ZHCAFA6 May   2025 CC2340R5 , CC2340R5-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1 简介
  5. 2 参考设计
    1. 2.1 LP-EM-CC2340R53
    2. 2.2 LP-EM-CC2340R5
    3. 2.3 LP-EM-CC2340R5-Q1
    4. 2.4 LP-EM-CC2340R5-RGE-4x4-IS24
    5. 2.5 LP-EM-CC2745R10-Q1
  6. 3 原理图
    1. 3.1 原理图概览
      1. 3.1.1 48MHz 晶振
      2. 3.1.2 32.768kHz 晶振
      3. 3.1.3 滤波器
      4. 3.1.4 去耦电容器
      5. 3.1.5 天线元件
      6. 3.1.6 射频屏蔽层
    2. 3.2 I/O 引脚驱动强度
    3. 3.3 引导加载程序引脚
    4. 3.4 串行线调试 (SWD) 引脚
  7. 4 PCB 布局
    1. 4.1 电路板堆叠
    2. 4.2 LC 滤波器
    3. 4.3 去耦电容器
    4. 4.4 晶体负载电容器的放置
    5. 4.5 电流返回路径
    6. 4.6 直流/直流稳压器
    7. 4.7 天线匹配元件
    8. 4.8 传输线路
    9. 4.9 电磁仿真
  8. 5 天线
  9. 6 晶体调谐
    1. 6.1 CC23xx 和 CC27xx 晶体振荡器
    2. 6.2 晶体选型
    3. 6.3 对 LF 晶体振荡器进行调谐
    4. 6.4 对 HF 晶体振荡器进行调谐
  10. 7 最佳负载阻抗
  11. 8 PA 表
  12. 9 电源配置
    1. 9.1 电源简介
    2. 9.2 直流/直流转换器模式
    3. 9.3 全局 LDO 模式
  13. 10电路板启动
    1. 10.1 上电
    2. 10.2 RF 测试：SmartRF Studio
    3. 10.3 RF 测试：传导测量
      1. 10.3.1 灵敏度
      2. 10.3.2 输出功率
    4. 10.4 硬件故障排除
      1. 10.4.1 无链路：RF 设置
      2. 10.4.2 无链路：频率偏移
      3. 10.4.3 链路不良：天线
      4. 10.4.4 低功耗蓝牙：器件可以广播但无法连接
      5. 10.4.5 灵敏度差：背景噪声
      6. 10.4.6 睡眠状态功耗高
  14. 11总结
  15. 12参考资料

9.3 全局 LDO 模式

为了节省成本和降低 PCB 面积，可以去掉直流/直流电感器，并以更高的功耗为代价从全局 LDO 为 VDDR 供电。请参阅器件特定的数据表以了解预计电流消耗会增加多少。在这种模式下，VDDR 上仍然需要一个大容量电容器，并且将它放在靠近 VDDR 引脚的位置。

要使用全局 LDO，用户必须在 SysConfig 中的 TI Devices -> Device Configuration -> Voltage Regulator 中选择 GLDO。有关更多详细信息，请参阅图 9-3。

全局 LDO 模式图 9-3 全局 LDO 模式