ZHCAFM2 August   2025 LM2904B

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2ESD 概述
    1. 2.1 什么是静电放电？
      1. 2.1.1 半导体中的 ESD 单元稳健性
  6. 3ESD 单元的类型
    1. 3.1 双二极管配置
      1. 3.1.1 双二极管配置并非通用之选？
    2. 3.2 自举二极管
    3. 3.3 吸收器件
      1. 3.3.1 有源钳位
      2. 3.3.2 GCNMOS 钳位
    4. 3.4 硅控整流器
    5. 3.5 CER 和 ECR NPN 二极管
      1. 3.5.1 测量 ECR/CER ESD 单元的响应
    6. 3.6 ESD 单元对比
  7. 4如何根据数据表确定器件的 ESD 结构
  8. 5如何保护系统免受电路内 ESD/EOS 事件的影响
    1. 5.1 使用 TVS 二极管和串联电阻实现电路保护
    2. 5.2 使用肖特基二极管实现电路保护
  9. 6如何在系统级电路中测试运算放大器
    1. 6.1 ESD 保护单元发展历程
  10. 7总结
  11. 8参考资料

5 如何保护系统免受电路内 ESD/EOS 事件的影响

了解运算放大器的内部保护方案至关重要，因为此类信息可助力整体系统保护方案设计。ESD 二极管专为电路外事件而设计，因此如果要针对各类电路内电气过应力事件 (EOS) 优化系统，则需要额外的设计考量。

假设采用 图 5-1。该运算放大器通过二极管为保护方案供电，并将 LDO 连接到正电源。运算放大器的最大电源电压为 10V，LDO 可将 24V 调节至 5V。在运算放大器的同相节点上施加 15V 电压。

EOS 事件：过压输入图 5-1 EOS 事件：过压输入

D3 将电压通过器件传导至电源；由于电压高于绝对最大额定值，吸收器件导通。然而供电电压是连续的，因此吸收器件会锁存并保持导通状态，除非电路上下电。当电路导通时，吸收器件从 LDO 汲取大量电流，产生巨量热量，常常导致器件损坏。

EOS 事件 - 吸收器件锁存图 5-2 EOS 事件 - 吸收器件锁存

如何防止这种情况发生？可采用以下两个简单的步骤。首先是加装输入电阻。然后在电源中加装一个 TVS 二极管。