ZHCAFM2 August   2025 LM2904B

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2ESD 概述
    1. 2.1 什么是静电放电？
      1. 2.1.1 半导体中的 ESD 单元稳健性
  6. 3ESD 单元的类型
    1. 3.1 双二极管配置
      1. 3.1.1 双二极管配置并非通用之选？
    2. 3.2 自举二极管
    3. 3.3 吸收器件
      1. 3.3.1 有源钳位
      2. 3.3.2 GCNMOS 钳位
    4. 3.4 硅控整流器
    5. 3.5 CER 和 ECR NPN 二极管
      1. 3.5.1 测量 ECR/CER ESD 单元的响应
    6. 3.6 ESD 单元对比
  7. 4如何根据数据表确定器件的 ESD 结构
  8. 5如何保护系统免受电路内 ESD/EOS 事件的影响
    1. 5.1 使用 TVS 二极管和串联电阻实现电路保护
    2. 5.2 使用肖特基二极管实现电路保护
  9. 6如何在系统级电路中测试运算放大器
    1. 6.1 ESD 保护单元发展历程
  10. 7总结
  11. 8参考资料

3.3.1 有源钳位

有源钳位是半导体中非常常见的吸收器件。有源钳位是一类大功率 MOS，其在 ESD 条件下处于有源模式，在正常工作条件下处于高阻抗状态。在 ESD 事件期间，MOS 充当开关，可在低压降下实现均匀的电流流动。此器件支持边沿触发（基于 dv/dt）以及电平触发。这类器件最常用于在电源断电但仍有输入信号时提供保护。

有源钳位图 3-5 有源钳位

该结构的一个优点是钳位电压非常低。但是，具体性能基于漏极电流饱和，钳位由此会占用很大的面积。因此，如果集成电路的尺寸是关键参数，则其他类型的钳位会更加实用。