ZHCAFM2 August   2025 LM2904B

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2ESD 概述
    1. 2.1 什么是静电放电？
      1. 2.1.1 半导体中的 ESD 单元稳健性
  6. 3ESD 单元的类型
    1. 3.1 双二极管配置
      1. 3.1.1 双二极管配置并非通用之选？
    2. 3.2 自举二极管
    3. 3.3 吸收器件
      1. 3.3.1 有源钳位
      2. 3.3.2 GCNMOS 钳位
    4. 3.4 硅控整流器
    5. 3.5 CER 和 ECR NPN 二极管
      1. 3.5.1 测量 ECR/CER ESD 单元的响应
    6. 3.6 ESD 单元对比
  7. 4如何根据数据表确定器件的 ESD 结构
  8. 5如何保护系统免受电路内 ESD/EOS 事件的影响
    1. 5.1 使用 TVS 二极管和串联电阻实现电路保护
    2. 5.2 使用肖特基二极管实现电路保护
  9. 6如何在系统级电路中测试运算放大器
    1. 6.1 ESD 保护单元发展历程
  10. 7总结
  11. 8参考资料

3 ESD 单元的类型

那么该如何防范 ESD？设计必须采用保护措施，防范可能在几纳秒内放电的数千伏电压。解决方案很简单：使用二极管。本质上，所有 ESD 单元都是二极管的变体。一个本质上是 PN 结的二极管在其进入正向偏置状态时会钳制高电压。然而，在反向偏置状态下，二极管则处于高阻抗状态，支持正常运行。因此，该方法非常适合在不影响 IC 正常运行的情况下防护 ESD 单元。

ESD 单元有许多不同的类型。不过，每种 ESD 单元都各有优缺点。本部分将讨论最常见类型的 ESD 单元，以及 IC 设计人员如何为器件选择正确类型的单元。