ZHCAFM2 August   2025 LM2904B

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2ESD 概述
    1. 2.1 什么是静电放电？
      1. 2.1.1 半导体中的 ESD 单元稳健性
  6. 3ESD 单元的类型
    1. 3.1 双二极管配置
      1. 3.1.1 双二极管配置并非通用之选？
    2. 3.2 自举二极管
    3. 3.3 吸收器件
      1. 3.3.1 有源钳位
      2. 3.3.2 GCNMOS 钳位
    4. 3.4 硅控整流器
    5. 3.5 CER 和 ECR NPN 二极管
      1. 3.5.1 测量 ECR/CER ESD 单元的响应
    6. 3.6 ESD 单元对比
  7. 4如何根据数据表确定器件的 ESD 结构
  8. 5如何保护系统免受电路内 ESD/EOS 事件的影响
    1. 5.1 使用 TVS 二极管和串联电阻实现电路保护
    2. 5.2 使用肖特基二极管实现电路保护
  9. 6如何在系统级电路中测试运算放大器
    1. 6.1 ESD 保护单元发展历程
  10. 7总结
  11. 8参考资料

6 如何在系统级电路中测试运算放大器

诸多系统级设计会在运算放大器断电时进行测试，以确认各元件是否正常工作。在测试运算放大器时，会向输入端施加电压或电流，然后测量电阻。根据具体内部二极管结构，测量结果各不相同。被测电阻是运算放大器内部的 ESD 单元电阻。但在系统级测试期间必须遵循数个关键参数，以确保测量有效，进而保障运算放大器不会在测试中受损。

首先是确保器件未通电。然后将器件的电源接地。图 6-1 展示了运算放大器的有效电路内测试设置。

电路内测试设置图 6-1 电路内测试设置

假设使用以下示例：运算放大器输入端施加电压，同时电源处于悬空状态。由于电源处于悬空状态，因此电压无法到达吸收器件。这可能会导致器件意外上电，从而产生不需要的输出信号，进而影响系统中的其他器件。因此，在系统级测试中验证器件时，最佳实践是将两个电源接地。有关放大器反向供电的更多详细信息，请参阅此应用手册。