2 REG0x14_CHARGE_CURRENT 寄存器（地址 = 14h）[复位 = 0000h]

图 7-15 展示了 REG0x14_CHARGE_CURRENT，表 7-15 中对此进行了介绍。

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图 7-15 REG0x14_CHARGE_CURRENT 寄存器
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RESERVEDCHARGE_CURRENT
R-0hR/W-0h
76543210
CHARGE_CURRENTRESERVED
R/W-0hR-0h
表 7-15 REG0x14_CHARGE_CURRENT 寄存器字段说明
位字段类型复位注释说明
15-14RESERVEDR0h 保留
13-3CHARGE_CURRENTR/W0h复位方式：
REG_RESET
看门狗		使用 5mΩ 检测电阻时的充电电流设置（低于 128mA 的非零值被视为 128mA）：请注意，如果在 RSNS_RSR=1b 时选择 2mΩ，最大充电电流将被钳位在 5DCh（具有 20mA LSB 时为 30A）。在以下情况下，CHARGE_CURRENT 复位为 0A：
1) BATCOC 故障。
2) Charge_Voltage() 被写入 0V
3) CELL_BATPRES 变为低电平（电池移除）
4) STAT_AC 无效（适配器移除）
5) 看门狗事件触发器
6) 自主充电被终止 (CHRG_STAT=111b)
7) 安全计时器触发器
注意：写入超过钳位高电平/低电平的值实际上会将寄存器设置为钳位高电平/低电平值。POR：0mA (0h)
范围：0mA-16320mA (0h-7F8h)
钳位至高电平
位步长：8mA
2-0RESERVEDR0h 保留

7.6.3 REG0x15_CHARGE_VOLTAGE 寄存器（地址 = 15h）[复位 = 0000h]

图 7-16 展示了 REG0x15_CHARGE_VOLTAGE，表 7-16 中对此进行了介绍。

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图 7-16 REG0x15_CHARGE_VOLTAGE 寄存器
15141312111098
RESERVEDCHARGE_VOLTAGE
R-0hR/W-0h
76543210
CHARGE_VOLTAGERESERVED
R/W-0hR-0h
表 7-16 REG0x15_CHARGE_VOLTAGE 寄存器字段说明
位字段类型复位注释说明
15RESERVEDR0h 保留
14-2CHARGE_VOLTAGER/W0h向此寄存器写入 0 应使寄存器值保持不变，并强制 CHARGE_CURRENT() 为零以禁用充电 CHARGE。
复位方式：
REG_RESET		充电电压设置
注意：写入超过钳位高电平/低电平的非零值实际上会将寄存器设置为钳位高电平/低电平值。写入 0V 时，它不应更改 CHARGE_VOLTAGE()，而是将 CHARGE_CURRENT() 复位为 0APOR：0mV (0h)
范围：5000mV-23000mV (4E2h-1676h)
钳位至低电平
钳位至高电平
位步长：4mV
模式：2s
8400mV
POR：8400mV (834h)模式：3s
12600mV
POR：12600mV (C4Eh)模式：4s
16800mV
POR：16800mV (1068h)模式：5s
21000mV
POR：21000mV (1482h)
1-0RESERVEDR0h 保留

7.6.4 REG0x17_ChargeProfile 寄存器（地址 = 17h）[复位 = 3020h]

图 7-17 展示了 REG0x17_ChargeProfile，表 7-17 中对此进行了介绍。

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图 7-17 REG0x17_ChargeProfile 寄存器
15141312111098
IPRECHG
R/W-30h
76543210
ITERM
R/W-20h
表 7-17 REG0x17_ChargeProfile 寄存器字段说明
位字段类型复位注释说明
15-8IPRECHGR/W30h复位方式：
REG_RESET		使用 5mΩ 检测电阻时的最大预充电电流钳位设置（CHARGE_CURRENT() 和 IPRECHG 中的较低设置决定了 VBAT < VSYS_MIN() 时的实际预充电电流）：请注意，当选择 2mΩ 检测电阻 RSNS_RSR=1b 时，IPRECHG() 的上钳位应为 66H，以便限制 BATFET 散热。
注意：写入超过钳位高电平/低电平的值实际上会将寄存器设置为钳位高电平/低电平值。POR：384mA (30h)
范围：128mA-2016mA (10h-FCh)
钳位至低电平
钳位至高电平
位步长：8mA
7-0ITERMR/W20h复位方式：
REG_RESET		使用 5mΩ 检测电阻时的终止电流设置：
注意：写入超过钳位高电平/低电平的值实际上会将寄存器设置为钳位高电平/低电平值。POR：256mA (20h)
范围：128mA-2016mA (10h-FCh)
钳位至低电平
钳位至高电平
位步长：8mA

7.6.5 REG0x18_GateDrive 寄存器（地址 = 18h）[复位 = 246Ch]

图 7-18 展示了 REG0x18_GateDrive，表 7-18 中对此进行了介绍。

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图 7-18 REG0x18_GateDrive 寄存器
15141312111098
HIDRV1_STATLODRV1_STATRESERVEDBATOVP_EXTEND
R/W-1hR/W-1hR-0hR/W-0h
76543210
HIDRV2_STATLODRV2_STATVSYS_REG_SLOWRESERVED
R/W-3hR/W-3hR/W-0hR-0h
表 7-18 REG0x18_GateDrive 寄存器字段说明
位字段类型复位注释说明
15-13HIDRV1_STATR/W1h 针对导通和关断的 HIDRV1_A 和 HIDRV1_B HS MOSFET 栅极驱动强度调整：000b = Scale0（Vgs=4.5V Qg 范围：0-5nC）
001b = Scale1（Vgs=4.5V Qg 范围：5-13nC）
010b = Scale2（Vgs=4.5V Qg 范围：13-21nC）
011b = Scale3（Vgs=4.5V Qg 范围：21-29nC）
100b = Scale4（Vgs=4.5V Qg 范围：29-37nC）
101b = Scale5（Vgs=4.5V Qg 范围：37-45nC）
110b = Scale6（Vgs=4.5V Qg 范围：45-53nC）
111b = Scale7（Vgs=4.5V Qg 范围：>53nC）
12-10LODRV1_STATR/W1h 针对导通和关断的 LODRV1_A 和 LODRV1_B LS MOSFET 栅极驱动强度调整：000b = Scale0（Vgs=4.5V Qg 范围：0-5nC）
001b = Scale1（Vgs=4.5V Qg 范围：5-13nC）
010b = Scale2（Vgs=4.5V Qg 范围：13-21nC）
011b = Scale3（Vgs=4.5V Qg 范围：21-29nC）
100b = Scale4（Vgs=4.5V Qg 范围：29-37nC）
101b = Scale5（Vgs=4.5V Qg 范围：37-45nC）
110b = Scale6（Vgs=4.5V Qg 范围：45-53nC）
111b = Scale7（Vgs=4.5V Qg 范围：>53nC）
9RESERVEDR0h 保留
8BATOVP_EXTENDR/W0h 为充电启用和禁用场景（包括交流+电池和仅电池的情况）启用 BATOVP。
0b：当 EN_BATOVP=1b 时，BATOVP 仅在启用充电（BATFET 导通）时处于活动状态
1b：只要 EN_BATOVP=1b，无论充电是否启用（BATFET 导通或关断），BATOVP 都会处于活动状态0b = 禁用
1b = 启用
7-5HIDRV2_STATR/W3h 针对导通和关断的 HIDRV2 HS MOSFET 栅极驱动强度调整：000b = Scale0（Vgs=4.5V Qg 范围：0-5nC）
001b = Scale1（Vgs=4.5V Qg 范围：5-13nC）
010b = Scale2（Vgs=4.5V Qg 范围：13-21nC）
011b = Scale3（Vgs=4.5V Qg 范围：21-29nC）
100b = Scale4（Vgs=4.5V Qg 范围：29-37nC）
101b = Scale5（Vgs=4.5V Qg 范围：37-45nC）
110b = Scale6（Vgs=4.5V Qg 范围：45-53nC）
111b = Scale7（Vgs=4.5V Qg 范围：>53nC）
4-2LODRV2_STATR/W3h 针对导通和关断的 LODRV2 LS MOSFET 栅极驱动强度调整：000b = Scale0（Vgs=4.5V Qg 范围：0-5nC）
001b = Scale1（Vgs=4.5V Qg 范围：5-13nC）
010b = Scale2（Vgs=4.5V Qg 范围：13-21nC）
011b = Scale3（Vgs=4.5V Qg 范围：21-29nC）
100b = Scale4（Vgs=4.5V Qg 范围：29-37nC）
101b = Scale5（Vgs=4.5V Qg 范围：37-45nC）
110b = Scale6（Vgs=4.5V Qg 范围：45-53nC）
111b = Scale7（Vgs=4.5V Qg 范围：>53nC）
1VSYS_REG_SLOWR/W0h 系统调节环路带宽会减慢以减少负载瞬态期间的输入电流过冲：0b = 禁用
1b = 启用
0RESERVEDR0h 保留

7.6.6 REG0x19_ChargeOption5 寄存器（地址 = 19h）[复位 = 0685h]

图 7-19 展示了 REG0x19_ChargeOption5，表 7-19 中对此进行了介绍。

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图 7-19 REG0x19_ChargeOption5 寄存器
15141312111098
PTM_EXIT_LIGHT_LOADWD_RSTCMPIN_TR_SELECTREGN_EXTEN_REGN_LWPWRBATCOC_CONFIGHIGH_DUTY_BUCK
R/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-3hR/W-0h
76543210
SINGLE_DUAL_TRANS_THFORCE_SINGLEPH_ADD_DEGPH_DROP_DEG
R/W-4hR/W-0hR/W-1hR/W-1h
表 7-19 REG0x19_ChargeOption5 寄存器字段说明
位字段类型复位注释说明
15PTM_EXIT_LIGHT_LOADR/W0h复位方式：
REG_RESET		启用在轻负载下的 PTM 自动退出：0b = 禁用
1b = 启用
14WD_RSTR/W0h复位方式：
REG_RESET		复位看门狗计时器控制：0b = 正常
1b = 复位（计时器复位后位恢复为 0）
13CMPIN_TR_SELECTR/W0h复位方式：
REG_RESET		CPMIN_TS 引脚功能选择：0b = CPMIN 功能
1b = TREG 功能
12REGN_EXTR/W0h复位方式：
REG_RESET		启用 REGN 的外部 5V 过驱：0b = 禁用外部 5V 过驱
1b = 启用外部 5V 过驱
11EN_REGN_LWPWRR/W0h复位方式：
REG_RESET		在仅电池和低功耗模式下，启用按比例降低电流能力为 5mA 的 REGN：0b = 在仅电池低功耗模式下禁用 REGN
1b = 在仅电池低功耗模式下启用 REGN
10-9BATCOC_CONFIGR/W3h复位方式：
REG_RESET		禁用 BATCOC 并配置 SRP-SRN 上的 BATCOC 阈值：00b = 禁用
01b = 50mV
10b = 75mV
11b = 100mV
8HIGH_DUTY_BUCKR/W0h复位方式：
REG_RESET		启用高占空比降压模式以支持最大降压模式工作范围，从而在无需升压开关的情况下使 Q4 恒定导通。0b = 禁用
1b = 启用
7-5SINGLE_DUAL_TRANS_THR/W4h复位方式：
REG_RESET		根据输出负载电流进行降压模式单相到双相转换阈值调整：（如果在 MODE 引脚编程时选择准双相）请注意，从双相到单相的转换中，负载电流阈值比此配置低 1A（作为迟滞）。000b = 强制双相运行
001b = 3A
010b = 4A
011b = 5A
100b = 6A
101b = 7A
110b = 8A
111b = 9A
4FORCE_SINGLER/W0h复位方式：
REG_RESET		通过 MODE 引脚编程选择准双相时在降压模式下强制单相运行：0b = 根据 SINGLE_DUAL_TRANS_TH 阈值选项自动转换到双相
1b = 在降压模式下强制单相运行
3-2PH_ADD_DEGR/W1h复位方式：
REG_RESET		调整单相到双相（增相转换）抗尖峰脉冲时间：00b = 0.727us（最小值）/1.7us（典型值）/2.67us（最大值）
01b = 2.91us（最小值）/5.5us（典型值）/8us（最大值）
10b = 11.6us（最小值）/20us（典型值）/29.3us（最大值）
11b = 46.6us（最小值）/86us（典型值）/115us（最大值）
1-0PH_DROP_DEGR/W1h复位方式：
REG_RESET		调整双相到单相（降相转换）抗尖峰脉冲时间：00b = 70us（最小值）/93us（典型值）/115us（最大值）
01b = 1.12ms（最小值）/1.5ms（典型值）/1.82ms（最大值）
10b = 8.94ms（最小值）/11ms（典型值）/1.46ms（最大值）
11b = 71.5ms（最小值）/94ms（典型值）/117ms（最大值）

7.6.7 REG0x1A_AutoCharge 寄存器（地址 = 1Ah）[复位 = 01C2h]

图 7-20 展示了 REG0x1A_AutoCharge，表 7-20 中对此进行了介绍。

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图 7-20 REG0x1A_AutoCharge 寄存器
15141312111098
EN_AUTO_CHGCHRG_OK_INTVRECHGCHG_TMR
R/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-1h
76543210
EN_TMR2XEN_CHG_TMREN_TREGPP_THERMALSTAT_THERMALTHERMAL_DEGACOV_ADJ
R/W-1hR/W-1hR/W-0hR/W-0hR-0hR/W-0hR/W-2h
表 7-20 REG0x1A_AutoCharge 寄存器字段说明
位字段类型复位注释说明
15EN_AUTO_CHGR/W0h复位方式：
REG_RESET		自动充电控制（自动再充电和终止电池充电）：0b = 禁用
1b = 启用
14CHRG_OK_INTR/W0h复位方式：
REG_RESET		启用用于中断功能的 CHRG_OK 引脚：0b = 禁用（当 CHRG_STAT 位更改时，CHRG_OK 引脚不会被拉至低电平）
1b =启用（当 CHRG_STAT 位更改时，CHRG_OK 引脚被拉至低电平至少 256us）
13-10VRECHGR/W0h复位方式：
REG_RESET		电池自动再充电阈值低于 CHARGE_VOLTAGE()：POR：50mV (0h)
范围：50mV-800mV (0h-Fh)
位步长：50mV
偏移：50mV
模式：2s
200mV
POR：200mV (3h)模式：3s
300mV
POR：300mV (5h)模式：4s
400mV
POR：400mV (7h)模式：5s
500mV
POR：500mV (9h)
9-8CHG_TMRR/W1h复位方式：
REG_RESET		自动充电安全计时器控制：00b = 5 小时
01b = 8 小时
10b = 12 小时
11b = 24 小时
7EN_TMR2XR/W1h复位方式：
REG_RESET		充电安全计时器速度控制：（注意，更改 EN_TMR2X 的状态仅影响计数器计数的速率，对任何现有的累积计数都没有影响）0b = 计时器始终正常计数
1b = 在 VINDPM/IINDPM/TREG 调节期间计时器速度减半
6EN_CHG_TMRR/W1h复位方式：
REG_RESET
看门狗		启用充电安全计时器：0b = 禁用
1b = 启用
5EN_TREGR/W0h复位方式：
REG_RESET		如果 CMPIN_TR_SELECT=1b，则启用温度调节功能并将 CMPOUT 引脚下拉至 GND。如果 CMPIN_TR_SELECT=0b，则 EN_TREG 不会生效。0b = 禁用温度调节功能
1b = 启用温度调节功能
4PP_THERMALR/W0h复位方式：
REG_RESET		为 PROCHOT 配置启用温度调节 (TREG)。0b = 禁用
1b = 启用
3STAT_THERMALR0h复位方式：
REG_RESET		TREG 过热 (CMPIN_TR < 1.1V) 时的 PROCHOT 配置状态位。状态将锁存直到从主机读取。0b = 未触发
1b = 已触发
2THERMAL_DEGR/W0h复位方式：
REG_RESET		调整 TREG 热抗尖峰脉冲时间以触发 PROCHOT 配置下拉脉冲。0b = 0.76sec（最小值）/0.965sec（典型值）/1.17sec（最大值）
1b = 95.3ms（最小值）/121ms（典型值）/146ms（最大值）
1-0ACOV_ADJR/W2h复位方式：
REG_RESET		ACOV 保护阈值调整：00b = 20V (15V SPR)
01b = 25V (20V SPR)
10b = 33V (28V EPR)
11b = 41V (36V EPR)

7.6.8 REG0x1B_ChargerStatus0 寄存器（地址 = 1Bh）[复位 = 0000h]

图 7-21 展示了 REG0x1B_ChargerStatus0，表 7-21 中对此进行了介绍。

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ChargeStatus0()

图 7-21 REG0x1B_ChargerStatus0 寄存器
15141312111098
CHRG_STATCHG_TMR_STATTREG_STATMODE_STAT
R-0hR-0hR-0hR-0h
76543210
FAULT_BATOVPRESERVEDFAULT_OCPRESERVEDFAULT_REGNRESERVED
R-0hR-0hR-0hR-0hR-0hR-0h
表 7-21 REG0x1B_ChargerStatus0 寄存器字段说明
位字段类型复位注释说明
15-13CHRG_STATR0h 充电周期状态000b = 未充电
001b = 涓流充电 (VBAT<VBAT_SHORT)
010b = 预充电 (VBAT<VSYS_MIN)
011b = 快速充电（CC 模式）
100b = 快速充电（CV 模式）
101b = 保留 1
110b = 保留 2
111b = 充电终止完成
12CHG_TMR_STATR0h复位方式：
REG_RESET		充电安全计时器状态0b = 正常
1b = 充电安全计时器到期
11TREG_STATR0h复位方式：
REG_RESET		温度调节状态0b = 未处于温度调节 (TREG) 状态
1b = 处于温度调节 (TREG) 状态
10-8MODE_STATR0h MODE 引脚编程状态000b = 准双相/正常补偿/Fsw-600kHz
001b = 准双相/正常补偿/Fsw-800kHz
010b = 准双相/慢速补偿/Fsw-600kHz
011b = 准双相/慢速补偿/Fsw-800kHz
100b = 不适用/正常补偿/Fsw-600kHz
101b = 不适用/正常补偿/Fsw-800kHz
110b = 不适用/慢速补偿/Fsw-600kHz
111b = 不适用/慢速补偿/Fsw-800kHz
7FAULT_BATOVPR0h复位方式：
REG_RESET		状态将锁存直到从主机读取，如果主机读取期间故障仍然存在，则该位应保持为 1b。但是，在主机读取一次故障状态后，该位将在原始故障被清除后自动复位。这样，主机就无需在故障被消除后再次读取以清除该故障位。0b = 无故障
1b = 故障
6RESERVEDR0h 保留
5FAULT_OCPR0h复位方式：
REG_RESET		状态将锁存直到从主机读取，如果主机读取期间故障仍然存在，则该位应保持为 1b。但是，在主机读取一次故障状态后，该位将在原始故障被清除后自动复位。0b = 无故障
1b = 故障
4RESERVEDR0h 保留
3FAULT_REGNR0h复位方式：
REG_RESET		状态将锁存直到从主机读取，如果主机读取期间故障仍然存在，则该位应保持为 1b。但是，在主机读取一次故障状态后，该位将在原始故障被清除后自动复位。这样，主机就无需在故障被消除后再次读取以清除该故障位。0b = 无故障
1b = 故障
2-0RESERVEDR0h 保留

7.6.9 REG0x20_ChargerStatus1 寄存器（地址 = 20h）[复位 = 0000h]

图 7-22 展示了 REG0x20_ChargerStatus1，表 7-22 中对此进行了介绍。

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图 7-22 REG0x20_ChargerStatus1 寄存器
15141312111098
STAT_ACICO_DONEIN_VAPIN_VINDPMIN_IIN_DPMFAULT_SC_VBUSACPFAULT_BATCOCIN_OTG
R-0hR-0hR-0hR-0hR-0hR-0hR-0hR-0h
76543210
FAULT_ACOVFAULT_BATDOCFAULT_ACOCFAULT_SYSOVPFAULT_VSYS_UVPFAULT_FRC_CONV_OFFFAULT_OTG_OVPFAULT_OTG_UVP
R-0hR-0hR-0hR/W-0hR/W-0hR-0hR-0hR-0h
表 7-22 REG0x20_ChargerStatus1 寄存器字段说明
位字段类型复位注释说明
15STAT_ACR0h复位方式：
REG_RESET		输入源状态，只要存在有效 VBUS 源，STAT_AC 便会处于活动状态0b = 不存在
1b = 存在
14ICO_DONER0h复位方式：
REG_RESET		ICO 例程成功执行后，该位变为 1。0b = 未完成
1b = 完成
13IN_VAPR0h复位方式：
REG_RESET		数字状态位指示 VAP 已启用 (1) 还是已禁用 (0)。VAP 模式的启用仅遵循主机命令，不受 /PROCHOT 的任何状态的限制。VAP 模式的退出也遵循主机命令，但任何故障都会自动退出 VAP 模式。STAT_EXIT_VAP 变为 1，这会将 /PROCHOT 拉至低电平，直到主机清除。
主机可以通过将 EN_OTG 引脚设置为高电平并设置 OTG_VAP_MODE=0b 来启用 VAP，通过将 EN_OTG 引脚设置为低电平或设置 OTG_VAP_MOD=1b 来禁用 VAP。当 IN_VAP 位从 0 变为 1 时，充电器应禁用 VinDPM、IIN_DPM、ILIM 引脚、禁用 PP_ACOK（如果已启用）、启用 PP_VSYS（如果已禁用）。当 IN_VAP 位从 1 变为 0 时，充电器应启用 VinDPM、IIN_DPM、ILIM 引脚0b = 未运行
1b = 已运行
12IN_VINDPMR0h复位方式：
REG_RESET		VINDPM/VOTG 状态0b = 充电器未处于 VINDPM 状态（在正向模式期间）
或电压调节中（在 OTG 模式期间）
1b = 充电器处于 VINDPM 状态（在正向模式期间）
或电压调节中（在 OTG 模式期间）
11IN_IIN_DPMR0h复位方式：
REG_RESET		IIN_DPM/IOTG 状态0b = 未处于 IIN_DPM 中
1b = 处于 IIN_DPM 中
10FAULT_SC_VBUSACPR0h复位方式：
REG_RESET		故障将锁存直到从主机读取，如果主机读取期间故障仍然存在，则该位应保持为 1b。但是，在主机读取一次故障状态后，该位将在原始故障被清除后自动复位。这样，主机就无需在故障被消除后再次读取以清除该故障位。0b = 无故障
1b = 故障
9FAULT_BATCOCR0h复位方式：
REG_RESET		故障将锁存直到触发 1 秒后从主机读取。要恢复充电，EC 还需要将非零值重新写入 CHARGE_CURRENT() 寄存器。0b = 无故障
1b = 故障
8IN_OTGR0h复位方式：
REG_RESET		OTG0b = 未处于 OTG 中
1b = 处于 OTG 中
7FAULT_ACOVR0h复位方式：
REG_RESET		故障将锁存直到从主机读取，如果主机读取期间故障仍然存在，则该位应保持为 1b。但是，在主机读取一次故障状态后，该位将在原始故障被清除后自动复位。这样，主机就无需在故障被消除后再次读取以清除该故障位。0b = 无故障
1b = 故障
6FAULT_BATDOCR0h复位方式：
REG_RESET		故障将锁存直到从主机读取，如果主机读取期间故障仍然存在，则该位应保持为 1b。但是，在主机读取一次故障状态后，该位将在原始故障被清除后自动复位。这样，主机就无需在故障被消除后再次读取以清除该故障位。0b = 无故障
1b = 故障
5FAULT_ACOCR0h复位方式：
REG_RESET		故障将锁存直到从主机读取，如果主机读取期间故障仍然存在，则该位应保持为 1b。但是，在主机读取一次故障状态后，该位将在原始故障被清除后自动复位。这样，主机就无需在故障被消除后再次读取以清除该故障位。0b = 无故障
1b = 故障
4FAULT_SYSOVPR/W0h复位方式：
REG_RESET		SYSOVP 故障状态和清除
当发生 SYSOVP 时，该位设置为高电平。只要该位为高电平，便会禁用转换器。移除 SYSOVP 后，用户必须向该位写入 0 或拔下适配器来清除 SYSOVP 条件，从而再次启用转换器。0b = 无故障
1b = 故障
3FAULT_VSYS_UVPR/W0h复位方式：
REG_RESET		VSYS_UVP 故障状态和清除。故障将锁存直到通过向该位写入 0 来从主机清除。
只要该位为高电平，便会禁用转换器。移除 VSYS_UVP 后，用户必须向该位写入 0 或拔下适配器来清除 VSYS_UVP 条件，从而再次启用转换器。0b = 无故障
1b = 故障
2FAULT_FRC_CONV_OFFR0h复位方式：
REG_RESET		当独立比较器触发低电平有效时，强制关闭转换器。故障将锁存直到从主机读取，如果主机读取期间故障仍然存在，则该位应保持为 1b。但是，在主机读取一次故障状态后，该位将在原始故障被清除后自动复位。这样，主机就无需在故障被消除后再次读取以清除该故障位。0b = 无故障
1b = 故障
1FAULT_OTG_OVPR0h复位方式：
REG_RESET		故障将锁存直到从主机读取，如果主机读取期间故障仍然存在，则该位应保持为 1b。但是，在主机读取一次故障状态后，该位将在原始故障被清除后自动复位。0b = 无故障
1b = 故障
0FAULT_OTG_UVPR0h复位方式：
REG_RESET		故障将锁存直到从主机读取，如果主机读取期间故障仍然存在，则该位应保持为 1b。但是，在主机读取一次故障状态后，该位将在原始故障被清除后自动复位。这样，主机就无需在故障被消除后再次读取以清除该故障位。0b = 无故障
1b = 故障

7.6.10 REG0x21_Prochot_Status_Register（地址 = 21h）[复位 = 3800h]

图 7-23 展示了 REG0x21_Prochot_Status_Register，表 7-23 中对此进行了介绍。

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图 7-23 REG0x21_Prochot_Status_Register
15141312111098
RESERVEDEN_PROCHOT_EXTPROCHOT_WIDTHPROCHOT_CLEARTSHUTSTAT_VAP_FAILSTAT_EXIT_VAP
R-0hR/W-0hR/W-3hR/W-1hR-0hR/W-0hR/W-0h
76543210
STAT_VINDPMSTAT_COMPSTAT_ICRITSTAT_INOMSTAT_IDCHG1STAT_VSYSSTAT_BATTERY_REMOVALSTAT_ADAPTER_REMOVAL
R/W-0hR-0hR-0hR-0hR-0hR-0hR-0hR-0h
表 7-23 REG0x21_Prochot_Status_Register 字段说明
位字段类型复位注释说明
15RESERVEDR0h 保留
14EN_PROCHOT_EXTR/W0h复位方式：
REG_RESET		PROCHOT 脉冲扩展使能。启用脉冲扩展后，保持 PROCHOT 引脚电压为低电平，直到主机写入 PROCHOT_CLEAR=0b。0b = 禁用
1b = 启用
13-12PROCHOT_WIDTHR/W3h复位方式：
REG_RESET		当 EN_PROCHOT_EXT = 0b 时的
PROCHOT 脉冲宽度00b = 83ms（最小值）/100ms（典型值）/117ms（最大值）
01b = 42ms（最小值）/50ms（典型值）/58ms（最大值）
10b = 5ms（最小值）/6.15ms（典型值）/7.3ms（最大值）
11b = 10ms（最小值）/12.5ms（典型值）/15ms（最大值）
11PROCHOT_CLEARR/W1h复位方式：
REG_RESET		PROCHOT 脉冲清除。
当 EN_PROCHOT_EXT=0b 时，清除 PROCHOT 脉冲。0b = 清除 PROCHOT 脉冲并将 /PROCHOT 引脚驱动为高电平
1b = 空闲
10TSHUTR0h复位方式：
REG_RESET		TSHUT 触发器0b = 未触发
1b = 已触发
9STAT_VAP_FAILR/W0h复位方式：
REG_RESET		该状态位报告在 VAP 模式下 VBUS 连续 7 次加载失败，这表明电池电压可能不足以进入 VAP 模式，或 VAP 加载电流设置过高。0b = 未处于 VAP 故障中
1b = 处于 VAP 故障中，充电器退出 VAP 模式，并锁闭直到主机将该位写为 0。
8STAT_EXIT_VAPR/W0h复位方式：
REG_RESET		当充电器在 VAP 模式下运行时，如果通过主机禁用或存在任何充电器故障，则该充电器可以退出 VAP。0b = PROCHOT_EXIT_VAP 未处于活动状态
1b = PROCHOT_EXIT_VAP 处于活动状态，PROCHOT 引脚为低电平，直到主机将该状态位写为 0
7STAT_VINDPMR/W0h复位方式：
REG_RESET		PROCHOT 配置 VINDPM 状态位，触发为 1b 后，PROCHOT 引脚为低电平，直到主机在 PP_VINDPM = 1b 时写入此状态位为 0b。0b = 未触发
1b = 已触发
6STAT_COMPR0h复位方式：
REG_RESET		状态将锁存直到从主机读取。0b = 未触发
1b = 已触发
5STAT_ICRITR0h复位方式：
REG_RESET		状态将锁存直到从主机读取。0b = 未触发
1b = 已触发
4STAT_INOMR0h复位方式：
REG_RESET		状态将锁存直到从主机读取。0b = 未触发
1b = 已触发
3STAT_IDCHG1R0h复位方式：
REG_RESET		状态将锁存直到从主机读取。0b = 未触发
1b = 已触发
2STAT_VSYSR0h复位方式：
REG_RESET		状态将锁存直到从主机读取。0b = 未触发
1b = 已触发
1STAT_BATTERY_REMOVALR0h复位方式：
REG_RESET		状态将锁存直到从主机读取。0b = 未触发
1b = 已触发
0STAT_ADAPTER_REMOVALR0h复位方式：
REG_RESET		状态将锁存直到从主机读取。0b = 未触发
1b = 已触发

7.6.11 REG0x22_IIN_DPM 寄存器（地址 = 22h）[复位 = 0320h]

图 7-24 展示了 REG0x22_IIN_DPM，表 7-24 中对此进行了介绍。

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图 7-24 REG0x22_IIN_DPM 寄存器
15141312111098
RESERVEDIIN_DPM
R-0hR-C8h
76543210
IIN_DPMRESERVED
R-C8hR-0h
表 7-24 REG0x22_IIN_DPM 寄存器字段说明
位字段类型复位注释说明
15-11RESERVEDR0h 保留
10-2IIN_DPMRC8h复位方式：
REG_RESET		使用 10mΩ 检测电阻时的输入电流设置：POR：5000mA (C8h)
范围：400mA-8200mA (10h-148h)
钳位至低电平
钳位至高电平
位步长：25mA
1-0RESERVEDR0h 保留

7.6.12 REG0x23_ADC_VBUS 寄存器（地址 = 23h）[复位 = 0000h]

图 7-25 展示了 REG0x23_ADC_VBUS，表 7-25 中对此进行了介绍。

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图 7-25 REG0x23_ADC_VBUS 寄存器
15141312111098
ADC_VBUS
R-0h
76543210
ADC_VBUS
R-0h
表 7-25 REG0x23_ADC_VBUS 寄存器字段说明
位字段类型复位注释说明
15-0ADC_VBUSR0h复位方式：
REG_RESET		VBUS ADC 读数：
（注意：在转换器启动之前插入 VBUS 时，VBUS ADC 通道应执行一次以读取空载 VBUS 电压并将值保存到 ADC_VBUS() 中）POR：0mV (0h)
格式：二进制补码
范围：0mV-65534mV (0h-7FFFh)
钳位至低电平
位步长：2mV

7.6.13 REG0x24_ADC_IBAT 寄存器（地址 = 24h）[复位 = 0000h]

图 7-26 展示了 REG0x24_ADC_IBAT，表 7-26 中对此进行了介绍。

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图 7-26 REG0x24_ADC_IBAT 寄存器
15141312111098
ADC_IBAT
R-0h
76543210
ADC_IBAT
R-0h
表 7-26 REG0x24_ADC_IBAT 寄存器字段说明
位字段类型复位注释说明
15-0ADC_IBATR0h复位方式：
REG_RESET		使用 5mΩ 检测电阻时的 IBAT ADC 读数：请注意，充电器仅在仅电池模式或 OTG 模式下测量放电电流（负电压），仅在插入有效适配器后测量充电电流（正电压）POR：0mA (0h)
格式：二进制补码
范围：-32768mA-32767mA (8000h-7FFFh)
位步长：1mA

7.6.14 REG0x25_ADC_IIN 寄存器（地址 = 25h）[复位 = 0000h]

图 7-27 展示了 REG0x25_ADC_IIN，表 7-27 中对此进行了介绍。

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图 7-27 REG0x25_ADC_IIN 寄存器
15141312111098
ADC_IIN
R-0h
76543210
ADC_IIN
R-0h
表 7-27 REG0x25_ADC_IIN 寄存器字段说明
位字段类型复位注释说明
15-0ADC_IINR0h复位方式：
REG_RESET		使用 10mΩ 检测电阻时的 IIN ADC 读数：从适配器流向转换器的电流（与正向模式相同）表示为正，流向适配器的电流（与 OTG 模式相同）为负。POR：0mA (0h)
格式：二进制补码
范围：-16384mA-16383.5mA (8000h-7FFFh)
位步长：0.5mA

7.6.15 REG0x26_ADC_VSYS 寄存器（地址 = 26h）[复位 = 0000h]

图 7-28 展示了 REG0x26_ADC_VSYS，表 7-28 中对此进行了介绍。

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图 7-28 REG0x26_ADC_VSYS 寄存器
15141312111098
ADC_VSYS
R-0h
76543210
ADC_VSYS
R-0h
表 7-28 REG0x26_ADC_VSYS 寄存器字段说明
位字段类型复位注释说明
15-0ADC_VSYSR0h复位方式：
REG_RESET		VSYS ADC 读数：POR：0mV (0h)
格式：二进制补码
范围：0mV-65534mV (0h-7FFFh)
钳位至低电平
位步长：2mV

7.6.16 REG0x27_ADC_VBAT 寄存器（地址 = 27h）[复位 = 0000h]

图 7-29 展示了 REG0x27_ADC_VBAT，表 7-29 中对此进行了介绍。

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图 7-29 REG0x27_ADC_VBAT 寄存器
15141312111098
ADC_VBAT
R-0h
76543210
ADC_VBAT
R-0h
表 7-29 REG0x27_ADC_VBAT 寄存器字段说明
位字段类型复位注释说明
15-0ADC_VBATR0h复位方式：
REG_RESET		VBAT ADC 读数：POR：0mV (0h)
格式：二进制补码
范围：0mV-32767mV (0h-7FFFh)
钳位至低电平
位步长：1mV

7.6.17 REG0x28_ADC_PSYS 寄存器（地址 = 28h）[复位 = 0000h]

图 7-30 展示了 REG0x28_ADC_PSYS，表 7-30 中对此进行了介绍。

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图 7-30 REG0x28_ADC_PSYS 寄存器
15141312111098
ADC_PSYS
R-0h
76543210
ADC_PSYS
R-0h
表 7-30 REG0x28_ADC_PSYS 寄存器字段说明
位字段类型复位注释说明
15-0ADC_PSYSR0h钳位在 3.2V
复位方式：
REG_RESET		系统电源 PSYS ADC 读数：POR：0mV (0h)
范围：0mV-8191mV (0h-1FFFh)
钳位至高电平
位步长： 1mV

7.6.18 REG0x29_ADC_CMPIN_TR 寄存器（地址 = 29h）[复位 = 0000h]

图 7-31 展示了 REG0x29_ADC_CMPIN_TR，表 7-31 中对此进行了介绍。

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图 7-31 REG0x29_ADC_CMPIN_TR 寄存器
15141312111098
ADC_CMPIN_TR
R-0h
76543210
ADC_CMPIN_TR
R-0h
表 7-31 REG0x29_ADC_CMPIN_TR 寄存器字段说明
位字段类型复位注释说明
15-0ADC_CMPIN_TRR0h引脚绝对最大值 = 5.5V
复位方式：
REG_RESET		CMPIN_TR 引脚电压 ADC 读数：POR：0mV (0h)
范围：0mV-8191mV (0h-1FFFh)
钳位至高电平
位步长：1mV

7.6.19 REG0x30_ChargeOption1 寄存器（地址 = 30h）[复位 = 3201h]

图 7-32 展示了 REG0x30_ChargeOption1，表 7-32 中对此进行了介绍。

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图 7-32 REG0x30_ChargeOption1 寄存器
15141312111098
EN_IBATEN_LWPWR_CMPPSYS_CONFIGRSNS_RACRSNS_RSRPSYS_RATIOEN_OTG_BIG_CAP
R/W-0hR/W-0hR/W-3hR/W-0hR/W-0hR/W-1hR/W-0h
76543210
SYSOVP_MAXCMP_POLCMP_DEGFRC_CONV_OFFEN_PTMEN_SHIP_DCHGEN_SC_VBUSACP
R/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-1h
表 7-32 REG0x30_ChargeOption1 寄存器字段说明
位字段类型复位注释说明
15EN_IBATR/W0h复位方式：
REG_RESET		IBAT 使能
启用 IBAT 输出缓冲器。在低功耗模式 (EN_LWPWR=1b) 下，
无论该位值如何，IBAT 缓冲器始终处于禁用状态。0b = 禁用
1b = 启用
14EN_LWPWR_CMPR/W0h复位方式：
REG_RESET		独立比较器使能
在仅电池低功耗模式 (EN_LWPWR=1b) 下启用独立比较器0b = 禁用
1b = 启用
13-12PSYS_CONFIGR/W3h复位方式：
REG_RESET		PSYS 使能和定义寄存器
启用 PSYS 检测电路和输出缓冲器（整个 PSYS 电路）。在低功耗模式 (EN_LWPWR=1b) 下，无论该位值如何，PSYS 检测和缓冲器始终处于禁用状态。00b = PBUS+PBAT
01b = PBUS
10b = 保留
11b = 关闭
11RSNS_RACR/W0h复位方式：
REG_RESET		输入检测电阻 RAC。不建议在 IINDPM/IOTG 调节期间更改此值：在插入适配器的情况下：在转换器以轻负载启动后且启用充电前立即进行更改。
在仅电池模式下：在 EN_OTG 引脚上拉之前进行更改。0b = 10mΩ
1b = 5mΩ
10RSNS_RSRR/W0h复位方式：
REG_RESET		充电检测电阻 RSR。不建议在 ICHG/IPRECHG/BATFET_CLAMP1/BATFET_CLAMP2/BAT_SHORT 调节期间更改此值：
在插入适配器的情况下：在转换器以轻负载启动后且启用充电前立即进行更改。
在仅电池模式下：在 EN_OTG 引脚上拉之前进行更改。0b = 5mΩ
1b = 2mΩ
9PSYS_RATIOR/W1h复位方式：
REG_RESET		PSYS 增益
PSYS 输出电流与总输入和电池功率之比。0b = 0p25uAperW
1b = 1p00uAperW
8EN_OTG_BIG_CAPR/W0h复位方式：
REG_RESET		VBUS 有效电容大于 60uF 时
启用 OTG 补偿0b = 禁用 OTG 大型 VBUS 电容补偿
（建议在 VBUS 有效电容小于 60uF 有效电容时设置为此值）
1b = 启用 OTG 大型 VBUS 电容补偿
（建议在 VBUS 有效电容大于 60uF 有效电容时设置为此值）
7SYSOVP_MAXR/W0h复位方式：
REG_RESET		将 SYSOVP 保护阈值强制设置为 27V，忽略 CELL_BATPRES 引脚配置0b = 禁用
1b = 启用
6CMP_POLR/W0h复位方式：
REG_RESET		独立比较器输出极性0b = 当 CMPIN_TR 高于内部阈值时，CMPOUT 处于低电平
（内部迟滞）
1b = 当 CMPIN_TR 低于内部阈值时，CMPOUT 处于低电平
（外部迟滞）
5-4CMP_DEGR/W0h复位方式：
REG_RESET		独立比较器抗尖峰脉冲时间，仅适用于 CMPOUT 的
下降沿（高电平到低电平）。00b = 1us（未处于仅电池低功耗模式）/40us（仅电池低功耗模式）01b = 2.05ms~2.73ms
10b = 20.85ms~27.31ms
11b = 5.34s~6.99s
3FRC_CONV_OFFR/W0h复位方式：
REG_RESET		强制电源路径关闭
当触发独立比较器时，充电器会关闭 Q1 和 Q4
（与禁用转换器相同），从而使系统与输入源断开连接。
同时，CHRG_OK 信号变为低电平以通知系统。此设置应该在插入交流电源的正向模式下或仅电池性能模式下有效。FRC_CONV_OFF 和 CMP_EN 都应为 1b 才能启用此功能。EN_LWPWR、EN_LWPWR_CMP 无需为高电平，这些字段在仅电池低功耗模式下使用。0b = 禁用
1b = 启用
2EN_PTMR/W0h复位方式：
REG_RESET		PTM 使能寄存器位，它将自动复位为零0b = 禁用
1b = 启用
1EN_SHIP_DCHGR/W0h复位方式：
REG_RESET		在运输模式下使 SRN 放电
用于使 SRN 引脚电容器电压放电，这是电池电量监测计器件运输模式所必需的。当该位为 1 时，在 340ms 内使 SRN 引脚放电，并使大约 20mA 电流流过 VSYS 引脚。当 340ms 结束时，该位自动复位为 0。如果在 340ms 到期之前由主机将此位写入为 0b，则 VSYS 引脚应立即停止放电。当 SRN 放电至 0V 后，放电电流将自动关断，以便消除 SRN 引脚上的任何负电压。请注意，如果在 340ms 之后的 SRN 电压仍然不足以使电池电量监测计器件进入运输模式，则主机可能需要再次将此位写入为 1b 以启动新的 340ms 放电周期。0b = 禁用
1b = 启用
0EN_SC_VBUSACPR/W1h复位方式：
REG_RESET		SC_VBUSACP 保护使能寄存器位0b = 禁用
1b = 启用

7.6.20 REG0x31_ChargeOption2 寄存器（地址 = 31h）[复位 = 00B7h]

图 7-33 展示了 REG0x31_ChargeOption2，表 7-33 中对此进行了介绍。

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图 7-33 REG0x31_ChargeOption2 寄存器
15141312111098
PKPWR_TOVLD_DEGEN_PKPWR_IIN_DPMEN_PKPWR_VSYSSTAT_PKPWR_OVLDSTAT_PKPWR_RELAXPKPWR_TMAX
R/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
76543210
EN_EXTILIMEN_ICHG_IDCHGOCP_SW2_HIGH_RANGEOCP_SW1X_HIGH_RANGEEN_ACOCACOC_VTHEN_BATDOCBATDOC_VTH
R/W-1hR/W-0hR/W-1hR/W-1hR/W-0hR/W-1hR/W-1hR/W-1h
表 7-33 REG0x31_ChargeOption2 寄存器字段说明
位字段类型复位注释说明
15-14PKPWR_TOVLD_DEGR/W0h复位方式：
REG_RESET		峰值功率模式下的输入过载时间00b = 1ms
01b = 2ms
10b = 5ms
11b = 10ms
13EN_PKPWR_IIN_DPMR/W0h复位方式：
REG_RESET		启用由输入电流过冲触发的峰值功率模式。如果 EN_PKPWR_IIN_DPM 和 EN_PKPWR_VSYS 为 0b，则禁用峰值功率模式。移除适配器后，该位复位为 0b。0b = 禁用
1b = 启用
12EN_PKPWR_VSYSR/W0h复位方式：
REG_RESET		启用由系统电压下冲触发的峰值功率模式。如果 EN_PKPWR_IIN_DPM 和 EN_PKPWR_VSYS 为 0b，则禁用峰值功率模式。移除适配器后，该位复位为 0b。0b = 禁用
1b = 启用
11STAT_PKPWR_OVLDR/W0h复位方式：
REG_RESET		指示器件处于过载周期。写入 0 以退出
过载周期。0b = 未处于峰值
1b = 处于峰值
10STAT_PKPWR_RELAXR/W0h复位方式：
REG_RESET		指示器件处于弛豫周期。写入 0 以退出弛豫周期。0b = 未处于弛豫周期
1b = 处于弛豫周期
9-8PKPWR_TMAXR/W0h复位方式：
REG_RESET		峰值功率模式过载和弛豫周期时间。00b = 20ms
01b = 40ms
10b = 80ms
11b = 1s
7EN_EXTILIMR/W1h复位方式：
REG_RESET		启用 ILIM_HIZ 引脚以设置输入电流限制0b = 禁用（输入电流限制由 IIN_HOST() 设置）
1b = 启用（输入电流限制由 ILIM_HIZ 引脚和 IIN_HOST() 的较低值设置）
6EN_ICHG_IDCHGR/W0h复位方式：
REG_RESET		IBAT 引脚监控放电电流和充电电流选择0b = IBAT 引脚作为放电电流
1b = IBAT 引脚作为充电电流
5OCP_SW2_HIGH_RANGER/W1h复位方式：
REG_RESET		通过检测 Q4 VDS 来确定过流保护阈值。当此故障持续触发 1 个开关周期时，转换器将锁闭。要重新启用转换器，需要将 EN_HIZ 位从 0 切换为 1，然后切换回 0。0b = 150mV
1b = 260mV
4OCP_SW1X_HIGH_RANGER/W1h复位方式：
REG_RESET		通过检测 RAC 电阻上的电压来确定提供过流保护阈值。当此故障持续触发 1 个开关周期时，转换器将锁闭。要重新启用转换器，需要将 EN_HIZ 位从 0 切换为 1，然后切换回 0。0b = 对于 Q1_A 和 Q1_B 为 300mV（在 VSYS_UVP 下为 150mV）
1b = 对于 Q1_A 和 Q1_B 为 450mV（在 VSYS_UVP 下为 300mV）
3EN_ACOCR/W0h复位方式：
REG_RESET		ACOC 使能
通过检测 ACP_A 和 ACN_A 上的电压以及 ACP_B 和 ACN_B 上的电压来启用输入过流 (ACOC) 保护。在 ACOC 时（经过 250µs 消隐时间后），转换器被禁用。0b = 禁用
1b = 启用
2ACOC_VTHR/W1h复位方式：
REG_RESET		ACOC 限制
将 ACOC 阈值设置为 ILIM2_VTH（具有从 RAC 检测到的电流）的百分比。0b = 1.33
1b = 2
1EN_BATDOCR/W1h复位方式：
REG_RESET		BATDOC 使能
通过检测 SRN 和 SRP 上的电压实现电池放电过流 (BATDOC) 保护。在 BATDOC 时，转换器被禁用。0b = 禁用
1b = 启用
0BATDOC_VTHR/W1h复位方式：
REG_RESET		将电池放电过流阈值设置为 PROCHOT
电池放电电流限制的百分比。0b = 2
1b = 3

7.6.21 REG0x32_ChargeOption3 寄存器（地址 = 32h）[复位 = 0534h]

图 7-34 展示了 REG0x32_ChargeOption3，表 7-34 中对此进行了介绍。

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图 7-34 REG0x32_ChargeOption3 寄存器
15141312111098
EN_HIZREG_RESETDETECT_VINDPMEN_OTGEN_ICO_MODEEN_PORT_CTRLEN_VSYS_MIN_SOFT_SR
R/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-1hR/W-1h
76543210
BATFET_ENZRESERVEDOTG_VAP_MODEIL_AVGCMP_ENBATFETOFF_HIZPSYS_OTG_IDCHG
R/W-0hR-0hR/W-1hR/W-2hR/W-1hR/W-0hR/W-0h
表 7-34 REG0x32_ChargeOption3 寄存器字段说明
位字段类型复位注释说明
15EN_HIZR/W0h复位方式：
REG_RESET		器件高阻态模式使能
当充电器处于高阻态模式时，器件消耗的静态电流最小。且 VBUS 高于 UVLO。REGN LDO 保持开启状态，系统由电池供电。0b = 禁用
1b = 启用
14REG_RESETR/W0h复位方式：
REG_RESET		复位寄存器
所有 R/W 和 R 寄存器都恢复到默认设置，但以下各项除外：CHRG_STAT、MODE_STAT、HIDRV1_STAT、LODRV1_STAT、HIDRV2_STAT、LODRV2_STAT、PWM_FREQ0b = 空闲
1b = 复位
13DETECT_VINDPMR/W0h复位方式：
REG_RESET		根据 VBUS 测量结果减去 1.28V 来设置 VINDPM 阈值，需禁用转换器才能测量 VBUS。完成 VBUS 测量后，VINDPM() 中将写入值 VBUS-1.28V。然后，该位恢复为 0，转换器启动。0b = 空闲
1b = 测量 VIN，将 VIN-1.28V 写入 VINDPM
12EN_OTGR/W0h复位方式：
REG_RESET
看门狗		OTG 模式使能
当 EN_OTG 引脚为高电平时，在 OTG 模式下启用器件。0b = 禁用
1b = 启用
11EN_ICO_MODER/W0h复位方式：
REG_RESET		启用 ICO 算法0b = 禁用
1b = 启用
10EN_PORT_CTRLR/W1h复位方式：
REG_RESET		为双端口应用启用 BATFET 控制：0b = 通过高阻态 BATDRV 引脚禁用 BATFET 控制
1b = 通过处于活动状态的 BATDRV 引脚启用 BATFET 控制
9-8EN_VSYS_MIN_SOFT_SRR/W1h复位方式：
REG_RESET		适用于 VSYS_MIN 升压转换的 VSYS_MIN 软压摆率控制。注意降压不需要软转换。00b = 禁用
01b = 6.25mV/us
10b = 3.125mV/us
11b = 1.5625mV/us
7BATFET_ENZR/W0h复位方式：
REG_RESET		在仅电池低功耗模式下关断 BATFET。当不处于诸如 OTG 之类的低功耗模式或插入了交流电时，该位配置会被忽略且无效。0b = 不强制关断 BATFET
1b = 强制关断 BATFET
6RESERVEDR0h 保留
5OTG_VAP_MODER/W1h复位方式：
REG_RESET		外部 EN_OTG 引脚控制的选择。0b = VAP 模式
1b = OTG 模式
4-3IL_AVGR/W2h复位方式：
REG_RESET		4 级电感器平均电流钳位。00b = 10A
01b = 18A
10b = 24A
11b = 禁用（内部 30A 限制）
2CMP_ENR/W1h复位方式：
REG_RESET		启用具有有效低电平的独立比较器。0b = 禁用
1b = 启用
1BATFETOFF_HIZR/W0h复位方式：
REG_RESET		在高阻态模式期间关断 BATFET。0b = 开
1b = 关
0PSYS_OTG_IDCHGR/W0h复位方式：
REG_RESET		OTG 模式期间的 PSYS 定义。0b = PSYS 作为电池放电功率减去 OTG 输出功率
1b = PSYS 仅作为电池放电功率

7.6.22 REG0x33_ProchotOption0_Register（地址 = 33h）[复位 = 4A39h]

图 7-35 展示了 REG0x33_ProchotOption0_Register，表 7-35 中对此进行了介绍。

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图 7-35 REG0x33_ProchotOption0_Register
15141312111098
ILIM2_VTHICRIT_DEGPROCHOT_VINDPM_80_90
R/W-9hR/W-1hR/W-0h
76543210
VSYS_TH1INOM_DEGLOWER_PROCHOT_VINDPM
R/W-EhR/W-0hR/W-1h
表 7-35 REG0x33_ProchotOption0_Register 字段说明
位字段类型复位注释说明
15-11ILIM2_VTHR/W9h在此处添加说明
复位方式：
REG_RESET		ILIM2 阈值00000b = OutOfRange_0x00
00001b = 110_percent
00010b = 115_percent
00011b = 120_percent
00100b = 125_percent
00101b = 130_percent
00110b = 135_percent
00111b = 140_percent
01000b = 145_percent
01001b = 150_percent
01010b = 155_percent
01011b = 160_percent
01100b = 165_percent
01101b = 170_percent
01110b = 175_percent
01111b = 180_percent
10000b = 185_percent
10001b = 190_percent
10010b = 195_percent
10011b = 200_percent
10100b = 205_percent
10101b = 210_percent
10110b = 215_percent
10111b = 220_percent
11000b = 225_percent
11001b = 230_percent
11010b = 250_percent
11011b = 300_percent
11100b = 350_percent
11101b = 400_percent
11110b = 450_percent
11111b = OutOfRange_0x1F
10-9ICRIT_DEGR/W1h复位方式：
REG_RESET		触发 PROCHOT 的 ICRIT 抗尖峰脉冲时间00b = 12us（最小值）/14.5us（典型值）/17us（最大值）
01b = 93us（最小值）/111us（典型值）/129us（最大值）
10b = 372us（最小值）/443us（典型值）/513us（最大值）
11b = 745us（最小值）/873us（典型值）/1000us（最大值）
8PROCHOT_VINDPM_80_90R/W0h复位方式：
REG_RESET		PROCHOT_VINDPM 比较器的下限阈值。
当 LOWER_PROCHOT_VINDPM=1 时，PROCHOT_VINDPM 的阈值由该设置决定。0b = VINDPM 的 83%
1b = VINDPM 的 91%
7-2VSYS_TH1R/WEh复位方式：
REG_RESET		VAP 模式下用于触发 VBUS 放电的 VSYS 阈值。POR：6400mV (Eh)
范围：5000mV-11300mV (0h-3Fh)
位步长：100mV
偏移：5000mV
1INOM_DEGR/W0h复位方式：
REG_RESET		INOM 抗尖峰脉冲时间0b = 0.84ms（最小值）/0.988ms（典型值）/1.14ms（最大值）
1b = 54ms（最小值）/64ms（典型值）/73ms（最大值）
0LOWER_PROCHOT_VINDPMR/W1h复位方式：
REG_RESET		启用 PROCHOT_VINDPM 比较器的下限阈值：0b = PROCHOT_VINDPM 遵循 VINDPM REG0x3D 设置
1b = PROCHOT_VINDPM 降低并由 PROCHOT_VINDPM_80_90 位设置确定

7.6.23 REG0x34_ProchotOption1 寄存器（地址 = 34h）[复位 = 41A0h]

图 7-36 展示了 REG0x34_ProchotOption1，表 7-36 中对此进行了介绍。

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图 7-36 REG0x34_ProchotOption1 寄存器
15141312111098
IDCHG_TH1IDCHG_DEG1
R/W-10hR/W-1h
76543210
PP_VINDPMPP_CMPPP_ICRITPP_INOMPP_IDCHG1PP_VSYSPP_BATPRESPP_ACOK
R/W-1hR/W-0hR/W-1hR/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
表 7-36 REG0x34_ProchotOption1 寄存器字段说明
位字段类型复位注释说明
15-10IDCHG_TH1R/W10h复位方式：
REG_RESET		IDCHG 1 级阈值
6 位，范围 1500A 至 33A (5mΩ RSR)，步长 500mA。所有代码都存在 1500mA 偏移
测量 SRN 和 SRP 之间的电流。
当放电电流高于阈值时触发。
如果该值编程为 000000b，则始终会触发 PROCHOT。
默认值：9500mA 或 010000bPOR：9500mA (10h)
范围：1500mA-33000mA (0h-3Fh)
位步长：500mA
偏移：1500mA
9-8IDCHG_DEG1R/W1h复位方式：
REG_RESET		IDCHG 抗尖峰脉冲时间00b = 69ms（最小值）/78ms（典型值）/93.6ms（最大值）
01b = 1.1sec（最小值）/1.25sec（典型值）/1.4sec（最大值）
10b = 4.4sec（最小值）/5sec（典型值）/5.6ms（最大值）
11b = 17.5sec（最小值）/20sec（典型值）/22.3sec（最大值）
7PP_VINDPMR/W1h复位方式：
REG_RESET		VINDPM PROCHOT 配置使能0b = 禁用
1b = 启用
6PP_CMPR/W0h复位方式：
REG_RESET		COMP PROCHOT 配置使能0b = 禁用
1b = 启用
5PP_ICRITR/W1h复位方式：
REG_RESET		ICRIT PROCHOT 配置使能0b = 禁用
1b = 启用
4PP_INOMR/W0h复位方式：
REG_RESET		INOM PROCHOT 配置使能0b = 禁用
1b = 启用
3PP_IDCHG1R/W0h复位方式：
REG_RESET		IDCHG1 PROCHOT 配置使能0b = 禁用
1b = 启用
2PP_VSYSR/W0h复位方式：
REG_RESET		VSYS PROCHOT 配置使能0b = 禁用
1b = 启用
1PP_BATPRESR/W0h复位方式：
REG_RESET		电池移除 PROCHOT 配置使能
如果移除电池后在 PROCHOT 中启用了 PP_BATPRES，它将立即发出一次性 PROCHOT 脉冲。0b = 禁用
1b = 启用
0PP_ACOKR/W0h复位方式：
REG_RESET		适配器移除 PROCHOT 配置使能。
如果移除适配器后在 PROCHOT 中启用了 PP_ACOK，则会将其拉至低电平。0b = 禁用
1b = 启用

7.6.24 REG0x35_ADCOption 寄存器（地址 = 35h）[复位 = 9000h]

图 7-37 展示了 REG0x35_ADCOption，表 7-37 中对此进行了介绍。

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图 7-37 REG0x35_ADCOption 寄存器
15141312111098
ADC_RATEADC_ENADC_SAMPLEADC_AVGADC_AVG_INITRESERVED
R/W-1hR/W-0hR/W-1hR/W-0hR/W-0hR-0h
76543210
EN_ADC_CMPINEN_ADC_VBUSEN_ADC_PSYSEN_ADC_IINRESERVEDEN_ADC_IBATEN_ADC_VSYSEN_ADC_VBAT
R/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0hR-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
表 7-37 REG0x35_ADCOption 寄存器字段说明
位字段类型复位注释说明
15ADC_RATER/W1h复位方式：
REG_RESET		ADC 转换类型选择
典型的转换时间由分辨率精度决定。0b = 连续更新。循环无中断地对 ADC 寄存器执行一组转换更新。整个组的总周期由 ADC 通道启用计数乘以每个通道的转换时间（该时间取决于 ADC_SAMPLE 设置）决定。
1b = 一次性更新。在 ADC_START =1 后，对 ADC 寄存器执行
一组转换更新。整个组的总周期由 ADC 通道启用计数乘以每个通道的转换时间（该时间取决于 ADC_SAMPLE 设置）决定。
14ADC_ENR/W0h复位方式：
REG_RESET
看门狗		ADC 转换使能命令。
在一次性 ADC 配置 ADC_RATE=0b 下，一次性更新完成后，
该位自动复位为零0b = 空闲
1b = 启动
13-12ADC_SAMPLER/W1h复位方式：
REG_RESET		ADC 采样分辨率选择，每个通道转换时间也根据分辨率来确定。00b = 15 位有效分辨率（每个通道的转换时间为 24ms）
01b = 14 位有效分辨率（每个通道的转换时间为 12ms）
10b = 13 位有效分辨率（每个通道的转换时间为 6ms）
11b = 保留
11ADC_AVGR/W0h复位方式：
REG_RESET		ADC 平均值控制0b = 单个值
1b = 运行平均值
10ADC_AVG_INITR/W0h复位方式：
REG_RESET		ADC 平均初始值控制0b = 使用现有寄存器值开始计算平均值
1b = 使用新的 ADC 转换开始计算平均值
9-8RESERVEDR0h 保留
7EN_ADC_CMPINR/W0h复位方式：
REG_RESET		启用 CMPIN_TR 引脚电压 ADC 通道0b = 禁用
1b = 启用
6EN_ADC_VBUSR/W0h复位方式：
REG_RESET		启用 VBUS 引脚电压 ADC 通道0b = 禁用
1b = 启用
5EN_ADC_PSYSR/W0h复位方式：
REG_RESET		启用 PSYS 引脚电压 ADC 通道0b = 禁用
1b = 启用
4EN_ADC_IINR/W0h复位方式：
REG_RESET		启用 IIN ADC 通道0b = 禁用
1b = 启用
3RESERVEDR0h 保留
2EN_ADC_IBATR/W0h复位方式：
REG_RESET		启用 ICHG ADC 通道0b = 禁用
1b = 启用
1EN_ADC_VSYSR/W0h复位方式：
REG_RESET		启用 VSYS 引脚电压 ADC 通道0b = 禁用
1b = 启用
0EN_ADC_VBATR/W0h复位方式：
REG_RESET		启用 SRN 引脚电压 ADC 通道0b = 禁用
1b = 启用

7.6.25 REG0x36_ChargeOption4 寄存器（地址 = 36h）[复位 = 0048h]

图 7-38 展示了 REG0x36_ChargeOption4，表 7-38 中对此进行了介绍。

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图 7-38 REG0x36_ChargeOption4 寄存器
15141312111098
VSYS_UVPEN_DITHERVSYS_UVP_NO_HICCUPPP_VBUS_VAPSTAT_VBUS_VAP
R/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0hR-0h
76543210
IDCHG_DEG2IDCHG_TH2PP_IDCHG2STAT_IDCHG2STAT_PTM
R/W-1hR/W-1hR/W-0hR-0hR-0h
表 7-38 REG0x36_ChargeOption4 寄存器字段说明
位字段类型复位注释说明
15-13VSYS_UVPR/W0h复位方式：
REG_RESET		VSYS 欠压锁定，在触发 UVP 后，充电器进入断续模式，
如果在 90 秒内重启失败 7 次，充电器将锁闭。
通过设置 VSYS_UVP_NO_HICCUP = 1b
可禁用 UVP 期间的断续模式。000b = 2.4V
001b = 3.2V
010b = 4.0V
011b = 4.8V
100b = 5.6V
101b = 6.4V
110b = 7.2V
111b = 8.0V
12-11EN_DITHERR/W0h复位方式：
REG_RESET		频率抖动配置00b = 禁用
01b = 1X
10b = 2X
11b = 3X
10VSYS_UVP_NO_HICCUPR/W0h复位方式：
REG_RESET		禁用 VSYS_UVP 断续模式运行：0b = 启用断续模式
1b = 禁用断续模式
9PP_VBUS_VAPR/W0h复位方式：
REG_RESET		启用 VBUS_VAP PROCHOT 配置0b = 禁用
1b = 启用
8STAT_VBUS_VAPR0h复位方式：
REG_RESET		STAT_VBUS_VAP0b = 未触发
1b = 已触发
7-6IDCHG_DEG2R/W1h复位方式：
REG_RESET		电池放电电流限制 2 抗尖峰脉冲时间00b = 81us（最小值）/98us（典型值）/115us（最大值）
01b = 1.3ms（最小值）/1.55ms（典型值）/1.8ms（最大值）
10b = 5.2ms（最小值）/6.25ms（典型值）/7.3ms（最大值）
11b = 10.4ms（最小值）/12.5ms（典型值）/14.6ms（最大值）
5-3IDCHG_TH2R/W1h复位方式：
REG_RESET		基于 IDCHG_TH1 百分比的电池放电电流限制 2。请注意，如果 IDCHG_TH2 设置值高于 40A，则目标值和 40A 之间的精度会降低。000b = 125%*IDCHG_TH1
001b = 150%*IDCHG_TH1
010b = 175%*IDCHG_TH1
011b = 200%*IDCHG_TH1
100b = 250%*IDCHG_TH1
101b = 300%*IDCHG_TH1
110b = 350%*IDCHG_TH1
111b = 400%*IDCHG_TH1
2PP_IDCHG2R/W0h复位方式：
REG_RESET		启用 IDCHG_TH2 PROCHOT 配置0b = 禁用
1b = 启用
1STAT_IDCHG2R0h复位方式：
REG_RESET		状态将锁存直到从主机读取。0b = 未触发
1b = 已触发
0STAT_PTMR0h复位方式：
REG_RESET		PTM 运行状态位监控器0b = 未活动状态
1b = 活动状态

7.6.26 REG0x37_Vmin_Active_Protection 寄存器（地址 = 37h）[复位 = 0024h]

图 7-39 展示了 REG0x37_Vmin_Active_Protection，表 7-39 中对此进行了介绍。

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图 7-39 REG0x37_Vmin_Active_Protection 寄存器
15141312111098
VBUS_VAP_THDIS_BATOVP_20MA
R/W-0hR/W-0h
76543210
VSYS_TH2EN_VSYSTH2_FOLLOW_VSYSTH1EN_FRS
R/W-9hR/W-0hR/W-0h
表 7-39 REG0x37_Vmin_Active_Protection 寄存器字段说明
位字段类型复位注释说明
15-9VBUS_VAP_THR/W0h复位方式：
REG_RESET		VAP 模式 2 VBUS /PROCHOT 触发电压阈值POR：3200mV (0h)
范围：3200mV-15900mV (0h-7Fh)
位步长：100mV
偏移：3200mV
8DIS_BATOVP_20MAR/W0h复位方式：
REG_RESET		禁用通过 VSYS 引脚的 BATOVP 20mA 放电电流0b = 在 BATOVP 下进行 20mA 放电
1b = 在 BATOVP 下不进行 20mA 放电
7-2VSYS_TH2R/W9h复位方式：
REG_RESET		VAP 模式 2 VBUS /PROCHOT 触发电压阈值POR：5900mV (9h)
范围：5000mV-11300mV (0h-3Fh)
位步长：100mV
偏移：5000mV
1EN_VSYSTH2_FOLLOW_VSYSTH1R/W0h复位方式：
REG_RESET		启用内部 VSYS_TH2，遵循 VSYS_TH1 设置，忽略寄存器 VSYS_TH2 设置0b = 禁用
1b = 启用
0EN_FRSR/W0h复位方式：
REG_RESET		快速角色交换功能使能0b = 禁用
1b = 启用

7.6.27 REG0x3B_OTG_VOLTAGE 寄存器（地址 = 3Bh）[复位 = 03E8h]

图 7-40 展示了 REG0x3B_OTG_VOLTAGE，表 7-40 中对此进行了介绍。

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图 7-40 REG0x3B_OTG_VOLTAGE 寄存器
15141312111098
RESERVEDOTG_VOLTAGE
R-0hR/W-FAh
76543210
OTG_VOLTAGERESERVED
R/W-FAhR-0h
表 7-40 REG0x3B_OTG_VOLTAGE 寄存器字段说明
位字段类型复位注释说明
15-13RESERVEDR0h 保留
12-2OTG_VOLTAGER/WFAh复位方式：
REG_RESET		OTG 输出电压调节：
注意：写入超过钳位高电平/低电平的值实际上会将寄存器设置为钳位高电平/低电平值。POR：5000mV (FAh)
范围：3000mV-5000mV (96h-FAh)
钳位至低电平
钳位至高电平
位步长：20mV
1-0RESERVEDR0h 保留

7.6.28 REG0x3C_OTG_CURRENT 寄存器（地址 = 3Ch）[复位 = 01E0h]

图 7-41 展示了 REG0x3C_OTG_CURRENT，表 7-41 中对此进行了介绍。

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图 7-41 REG0x3C_OTG_CURRENT 寄存器
15141312111098
RESERVEDOTG_CURRENT
R-0hR/W-78h
76543210
OTG_CURRENTRESERVED
R/W-78hR-0h
表 7-41 REG0x3C_OTG_CURRENT 寄存器字段说明
位字段类型复位注释说明
15-11RESERVEDR0h 保留
10-2OTG_CURRENTR/W78h复位方式：
REG_RESET		使用 10mΩ RAC 电流检测功能时的 OTG 输出电流限制：
注意：写入超过钳位高电平/低电平的值实际上会将寄存器设置为钳位高电平/低电平值。POR：3000mA (78h)
范围：100mA-3000mA (4h-78h)
钳位至低电平
钳位至高电平
位步长：25mA
1-0RESERVEDR0h 保留

7.6.29 REG0x3D_VINDPM 寄存器（地址 = 3Dh）[复位 = 0280h]

图 7-42 展示了 REG0x3D_VINDPM，表 7-42 中对此进行了介绍。

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图 7-42 REG0x3D_VINDPM 寄存器
15141312111098
RESERVEDVINDPM
R-0hR/W-A0h
76543210
VINDPMRESERVED
R/W-A0hR-0h
表 7-42 REG0x3D_VINDPM 寄存器字段说明
位字段类型复位注释说明
15-13RESERVEDR0h 保留
12-2VINDPMR/WA0h复位方式：
REG_RESET		输入电压限制：
注意：写入超过钳位高电平/低电平的值实际上会将寄存器设置为钳位高电平/低电平值。POR：3200mV (A0h)
范围：3200mV-27000mV (A0h-546h)
钳位至低电平
钳位至高电平
位步长：20mV
1-0RESERVEDR0h 保留

7.6.30 REG0x3E_VSYS_MIN 寄存器（地址 = 3Eh）[复位 = 0528h]

图 7-43 展示了 REG0x3E_VSYS_MIN，表 7-43 中对此进行了介绍。

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图 7-43 REG0x3E_VSYS_MIN 寄存器
15141312111098
RESERVEDVSYS_MIN
R-0hR/W-528h
76543210
VSYS_MIN
R/W-528h
表 7-43 REG0x3E_VSYS_MIN 寄存器字段说明
位字段类型复位注释说明
15-13RESERVEDR0h 保留
12-0VSYS_MINR/W528h复位方式：
REG_RESET		最低系统电压配置寄存器
注意：写入超过钳位高电平/低电平的值实际上会将寄存器设置为钳位高电平/低电平值。POR：6600mV (528h)
范围：5000mV-21000mV (3E8h-1068h)
钳位至低电平
钳位至高电平
位步长：5mV
模式：2s
6600mV模式：3s
9200mV
POR：9200mV (730h)模式：4s
12300mV
POR：12300mV (99Ch)模式：5s
15400mV
POR：15400mV (C08h)

7.6.31 REG0x3F_IIN_HOST 寄存器（地址 = 3Fh）[复位 = 0320h]

图 7-44 展示了 REG0x3F_IIN_HOST，表 7-44 中对此进行了介绍。

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图 7-44 REG0x3F_IIN_HOST 寄存器
15141312111098
RESERVEDIIN_HOST
R-0hR/W-C8h
76543210
IIN_HOSTRESERVED
R/W-C8hR-0h
表 7-44 REG0x3F_IIN_HOST 寄存器字段说明
位字段类型复位注释说明
15-11RESERVEDR0h 保留
10-2IIN_HOSTR/WC8h复位方式：
REG_RESET		使用 10mΩ 检测电阻时的最大输入电流限制：
注意：写入超过钳位高电平/低电平的值实际上会将寄存器设置为钳位高电平/低电平值。POR：5000mA (C8h)
范围：400mA-8200mA (10h-148h)
钳位至低电平
钳位至高电平
位步长：25mA
1-0RESERVEDR0h 保留

7.6.32 REG0x60_AUTOTUNE_READ 寄存器（地址 = 60h）[复位 = 0000h]

图 7-45 展示了 REG0x60_AUTOTUNE_READ，表 7-45 中对此进行了介绍。

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图 7-45 REG0x60_AUTOTUNE_READ 寄存器
15141312111098
AUTOTUNE_A
R-0h
76543210
AUTOTUNE_B
R-0h
表 7-45 REG0x60_AUTOTUNE_READ 寄存器字段说明
位字段类型复位注释说明
15-8AUTOTUNE_AR0h A 相电感器时间常数 L(uH)/DCR(mΩ) 值：AUTOTUNE_A = 256-265*L(uH)/DCR(mΩ)。当转换器关闭时，这些位将设置回 0。
7-0AUTOTUNE_BR0h B 相电感器时间常数 L(uH)/DCR(mΩ) 值：AUTOTUNE_A = 256-265*L(uH)/DCR(mΩ)。当转换器关闭时，这些位将设置回 0。

7.6.33 REG0x61_AUTOTUNE_FORCE 寄存器（地址 = 61h）[复位 = A8A8h]

图 7-46 展示了 REG0x61_AUTOTUNE_FORCE，表 7-46 中对此进行了介绍。

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图 7-46 REG0x61_AUTOTUNE_FORCE 寄存器
15141312111098
FORCE_AUTOTUNE_A
R/W-A8h
76543210
FORCE_AUTOTUNE_B
R/W-A8h
表 7-46 REG0x61_AUTOTUNE_FORCE 寄存器字段说明
位字段类型复位注释说明
15-8FORCE_AUTOTUNE_AR/WA8h A 相电感器时间常数强制值 L(uH)/DCR(mΩ)：FORCE_AUTOTUNE_A = 256-265*L(uH)/DCR(mΩ)。默认的 0xA8 表示 0.211uH/mΩ
7-0FORCE_AUTOTUNE_BR/WA8h B 相电感器时间常数强制值 L(uH)/DCR(mΩ)：FORCE_AUTOTUNE_B = 256-265*L(uH)/DCR(mΩ)。默认的 0xA8 表示 0.211uH/mΩ

7.6.34 REG0x62_GM_ADJUST_FORCE 寄存器（地址 = 62h）[复位 = 00C7h]

图 7-47 展示了 REG0x62_GM_ADJUST_FORCE，表 7-47 中对此进行了介绍。

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图 7-47 REG0x62_GM_ADJUST_FORCE 寄存器
15141312111098
GM_ADJUSTFORCE_UPDATERESERVED
R-0hR/W-0hR-0h
76543210
FORCE_GM_ADJUSTFORCE_GM_ADJUST_ENFORCE_AUTOTUNE_EN
R/W-31hR/W-1hR/W-1h
表 7-47 REG0x62_GM_ADJUST_FORCE 寄存器字段说明
位字段类型复位注释说明
15-10GM_ADJUSTR0h 电感器 DCR 的自动自适应调整值。当转换器关闭时，该值为 0。如果转换器开始开关并且 FORCE_GM_ADJUST_EN=1b，则 GM_ADJUST=FORCE_GM_ADJUST+1 并作为固定值。
9FORCE_UPDATER/W0h 更新 FORCE_AUTOTUNE_A、FORCE_AUTOTUNE_B、FORCE_GM_ADJUST 值，使其对电感器 DCR 电流检测有效。当该位的写入值从 0b 变为 1b 以登记新的强制值时，转换器将自动关闭并重新启动。一次性更新完成后，转换器自动恢复开关行为并将该位复位为 0b。0b = 空闲
1b = 将 FORCE_AUTOTUNE_A、FORCE_AUTOTUNE_B、FORCE_GM_ADJUST 值更新到转换器
8RESERVEDR0h 保留
7-2FORCE_GM_ADJUSTR/W31h 电感器 DCR 的强制 GM 调整值：GM_ADJUST = 71.25-272/DCR(mΩ)。默认值 0x31 表示 12.2mΩ
1FORCE_GM_ADJUST_ENR/W1h 使 FORCE_GM_ADJUST 对电感器 DCR 电流检测有效。当 FORCE_UPDATE 位的写入值从 0b 变为 1b 以更新这些强制值时，转换器将自动关闭并重新启动。当转换器因其他原因重新启动时，只要该位为 1b，转换器便会强制 GM_ADJUST = FORCE_GM_ADJUST+1 作为固定值0b = 禁用 FORCE_GM_ADJUST
1b = 启用 FORCE_GM_ADJUST
0FORCE_AUTOTUNE_ENR/W1h 使 FORCE_AUTOTUNE_A、FORCE_AUTOTUNE_B 对电感器 DCR 电流检测有效。当 FORCE_UPDATE 位的写入值从 0b 变为 1b 以更新这些强制值时，转换器将自动关闭并重新启动。当转换器因其他原因重新启动时，只要该位为 1b，转换器便会遵循 FORCE_AUTO_TUNE_A/B 值，并且开始时不再进行自动校准。0b = 禁用 FORCE_AUTOTUNE_A、FORCE_AUTOTUNE_B
1b = 启用 FORCE_AUTOTUNE_A、FORCE_AUTOTUNE_B

7.6.35 REG0xFD_VIRTUAL_CONTROL 寄存器（地址 = FDh）[复位 = 0013h]

图 7-48 展示了 REG0xFD_VIRTUAL_CONTROL，表 7-48 中对此进行了介绍。

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图 7-48 REG0xFD_VIRTUAL_CONTROL 寄存器
15141312111098
EN_AUTO_CHGRESERVEDEN_OTG
R/W-0hR-0hR/W-0h
76543210
REG_RESETRESERVEDEN_EXTILIMRESERVEDWD_RSTWDTMR_ADJ
R/W-0hR-0hR/W-1hR-0hR/W-0hR/W-3h
表 7-48 REG0xFD_VIRTUAL_CONTROL 寄存器字段说明
位字段类型复位注释说明
15EN_AUTO_CHGR/W0h复位方式：
REG_RESET		自动充电控制（自动再充电和终止电池充电）：0b = 禁用
1b = 启用
14-9RESERVEDR0h 保留
8EN_OTGR/W0h复位方式：
REG_RESET
看门狗		OTG 模式使能
当 EN_OTG 引脚为高电平时，在 OTG 模式下启用器件。0b = 禁用
1b = 启用
7REG_RESETR/W0h复位方式：
REG_RESET		复位寄存器
所有 R/W 和 R 寄存器都恢复到默认设置，但以下各项除外：CHRG_STAT、MODE_STAT、HIDRV1_STAT、LODRV1_STAT、HIDRV2_STAT、LODRV2_STAT0b = 空闲
1b = 复位
6-5RESERVEDR0h 保留
4EN_EXTILIMR/W1h复位方式：
REG_RESET		启用 ILIM_HIZ 引脚以设置输入电流限制0b = 禁用（输入电流限制由 IIN_HOST() 设置）
1b = 启用（输入电流限制由 ILIM_HIZ 引脚和 IIN_HOST() 的较低值设置）
3RESERVEDR0h 保留
2WD_RSTR/W0h复位方式：
REG_RESET		复位看门狗计时器控制：0b = 正常
1b = 复位（计时器复位后位恢复为 0）
1-0WDTMR_ADJR/W3h复位方式：
REG_RESET		看门狗计时器调节
设置充电电压或充电电流命令的连续 EC 主机写入之间的最大延迟。
如果器件在看门狗时间段内未收到对 CHARGE_VOLTAGE() 或 CHARGE_CURRENT() 的写入，则会通过将 CHARGE_CURRENT() 设置为 0mA 来暂停充电器。到期后，计时器将在写入 CHARGE_CURRENT()、CHARGE_VOLTAGE()、WDTMR_ADJ 或 WD_RST=1b 时恢复。如果值有效，充电器将恢复。00b = 禁用
01b = 5 秒
10b = 88 秒
11b = 175 秒

7.6.36 REG0xFE_Manufacture_ID 寄存器（地址 = FEh）[复位 = 0040h]

图 7-49 展示了 REG0xFE_Manufacture_ID，表 7-49 中对此进行了介绍。

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图 7-49 REG0xFE_Manufacture_ID 寄存器
15141312111098
RESERVED
R-0h
76543210
MANUFACTURE_ID
R-40h
表 7-49 REG0xFE_Manufacture_ID 寄存器字段说明
位字段类型复位注释说明
15-8RESERVEDR0h 保留
7-0MANUFACTURE_IDR40h 制造 ID：40h

7.6.37 REG0xFF_Device_ID 寄存器（地址 = FFh）[复位 = 000Ah]

图 7-50 展示了 REG0xFF_Device_ID，表 7-50 中对此进行了介绍。

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图 7-50 REG0xFF_Device_ID 寄存器
15141312111098
RESERVED
R-0h
76543210
DEVICE_ID
R-Ah
表 7-50 REG0xFF_Device_ID 寄存器字段说明
位字段类型复位注释说明
15-8RESERVEDR0h 保留
7-0DEVICE_IDRAh 器件 ID
BQ25776： 00 001 100(0Ah)