ZHCAFM2 August   2025 LM2904B

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2ESD 概述
    1. 2.1 什么是静电放电？
      1. 2.1.1 半导体中的 ESD 单元稳健性
  6. 3ESD 单元的类型
    1. 3.1 双二极管配置
      1. 3.1.1 双二极管配置并非通用之选？
    2. 3.2 自举二极管
    3. 3.3 吸收器件
      1. 3.3.1 有源钳位
      2. 3.3.2 GCNMOS 钳位
    4. 3.4 硅控整流器
    5. 3.5 CER 和 ECR NPN 二极管
      1. 3.5.1 测量 ECR/CER ESD 单元的响应
    6. 3.6 ESD 单元对比
  7. 4如何根据数据表确定器件的 ESD 结构
  8. 5如何保护系统免受电路内 ESD/EOS 事件的影响
    1. 5.1 使用 TVS 二极管和串联电阻实现电路保护
    2. 5.2 使用肖特基二极管实现电路保护
  9. 6如何在系统级电路中测试运算放大器
    1. 6.1 ESD 保护单元发展历程
  10. 7总结
  11. 8参考资料

3.3 吸收器件

吸收器件是一种内部钳位器件，当输入 ESD 事件通过输入二极管传导至电源时，其用于限制运算放大器电源两端的电压。图 3-3 展示了吸收器件的典型概要结构。

吸收器件图 3-3 吸收器件

吸收器件旨在于电路外 ESD 事件期间钳制电源电压，进而避免损坏。事件结束后（通常在几纳秒后），吸收器件会因未接通电源而关断。如果吸收器件因电路内 ESD 事件而导通，则其可以持续导通并处于低阻抗状态，直到电路断电。因此，在电路内电气过应力事件期间不得导通吸收器件。

ESD 二极管控向图 3-4 ESD 二极管控向

图 3-4 展示了一个向运算放大器同相节点施加 ESD 脉冲的示例。在现实场景中，器件操作不当即会引发此类事故；例如在非静电安全工作台上组装 PCB。请留心，二极管 D3 将变为正向偏置并将 ESD 脉冲导引至吸收器件。吸收器件旨在限制电压和吸收 ESD 脉冲的能量。注意如果将 ESD 脉冲施加到不同的引脚上，则会导通不同的二极管并将脉冲导引至吸收器件。另请注意的是输入电阻 R2 会限制来自 ESD 脉冲的输入电流。R2 的值越大，电路就越可靠稳健，因为电阻会限制进入器件的电流。然而偏置电流和噪声也会带来误差，进而影响电路的频率响应。