ZHCSW30 April   2024 BQ25770G

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
    7. 6.7 典型特性 - BQ25770G
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  上电序列
      2. 7.3.2  MODE 引脚检测
      3. 7.3.3  REGN 稳压器 (REGN LDO)
      4. 7.3.4  独立比较器功能
      5. 7.3.5  电池充电管理
        1. 7.3.5.1 自主充电周期
        2. 7.3.5.2 电池充电曲线
        3. 7.3.5.3 充电终止
        4. 7.3.5.4 充电安全计时器
      6. 7.3.6  温度调节 (TREG)
      7. 7.3.7  仅电池模式下的 Vmin 主动保护 (VAP)
      8. 7.3.8  两级电池放电电流限制
      9. 7.3.9  快速角色交换功能
      10. 7.3.10 CHRG_OK 指示器
      11. 7.3.11 输入电流和充电电流检测
      12. 7.3.12 输入电流和电压限制设置
      13. 7.3.13 电池电芯配置
      14. 7.3.14 器件高阻态状态
      15. 7.3.15 USB On-The-Go (OTG)
      16. 7.3.16 准双相位转换器运行模式
      17. 7.3.17 连续导通模式 (CCM)
      18. 7.3.18 脉冲频率调制 (PFM)
      19. 7.3.19 开关频率和抖动功能
      20. 7.3.20 电流和功率监控器
        1. 7.3.20.1 高精度电流检测放大器（IADPT 和 IBAT）
        2. 7.3.20.2 高精度功率检测放大器 (PSYS)
      21. 7.3.21 输入源动态电源管理
      22. 7.3.22 用于监测的集成 16 位 ADC
      23. 7.3.23 输入电流优化器 (ICO)
      24. 7.3.24 两级适配器电流限制（峰值功率模式）
      25. 7.3.25 处理器热量指示
        1. 7.3.25.1 低功耗模式期间的 PROCHOT
        2. 7.3.25.2 PROCHOT 状态
      26. 7.3.26 器件保护
        1. 7.3.26.1  看门狗计时器 (WD)
        2. 7.3.26.2  输入过压保护 (ACOV)
        3. 7.3.26.3  输入过流保护 (ACOC)
        4. 7.3.26.4  系统过压保护 (SYSOVP)
        5. 7.3.26.5  电池过压保护 (BATOVP)
        6. 7.3.26.6  电池充电过流保护 (BATCOC)
        7. 7.3.26.7  电池放电过流保护 (BATDOC)
        8. 7.3.26.8  LDO 调节模式下的 BATFET 充电电流钳位保护
        9. 7.3.26.9  VBUS 和 ACP_A 之间的睡眠比较器保护 (SC_VBUSACP)
        10. 7.3.26.10 高占空比降压模式退出比较器保护 (HDBCP)
        11. 7.3.26.11 REGN 电源正常保护 (REGN_PG)
        12. 7.3.26.12 系统欠压锁定 (VSYS_UVP) 和断续模式
        13. 7.3.26.13 OTG 模式过压保护 (OTG_OVP)
        14. 7.3.26.14 OTG 模式欠压保护 (OTG_UVP)
        15. 7.3.26.15 热关断 (TSHUT)
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 正向模式
        1. 7.4.1.1 采用窄 VDC 架构的系统电压调节
        2. 7.4.1.2 电池充电
      2. 7.4.2 USB On-The-Go 模式
      3. 7.4.3 直通模式 (PTM) 专利技术
      4. 7.4.4 学习模式
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 SMBus 接口
        1. 7.5.1.1 SMBus 写入字和读取字协议
        2. 7.5.1.2 时序图
    6. 7.6 BQ25770G 寄存器
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 ACP-ACN 输入滤波器
        2. 8.2.2.2 电感器选型
        3. 8.2.2.3 输入电容器
        4. 8.2.2.4 输出电容器
        5. 8.2.2.5 功率 MOSFET 选择
      3. 8.2.3 应用曲线
  10. 9 电源相关建议
  11. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
      1. 10.2.1 布局示例参考顶视图
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 器件支持
      1. 11.1.1 第三方产品免责声明
    2. 11.2 文档支持
      1. 11.2.1 相关文档
    3. 11.3 接收文档更新通知
    4. 11.4 支持资源
    5. 11.5 商标
    6. 11.6 静电放电警告
    7. 11.7 术语表
  13. 12修订历史记录
  14. 13机械、封装和可订购信息

7.3.20.2 高精度功率检测放大器 (PSYS)

充电器监控系统总功率。在正向模式期间，输入适配器为系统供电。在反向 OTG 模式下以及仅电池放电场景中，电池为系统和 VBUS 输出供电。PSYS 引脚输出电流与系统总功率之比 KPSYS 可在 PSYS_RATIO 寄存器位中进行编程，默认值为 1μA/W。在 RSNS_RAC 位和 RSNS_RSR 位中选择输入和充电检测电阻（RAC 和 RSR）。如果 PSYS_CONFIG=00b，则可以使用方程式 2 计算 PSYS 电压，其中，当充电器正向充电时，IIN_A/IIN_B>0，当充电器处于 OTG 运行模式时，IIN_A/IIN_B<0；当电池正在充电时，IBAT<0，当电池正在放电时，IBAT>0。

方程式 2. VPSYS =RPSYS·KPSYS(VACP_A·IIN_A+VACP_B·IIN_B+VSYS·IBAT)

为了获得正确的 PSYS 功能，RAC 实际值限制为 10mΩ 或 5mΩ，并应与 RSNS_RAC 寄存器设置一致；RSR 实际值限制为 5mΩ 或 2mΩ，并应与 RSNS_RSR 寄存器设置一致。

充电器可以通过在正向模式下设置 PSYS_CONFIG =01b 来阻止 IBAT 对上述公式的影响，并通过设置 PSYS_OTG_IDCHG=1b 来阻止 IBUS 对上述公式的影响。

为了尽可能减小静态电流，默认情况下会通过默认的 PSYS_CONFIG = 11b 禁用 PSYS 功能。

表 7-8 PSYS 配置表
案例编号

PSYS_CONFIG 位

PSYS_OTG_IDCHG

位

正向模式 PSYS

配置

OTG

模式 PSYS

配置

100b0bPSYS=PBUS+PBATPSYS=PBUS+PBAT
200b1bPSYS=PBUS+PBATPSYS=PBAT
301b0bPSYS=PBUSPSYS=0
401b1bPSYS=PBUSPSYS=0
511bXbPSYS=0（禁用）PSYS=0（禁用）