ZHCAFM2 August   2025 LM2904B

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2ESD 概述
    1. 2.1 什么是静电放电？
      1. 2.1.1 半导体中的 ESD 单元稳健性
  6. 3ESD 单元的类型
    1. 3.1 双二极管配置
      1. 3.1.1 双二极管配置并非通用之选？
    2. 3.2 自举二极管
    3. 3.3 吸收器件
      1. 3.3.1 有源钳位
      2. 3.3.2 GCNMOS 钳位
    4. 3.4 硅控整流器
    5. 3.5 CER 和 ECR NPN 二极管
      1. 3.5.1 测量 ECR/CER ESD 单元的响应
    6. 3.6 ESD 单元对比
  7. 4如何根据数据表确定器件的 ESD 结构
  8. 5如何保护系统免受电路内 ESD/EOS 事件的影响
    1. 5.1 使用 TVS 二极管和串联电阻实现电路保护
    2. 5.2 使用肖特基二极管实现电路保护
  9. 6如何在系统级电路中测试运算放大器
    1. 6.1 ESD 保护单元发展历程
  10. 7总结
  11. 8参考资料

3.2 自举二极管

本文仅讨论双二极管 ESD 保护结构。另一种 ESD 保护结构称为自举二极管，其中二极管并联并反向放置。通过在输入端与电源之间加装一个二极管，即可打造与前文相同的保护路径。

典型的 ESD 控向二极管具有漏电流。室温下电流达皮安级，125°C 下电流则可达数千皮安。对于具有高源阻抗的应用，这一漏电流会导致显著的输入失调电压误差。自举可使漏电流在整个温度范围内保持在飞安级。为此，自举会控制输入电压，并在二极管另一侧强制施加相同的电压。强制施加的电压称为防护电压。输入 ESD 二极管在阴阳极上具有相同的电压，因此二极管上的电压为零伏。强制二极管上的电压为零也称为自举，可将漏电流抑制到基本为零。在 ESD 事件期间，输入二极管将 ESD 脉冲传导至与电源相连的二极管。由于电源接有两个二极管，因此测量从输入端到电源的压降。此处压降为 1.4V，即大约两个二极管压降。使用该拓扑的旗舰器件为 OPA928。自举输入可在 25°C 和 85°C 条件下提供 20fA 的输入偏置电流。

OPA928 自举二极管结构图 3-2 OPA928 自举二极管结构