ZHCAFM2 August   2025 LM2904B

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2ESD 概述
    1. 2.1 什么是静电放电？
      1. 2.1.1 半导体中的 ESD 单元稳健性
  6. 3ESD 单元的类型
    1. 3.1 双二极管配置
      1. 3.1.1 双二极管配置并非通用之选？
    2. 3.2 自举二极管
    3. 3.3 吸收器件
      1. 3.3.1 有源钳位
      2. 3.3.2 GCNMOS 钳位
    4. 3.4 硅控整流器
    5. 3.5 CER 和 ECR NPN 二极管
      1. 3.5.1 测量 ECR/CER ESD 单元的响应
    6. 3.6 ESD 单元对比
  7. 4如何根据数据表确定器件的 ESD 结构
  8. 5如何保护系统免受电路内 ESD/EOS 事件的影响
    1. 5.1 使用 TVS 二极管和串联电阻实现电路保护
    2. 5.2 使用肖特基二极管实现电路保护
  9. 6如何在系统级电路中测试运算放大器
    1. 6.1 ESD 保护单元发展历程
  10. 7总结
  11. 8参考资料

3.5 CER 和 ECR NPN 二极管

CER/ECR NPN ESD 保护结构是另一种常见的选择，尤其是对于更高电压而言。该结构的行为类似于快速恢复二极管，即电压在下降回阈值电压之前达到特定电平。图 3-9 展示了常规布局。

CER 二极管结构图 3-9 CER 二极管结构

该保护结构可提高基极电位以降低 NPN 触发电压。当器件能够承受高触发电压或钳位电压时，首选使用此类保护结构。请注意，一个焊盘通过二极管接地。另一个焊盘则为电压触发。这实现了 ESD 保护，同时占用面积相对较小，但仍大于 SCR 结构。这些结构也存在优势，因为有别于更易发生闩锁的 SCR，此类结构通常视为无闩锁设计。