ZHCAFA6 May   2025 CC2340R5 , CC2340R5-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1 简介
  5. 2 参考设计
    1. 2.1 LP-EM-CC2340R53
    2. 2.2 LP-EM-CC2340R5
    3. 2.3 LP-EM-CC2340R5-Q1
    4. 2.4 LP-EM-CC2340R5-RGE-4x4-IS24
    5. 2.5 LP-EM-CC2745R10-Q1
  6. 3 原理图
    1. 3.1 原理图概览
      1. 3.1.1 48MHz 晶振
      2. 3.1.2 32.768kHz 晶振
      3. 3.1.3 滤波器
      4. 3.1.4 去耦电容器
      5. 3.1.5 天线元件
      6. 3.1.6 射频屏蔽层
    2. 3.2 I/O 引脚驱动强度
    3. 3.3 引导加载程序引脚
    4. 3.4 串行线调试 (SWD) 引脚
  7. 4 PCB 布局
    1. 4.1 电路板堆叠
    2. 4.2 LC 滤波器
    3. 4.3 去耦电容器
    4. 4.4 晶体负载电容器的放置
    5. 4.5 电流返回路径
    6. 4.6 直流/直流稳压器
    7. 4.7 天线匹配元件
    8. 4.8 传输线路
    9. 4.9 电磁仿真
  8. 5 天线
  9. 6 晶体调谐
    1. 6.1 CC23xx 和 CC27xx 晶体振荡器
    2. 6.2 晶体选型
    3. 6.3 对 LF 晶体振荡器进行调谐
    4. 6.4 对 HF 晶体振荡器进行调谐
  10. 7 最佳负载阻抗
  11. 8 PA 表
  12. 9 电源配置
    1. 9.1 电源简介
    2. 9.2 直流/直流转换器模式
    3. 9.3 全局 LDO 模式
  13. 10电路板启动
    1. 10.1 上电
    2. 10.2 RF 测试：SmartRF Studio
    3. 10.3 RF 测试：传导测量
      1. 10.3.1 灵敏度
      2. 10.3.2 输出功率
    4. 10.4 硬件故障排除
      1. 10.4.1 无链路：RF 设置
      2. 10.4.2 无链路：频率偏移
      3. 10.4.3 链路不良：天线
      4. 10.4.4 低功耗蓝牙：器件可以广播但无法连接
      5. 10.4.5 灵敏度差：背景噪声
      6. 10.4.6 睡眠状态功耗高
  14. 11总结
  15. 12参考资料

4.3 去耦电容器

去耦电容器的一般规则：

  • 确保去耦电容器与有源器件位于同一层以改善效果。
  • 将电源接入去耦电容器中，然后接入有源器件中。
  • 每个去耦电容器需有一个单独的通孔接地，以尽可能降低噪声耦合（请参阅图 4-3）。
  • 将去耦电容器放置在靠近引脚的位置，以便去耦。
  • 去耦电容器和芯片之间的接地电流返回路径需要短且直接（低阻抗）。相关详细信息，请参阅节 4.5。

图 4-3 的右边使用单独的通孔进行接地，噪声耦合较小。

去耦电容器和通孔接地图 4-3 去耦电容器和通孔接地