ZHCAFA6 May 2025 CC2340R5 , CC2340R5-Q1
HFXT 在 IC 中内置了可变负载电容器（电容器阵列 Q1 和电容器阵列 Q2），不需要安装外部电容器，可以在 Sysconfig TI DEVICES 部分的 Device Configuration 下设置负载电容，方法是启用 Override HFXT Cap Array Trims 并为电容器阵列 Q1 和电容器阵列 Q2 设置适当的值。为了避免晶体两侧出现负载电容器不平衡，电容器阵列 Q1 和电容器阵列 Q2 之间的最大差值不能超过 1 如果未启用 Override HFXT Cap Array Trims，则会使用电容器阵列 Q1 和电容器阵列 Q2 的故障值。
表 6-2 显示了在评估板上测得的最终总电容与电容器阵列增量值。请注意，最终的电容值包括寄生电容，因此最低设置不是 0pF。电容器阵列值在两个特定区域内增加时，有效电容不会发生变化。上述两个区域是电容器阵列值从 15 变为 16 以及从 47 变为 48 时。如果使用自动搜索算法查找最佳的电容器阵列值，请注意从搜索算法中剔除 15 或 16 及 47 或 48。
测量 HF 晶体振荡器精度的最佳方法是，通过无线电输出未经调制的载波，并使用频谱分析仪测量相对于所需频率的频率偏移量。晶体频率的相对偏移量（通常以百万分率 (ppm) 表示）与射频载波的相对偏移量相同。
在进行测试时，可以在 SmartRF™ Studio 中调整电容器阵列值。这样就可以动态更新负载电容，从而大幅简化调谐过程。然后可以将 SmartRF Studio 中的最佳值输入到适用软件工程的 Sysconfig 中。
| 电容器阵列值 (Q1 = Q2) | 参考板上测得的 CC23xx 电容 (pF) | 参考板上测得的 CC27xx 电容 (pF) |
|---|---|---|
|
1 |
3.7 |
3.9 |
|
2 |
3.7 |
4.0 |
|
3 |
3.8 |
4.1 |
|
4 |
3.9 |
4.1 |
|
5 |
4.0 |
4.2 |
|
6 |
4.1 |
4.3 |
|
7 |
4.1 |
4.4 |
|
8 |
4.2 |
4.4 |
|
9 |
4.3 |
4.5 |
|
10 |
4.4 |
4.6 |
|
11 |
4.4 |
4.7 |
|
12 |
4.5 |
4.7 |
|
13 |
4.6 |
4.8 |
|
14 |
4.6 |
4.9 |
|
15 |
4.7 |
5.0 |
|
16 |
4.7 |
5.0 |
|
17 |
4.8 |
5.0 |
|
18 |
4.9 |
5.1 |
|
19 |
5.0 |
5.2 |
|
20 |
5.1 |
5.3 |
|
21 |
5.2 |
5.4 |
|
22 |
5.3 |
5.5 |
|
23 |
5.3 |
5.6 |
|
24 |
5.4 |
5.7 |
|
25 |
5.5 |
5.8 |
|
26 |
5.6 |
5.9 |
|
27 |
5.7 |
6.0 |
|
28 |
5.8 |
6.1 |
|
29 |
5.9 |
6.2 |
|
30 |
6.0 |
6.3 |
|
31 |
6.1 |
6.4 |
|
32 |
6.3 |
6.6 |
|
33 |
6.4 |
6.7 |
|
34 |
6.5 |
6.8 |
|
35 |
6.6 |
6.9 |
|
36 |
6.7 |
7.0 |
|
37 |
6.8 |
7.2 |
|
38 |
6.9 |
7.3 |
|
39 |
7.1 |
7.4 |
|
40 |
7.2 |
7.5 |
|
41 |
7.3 |
7.6 |
|
42 |
7.4 |
7.8 |
|
43 |
7.5 |
7.9 |
|
44 |
7.6 |
8.0 |
|
45 |
7.7 |
8.1 |
|
46 |
7.8 |
8.2 |
|
47 |
7.9 |
8.3 |
|
48 |
7.9 |
8.3 |
|
49 |
8.1 |
8.5 |
|
50 |
8.3 |
8.7 |
|
51 |
8.4 |
8.8 |
|
52 |
8.6 |
9.0 |
|
53 |
8.7 |
9.2 |
|
54 |
8.9 |
9.3 |
|
55 |
9.0 |
9.5 |
|
56 |
9.2 |
9.7 |
|
57 |
9.3 |
9.8 |
|
58 |
9.5 |
10.0 |
|
59 |
9.6 |
10.1 |
|
60 |
9.8 |
10.3 |
|
61 |
9.9 |
10.5 |