ZHCAFM2 August   2025 LM2904B

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2ESD 概述
    1. 2.1 什么是静电放电？
      1. 2.1.1 半导体中的 ESD 单元稳健性
  6. 3ESD 单元的类型
    1. 3.1 双二极管配置
      1. 3.1.1 双二极管配置并非通用之选？
    2. 3.2 自举二极管
    3. 3.3 吸收器件
      1. 3.3.1 有源钳位
      2. 3.3.2 GCNMOS 钳位
    4. 3.4 硅控整流器
    5. 3.5 CER 和 ECR NPN 二极管
      1. 3.5.1 测量 ECR/CER ESD 单元的响应
    6. 3.6 ESD 单元对比
  7. 4如何根据数据表确定器件的 ESD 结构
  8. 5如何保护系统免受电路内 ESD/EOS 事件的影响
    1. 5.1 使用 TVS 二极管和串联电阻实现电路保护
    2. 5.2 使用肖特基二极管实现电路保护
  9. 6如何在系统级电路中测试运算放大器
    1. 6.1 ESD 保护单元发展历程
  10. 7总结
  11. 8参考资料

3.1 双二极管配置

图 3-1 展示了常见的运算放大器 ESD 保护结构。双二极管放置在输入端和输出端，并连接到电源。ESD 二极管会将各类 ESD 瞬变传导至电源。因此，二极管通常称为 ESD 控向二极管。为防止损坏运算放大器电源，电源配置了 ESD 吸收器件。当 ESD 事件发生时，吸收器件触发并发挥低阻抗作用。因此，吸收器件可限制施加在电源上的电压，从而保护器件。

运算放大器输入和输出端的双二极管配置图 3-1 运算放大器输入和输出端的双二极管配置

双二极管配置的优点包括低漏电流和低电容，进而成为大多数运算放大器的理想选择。二极管占用面积较小，是应对高频输入和输出的首选。但在特定情况下，双二极管配置并不提供保护功能。