晶体振荡器频率取决于晶体的容性负载。晶体数据表中提供了要让振荡具有正确频率，晶体所需的负载电容 C_L。总 C_L 由负载电容器与布局和封装的寄生电容构成。C_L1 和 C_L2 与晶体串联。因此，假定 C_L1=C_L2 时，它们代表的有效负载电容为 C_L1/2。连接到晶体的板迹线之间的额外电容将会导致有效 C_L 增加。

要使用外部电容器来获取正确的频率，意味着必须将内部电容设置为最小值。例如，应用可以使用约为 2pF 的近似最小片上电容和 7pF 的片外电容来为晶体提供 9pF 的 C_L。表 3-1 显示了以这种方式使用外部电容器时，频率相对于温度的稳定性会比使用内部电容器时略微变差。当相对于射频载波频率的偏移为两倍晶体频率时，一些 Sub-1GHz 的用户可能需要使用外部负载电容器来减少杂散。

下面介绍了具有不同 C_L 值的晶体的相对优势。

具有较低 C_L 的劣势如下所示：

• C_L < 7pF 的晶体在较短的交货周期内更难买到。
• C_L 越小，频率对电路板电容的变化就越敏感。可在 C_L 低至 3pF 的条件下达到频率稳定性规格。
• 减少 C_L 会导致射频相位噪声性能下降。

较低 C_L 带来的优势如下所示：

• 较低的 C_L 会导致启动时间显著增加。（启动时间与 C_L² 成反比。）
• 较低的 C_L 会导致振幅控制环路响应时间变短。
• 较低的 C_L 使得更容易采用小尺寸晶体（2.0 × 1.6 等等）并保持启动时间等于或小于 400µs。采用较小晶体时，由于 L_M 增加，启动时间性能会变差。

内部负载电容对高频晶体的频率与温度关系曲线形状无显著影响。这可以通过查看以下两个图来看出。图 3-2 展示了使用 13 个不同但紧密排列的负载电容时的晶体频率与温度曲线。每个不同的负载电容都会造成曲线上下起伏，但并没有改变曲线的整体形状。这可以通过去掉每个曲线的偏移来看出，如图 3-3 中所示。

图 3-2 在 13 个很接近的负载电容值条件下，高频晶体的频率与温度曲线

图 3-3 去除频率与温度曲线的偏移

图 3-3 所示为内部负载电容的变化并未影响频率与温度曲线的形状。这表示内部负载电容对这个曲线影响极小。

CC13xx/CC26xx 硬件配置和 PCB 设计注意事项 中讨论了一种更改晶体片上负载电容的方法。