ZHCAFM2 August   2025 LM2904B

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2ESD 概述
    1. 2.1 什么是静电放电？
      1. 2.1.1 半导体中的 ESD 单元稳健性
  6. 3ESD 单元的类型
    1. 3.1 双二极管配置
      1. 3.1.1 双二极管配置并非通用之选？
    2. 3.2 自举二极管
    3. 3.3 吸收器件
      1. 3.3.1 有源钳位
      2. 3.3.2 GCNMOS 钳位
    4. 3.4 硅控整流器
    5. 3.5 CER 和 ECR NPN 二极管
      1. 3.5.1 测量 ECR/CER ESD 单元的响应
    6. 3.6 ESD 单元对比
  7. 4如何根据数据表确定器件的 ESD 结构
  8. 5如何保护系统免受电路内 ESD/EOS 事件的影响
    1. 5.1 使用 TVS 二极管和串联电阻实现电路保护
    2. 5.2 使用肖特基二极管实现电路保护
  9. 6如何在系统级电路中测试运算放大器
    1. 6.1 ESD 保护单元发展历程
  10. 7总结
  11. 8参考资料

2.1 什么是静电放电？

当两个电荷不平衡的物体靠近时，就会发生静电放电 (ESD)。两个物体之间突然产生电流，这种现象称为 ESD。绝缘体尤其容易积累较大的静电电荷。

ESD 是半导体受损的最常见方式。通过分析 ESD 可产生的电压，可了解到 ESD 放电与人类感知程度之间存在显著差距。某些 IC 在 10V 电压下就会损坏，但人类甚至无法感知到 3500V 以下的放电。CMOS 和运算放大器极易在远低于人类感知电压的电压阈值下损坏。因此，即使未察觉到 ESD 事件发生，也半导体可能损坏。人工操作或与机器接触均会引起静电放电。因此，在投入应用前，保护器件免遭 ESD 事件损坏非常重要。