ZHCABM8D June 2011 – March 2022 UCC28950 , UCC28950-Q1 , UCC28951 , UCC28951-Q1

5 QA、QB、QC、QD FET 选择

需要根据最大漏源电压 (V_{dsQA_max}) 和峰值漏源电流 (I_{dsQA_max}) 选择用于驱动半桥的 FET (QA..QD)。

Equation30.

V_{d s Q A_m a x} \geq V_{I N M A X} = 410 V

Equation31.

I_{d s Q A_m a x} \geq I_{P P} = 3.3 A

然后，需要根据效率目标和 FET 功耗 (P_QA) 选择 FET，这是一个试错过程。公式 32 至 38 用于根据 FET 数据表参数估算 P_QA。为实现我们的效率目标，我们从 Infineon 选择了一款 20A、650V 的 CoolMOS FET，其 P_QA 估计为 2.1W，可让我们达到效率目标。

在本设计中，为满足效率和电压要求，我们为 QA..QD 选择了 Infineon 的 20A、650V CoolMOS FET。

FET 漏源导通电阻：

Equation32.

R_{d s (o n ） Q A} = 0.220 Ω

FET 指定的 C_OSS：

Equation33.

C_{O S S_Q A_S P E C} = 780 p F

用于测量 C_OSS 的漏源电压 (V_dsQA)，数据表参数：

Equation34.

V_{d s Q A} = 25 V

计算平均 C_oss [2]：

Equation35.

C_{O S S_Q A_A V G} = C_{O S S_Q A_S P E C} \sqrt{\frac{V_{d s Q A}}{V_{I N M A X}}} \approx 193 p F

QA FET 栅极电荷：

Equation36.

Q A_{g} = 15 n C

施加到 FET 栅极，以激活 FET 的电压：

Equation37.

V_{g} = 12 V

根据 R_ds(on)QA 和栅极电荷 (QA_g) 计算 QA 损耗 (P_QA)：

Equation38.

P_{Q A} = {I_{P R M S}}^{2} \times R_{d s (o n ） Q A} + 2 \times Q A_{g} \times V_{g} \times \frac{f s}{2} \approx 2.1 W

重新计算功率预算：

Equation39.

P_{B U D G E T} = P_{B U D G E T} - 4 \times P_{Q A} \approx 29.7 W