ZHCAED4 August 2024 ISO6520 , ISO6520-Q1 , ISO6521 , ISO6521-Q1
隔离式直流/直流电源通常采用标准 H 桥级,如图 2-1 所示。为开关功率 FET 生成 PWM 信号的数字控制器可以以隔离侧或非隔离侧为基准。在图 2-1 中,数字控制器以隔离侧为基准。
在非隔离侧,H 桥中的高侧功率 FET 需要一个电平转换信号来实现 FET 开关。此应用需要至少 100V 的阻断电压,并可抵抗隔离栅上的高压开关噪声 (>100kV/us)。
ISO65xx 等功能隔离器件非常适合此应用,能够在隔离栅上实现 VIOWM > 200Vrms 的电压。隔离侧可以使用类似的实现方式,其中隔离器用于高压阻断。这些设计中的低侧 FET 还可以选择使用 ISO65xx 来匹配高侧和低侧之间的传播延迟。
48V 直流/直流隔离栅也可能只需要可使用 ISO65xx 的功能隔离。如果在整个功率级需要基础型隔离,则可以选择 TI 的数字隔离器系列(如 ISO6741)用于跨隔离栅的 PWM 通信。