ZHCSUF1D January   2024  – July 2025 TPS7H3014-SEP , TPS7H3014-SP

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件选项
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
    7. 6.7 质量合格检验
    8. 6.8 典型特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 输入电压 (IN)，VLDO 和 REFCAP
        1. 8.3.1.1 欠压锁定 (VPOR_IN < VIN < UVLO)
        2. 8.3.1.2 上电复位 (VIN < VPOR_IN)
      2. 8.3.2 SENSEx 输入
        1. 8.3.2.1 VTH_SENSEX 和 VONx
        2. 8.3.2.2 IHYS_SENSEx 和 VOFFx
        3. 8.3.2.3 顶部和底部电阻分压器设计公式
      3. 8.3.3 输出级（ENx、SEQ_DONE、PWRGD、PULL_UP1 和 PULL_UP2）
      4. 8.3.4 用户可编程 TIMERS
        1. 8.3.4.1 DLY_TMR
        2. 8.3.4.2 REG_TMR
      5. 8.3.5 UP 和 DOWN
      6. 8.3.6 FAULT
      7. 8.3.7 状态机
    4. 8.4 菊花链
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 自包含 – 定序上电和下电
        1. 9.2.1.1 设计要求
        2. 9.2.1.2 详细设计过程
          1. 9.2.1.2.1 输入电源和去耦电容器
          2. 9.2.1.2.2 UP 和 DOWN 阈值
          3. 9.2.1.2.3 SENSEx 阈值
        3. 9.2.1.3 应用曲线
      2. 9.2.2 负电压轨定序
        1. 9.2.2.1 负电压设计公式
    3. 9.3 外部感应系统复位
    4. 9.4 电源相关建议
    5. 9.5 布局
      1. 9.5.1 布局指南
      2. 9.5.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

6.5 电气特性

相关条件为 3V ≤ VIN ≤ 14V，RDLY_TMR = 10.5kΩ，RREG_TMR = 10.5kΩ，CREFCAP = 470nF，CVLDO = 1µF，VPULL_UP1 = 3.3V，VPULL_UP2 = 3.3V，CPULL_UP1 = 1µF，CPULL_UP2 = 1µF，除非另外指明，否则温度范围为 TA = –55°C 至 125°C；包括 QML RHA 器件 TA = 25°C 时组 E 的辐射测试 (1) (2) 
参数 测试条件 子组 (3) 最小值 典型值 最大值 单位
电源电压和电流
IQ_IN  VIN 静态电流 等待达到定序上电和下电状态期间。请参阅状态图 1、2、3 2.5 4 mA
UVLORISE VIN 上升欠压锁定 1、2、3 2.72 2.79 2.84 V
UVLOFALL VIN 下降欠压锁定 1、2、3 2.59 2.64 2.69
VLDO 内部线性稳压器输出电压 5V ≤ VIN ≤ 14V 1、2、3 3.19 3.29 3.38 V
VIN < 3.24V 1、2、3 97% 99% × VIN
REFCAP 内部带隙电压 1、2、3 1.188 1.2 1.212 V
VPOR_IN 上电复位电压 (4) 1.6V ≤ VPULL_UPx ≤ 7V，VOL ≤ 320mV，其中 IENx = –2mA 1、2、3 1.41 2
VPOR_PULL_UPx 上电复位电压 (5) VIN = 0V，VOL ≤ 320mV，其中 IENx = –100µA 1、2、3 0.89 1.4
SENSE1 至 SENSE4、UP 和 DOWN 比较器输入
VTH_SENSEx SENSEx 的阈值电压  1、2、3 593 599 605 mV
IHYS_SENSEx SENSEx 迟滞电流 VSENSEx = 700mV 1、2、3 23.28 24 24.72 µA
ILKG_SENSEx SENSEx 上的输入漏电流 VSENSEx = 500mV 1、2、3 2 100 nA
VTH_UP UP 上的上升阈值电压 1、2、3 580 598 615 mV
VTH_DOWN DOWN 上的下降阈值电压 1、2、3 483 498 512 mV
VHYS_UP_DOWN UP 和 DOWN 迟滞电压 1、2、3 100 mV
ILKG_UP_DOWN UP 和 DOWN 上的输入漏电流 VUP = VDOWN = 500mV 1、2、3 2 100 nA
VTURN_OFF 通道 2、3、4 关断电压 1、2、3 87% 89% 91% × VLDO
EN1 至 EN4、SEQ_DONE 和 PWRGD 推挽输出
VOL_ENx 低电平 ENx 输出电压 1.6V ≤ VPULL_UP1 ≤ 7V ILOAD = -2mA 1、2、3 10% x VPULL_UP1
ILOAD = -10mA
1、2、3

 25%
VOH_ENx 高电平 ENx 输出电压 1.6V ≤ VPULL_UP1 ≤ 7V ILOAD = 2mA 1、2、3 90%
ILOAD = 10mA
1、2、3

 70%
VOL_SEQ_DONE 低电平 SEQ_DONE 输出电压 1.6V ≤ VPULL_UP2 ≤ 7V ILOAD = -2mA 1、2、3 10% x VPULL_UP2
ILOAD = -10mA
1、2、3

 25%
VOH_SEQ_DONE 高电平 SEQ_DONE 输出电压 1.6V ≤ VPULL_UP2 ≤ 7V ILOAD = 2mA 1、2、3 90%
ILOAD = 10mA
1、2、3

 70%
VOL_PWRGD 低电平 PWRGD 输出电压 1.6V ≤ VPULL_UP2 ≤ 7V ILOAD = -2mA 1、2、3 10%
ILOAD = -10mA
1、2、3

 25%
VOH_PWRGD 高电平 PWRGD 输出电压 1.6V ≤ VPULL_UP2 ≤ 7V ILOAD = 2mA 1、2、3 90%
ILOAD = 10mA
1、2、3

 70%
PULL_UPxLKG PULL_UPx 漏电流 VPULL_UPx = 7V 1、2、3 48 121 µA
SRENx_RISE 启用上升输出电压压摆率 VPULL_UP1 的 10% 至 90%，
RLOAD = 50kΩ，
CLOAD = 100pF		 1.6V ≤ VPULL_UP1 ≤ 7V 9、10、11 17 125 V/µs
SRSEQ_DONE_RISE SEQ_DONE 上升输出电压压摆率 VPULL_UP2 的 10% 至 90%，
RLOAD = 50kΩ，
CLOAD = 100pF		 1.6V ≤ VPULL_UP2 ≤ 7V 9、10、11 17 125
SRPWRGD_RISE PWRGD 上升输出电压压摆率 9、10、11
17		 125
SRENx_FALL 启用下降输出电压压摆率 VPULL_UP1 的 90% 至 10%，
RLOAD = 50kΩ，
CLOAD = 100pF		 1.6V ≤ VPULL_UP1 ≤ 7V 9、10、11 44 126
SRSEQ_DONE_FALL SEQ_DONE 下降输出电压压摆率 1.6V ≤ VPULL_UP2 ≤ 7V 9、10、11 44 126
SRPWRGD_FALL PWRGD 下降输出电压压摆率 9、10、11 44 126
RENx_PULL_UP EN PMOS 源输出电阻 ILOAD = 2mA VPULL_UP1 = 1.6V 1、2、3 18 40 Ω
VPULL_UP1 = 7V
1、2、3

 7 20
RSEQ_DONE_PULL_UP SEQ_DONE PMOS 源输出电阻 ILOAD = 2mA VPULL_UP2 = 1.6V 1、2、3 18 40
VPULL_UP2 = 7V
1、2、3

 7 20
RPWRGD_PULL_UP PWRGD PMOS 源输出电阻 ILOAD = 2mA VPULL_UP2 = 1.6V 1、2、3 18 40
VPULL_UP2 = 7V
1、2、3

 7 20
RENx_PULL_DOWN EN NMOS 灌电流输出电阻 ILOAD = –2mA，1.6V ≤ VPULL_UP1 ≤ 7V 1、2、3 7 28
RSEQ_DONE_PULL_DOWN SEQ_DONE NMOS 灌电流输出电阻 ILOAD = –2mA，1.6V ≤ VPULL_UP1 ≤ 7V
1、2、3

 7 28
RPWRGD_PULL_DOWN PWRGD NMOS 灌电流输出电阻 ILOAD = –2mA，1.6V ≤ VPULL_UP1 ≤ 7V 1、2、3 7 28
FAULT 输出
RFAULT_PULL_DOWN FAULT 下拉电阻 IFAULT = 100µA 1、2、3 131 512 Ω
ILKG_FAULT FAULT 漏电流 VFAULT = 7V 1、2、3 23 600 nA
热保护
TSD_ENTER 热关断进入温度 177 ℃
TSD_EXIT 热关断退出温度 164
延迟和稳压计时器时间
tDLY_TMR 延迟时间  RDLY_TMR = 10.5kΩ  9、10、11 0.205 0.268 0.342 ms
RDLY_TMR = 619kΩ  9、10、11 10.77 12.5 14.14
RDLY_TMR = 1.18MΩ  9、10、11 20 23.37 27.2
tREG_TMR 稳压时间  RREG_TMR = 10.5kΩ  9、10、11 0.197 0.264 0.34
RREG_TMR = 619kΩ  9、10、11 10.8 12.4 14.1
RREG_TMR = 1.18MΩ 9、10、11 20.3 23.63 27.2
(1) 有关 RHA 器件的更多信息，请参阅 5962R2320101VXC SMD（标准微电路图）。
(2) 所有电压值均以 GND 为基准。
(3) 有关子组定义，请参阅 质量合格检验 表。
(4) 当 1.6V ≤ VPULL_UPx ≤ 7V 时，VPOR_IN 是受控输出状态下的最小 VIN 电压。低于 VPOR_IN 时，无法确定输出。
(5) 当 VIN ≤ 3V 时，VPOR_PULL_UPx 是受控输出状态下的最小 VPULL_UPx 电压。低于 VPOR_PULL_UPx 时，无法确定输出。