ZHCAFM2 August   2025 LM2904B

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2ESD 概述
    1. 2.1 什么是静电放电？
      1. 2.1.1 半导体中的 ESD 单元稳健性
  6. 3ESD 单元的类型
    1. 3.1 双二极管配置
      1. 3.1.1 双二极管配置并非通用之选？
    2. 3.2 自举二极管
    3. 3.3 吸收器件
      1. 3.3.1 有源钳位
      2. 3.3.2 GCNMOS 钳位
    4. 3.4 硅控整流器
    5. 3.5 CER 和 ECR NPN 二极管
      1. 3.5.1 测量 ECR/CER ESD 单元的响应
    6. 3.6 ESD 单元对比
  7. 4如何根据数据表确定器件的 ESD 结构
  8. 5如何保护系统免受电路内 ESD/EOS 事件的影响
    1. 5.1 使用 TVS 二极管和串联电阻实现电路保护
    2. 5.2 使用肖特基二极管实现电路保护
  9. 6如何在系统级电路中测试运算放大器
    1. 6.1 ESD 保护单元发展历程
  10. 7总结
  11. 8参考资料

3.3.2 GCNMOS 钳位

栅极耦合 NMOS (GCNMOS) 钳位是吸收器件的另一种常见形式。NMOS 的栅极连接到 RC 触发电路，该电路会在 ESD 事件期间被拉至高电平。通常情况下，电路的响应时间小于 10ns。此类钳位与有源钳位有类似的优缺点，其中尺寸是主要考量因素，同时钳位电压也更低。

GCNMOS 钳位图 3-6 GCNMOS 钳位

有源钳位和 GCNMOS 钳位都均为回弹保护结构的形式。下一部分重点介绍其他形式的回弹 ESD 保护单元。