ZHCAFM2 August   2025 LM2904B

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2ESD 概述
    1. 2.1 什么是静电放电？
      1. 2.1.1 半导体中的 ESD 单元稳健性
  6. 3ESD 单元的类型
    1. 3.1 双二极管配置
      1. 3.1.1 双二极管配置并非通用之选？
    2. 3.2 自举二极管
    3. 3.3 吸收器件
      1. 3.3.1 有源钳位
      2. 3.3.2 GCNMOS 钳位
    4. 3.4 硅控整流器
    5. 3.5 CER 和 ECR NPN 二极管
      1. 3.5.1 测量 ECR/CER ESD 单元的响应
    6. 3.6 ESD 单元对比
  7. 4如何根据数据表确定器件的 ESD 结构
  8. 5如何保护系统免受电路内 ESD/EOS 事件的影响
    1. 5.1 使用 TVS 二极管和串联电阻实现电路保护
    2. 5.2 使用肖特基二极管实现电路保护
  9. 6如何在系统级电路中测试运算放大器
    1. 6.1 ESD 保护单元发展历程
  10. 7总结
  11. 8参考资料

3.1.1 双二极管配置并非通用之选？

双二极管配置非常适合大多数运算放大器保护设计，但如果输入端电压高于电源电压，则不建议采用此配置。如果在放大器上电之前向其施加输入信号，这类保护设计就会出现问题。某些应用可以关断上电设备，但仍会施加输入信号。如果没有额外的保护，双二极管配置就无法有效抵御此类输入信号。本文档后续的电气过应力部分将具体介绍此问题。

开漏输出是不宜采用双二极管配置另一种情况。开漏输出是指器件的输出连接到晶体管漏极。在此设置中，器件只能灌入电流。在采用开漏输出设计时，传统的双二极管不会放置在输出端。否则，电压会钳制在电源电平，器件无法按预期工作。这方面的示例包括计时器、部分比较器和各种差分放大器。差分放大器的输入信号通常高于电源电压，因此需要采用其他保护方法来避免 ESD。