ZHCAAO3K December   2015  – April 2024 CC1310 , CC1350 , CC2620 , CC2630 , CC2640 , CC2640R2F , CC2640R2F-Q1 , CC2642R-Q1 , CC2650 , CC2662R-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1振荡器和晶体基础知识
    1. 1.1 振荡器操作
    2. 1.2 石英晶体电气模型
      1. 1.2.1 振荡频率
      2. 1.2.2 等效串联电阻
      3. 1.2.3 驱动电平
      4. 1.2.4 晶体牵引
    3. 1.3 负电阻
    4. 1.4 振荡器的时间常数
  5. 2CC 器件晶体振荡器概述
    1. 2.1 24MHz 和 48MHz 晶体振荡器
    2. 2.2 24MHz 和 48MHz 晶体控制环路
    3. 2.3 32.768kHz 晶体振荡器
  6. 3为 CC 器件选择晶体
    1. 3.1 运行模式
    2. 3.2 频率精度
      1. 3.2.1 24MHz 和 48MHz 晶体
      2. 3.2.2 32.768kHz 晶体
    3. 3.3 负载电容
    4. 3.4 ESR 和启动时间
    5. 3.5 驱动电平和功耗
    6. 3.6 晶体封装尺寸
  7. 4晶体的 PCB 布局
  8. 5测量晶体的振荡幅度
    1. 5.1 测量启动时间来确定 HPMRAMP1_TH 和 XOSC_HF_FAST_START
  9. 6适用于 CC13xx、CC26xx 和 CC23xx 的晶体
  10. 7高性能 BAW 振荡器
  11. 8参考文献
  12. 9修订历史记录

1.4 振荡器的时间常数

晶体振荡器的启动时间由开启时的瞬态条件、负电阻导致的小信号包络膨胀，以及大信号振幅限制所决定。包络膨胀是晶体的总负电阻与动态电感的函数。包络膨胀的时间常数与方程式 8 中给定的振荡器启动时间成正比。

方程式 8. GUID-1C0C3B9D-0B9A-4BE6-816C-0DF28FC01D97-low.gif

使用具有低 LM 的晶体时，启动时间会较短，使用具有大 RN（低 CL）的晶体时也是如此。应对低动态电容 (CM) 造成的牵引度与低动态电感 (LM) 带来的快速启动时间进行权衡，因为晶体的频率取决于 CM 和 LM。封装尺寸较小的晶体具有较大的 LM，与封装尺寸较大的晶体相比，启动速度更慢（请参阅节 1.2.1）。

表 1-1 总结了 TI 推荐可与 CC 器件配套使用的参考晶体的各种参数和参数值。

表 1-1 晶体参数
参数 说明 24MHz 晶体
用于 TI CC26x0 特性说明		 TI 假定默认
32.768kHz 晶体
动态电感 (LM) 在一定程度上决定晶体响应时间（晶体响应振荡器变化的速度）。Lm 越小 → 晶体响应振荡器变化的速度就越快。与 CM 一同构成决定晶体质量的主要因素 12.6mH 5.0kH
动态电容 (CM) 在一定程度上决定晶体响应时间。CM 越小 → 晶体响应振荡器变化的速度就越慢。 3.4fF 4.718fF
动态电阻 (RM) 在谐振条件下，Lm 和 CM 相互抵消，RM 会提供给振荡器。RM ~ ESR 假定 CL >> CO. 20Ω（60Ω 最大值） 37kΩ（70kΩ 最大值）
负载电容 (CL) 将晶体调优到正确频率所需的负载电容大小。该负载电容也有助于确定驱动电平。 9pF 7pF
并联电容 (C0) 这是晶体封装产生的寄生电容。它有助于确定可接受的驱动电平。 1.2pF 1pF
ESR 等效串联电阻。如果 CL >> CO，则 ESR ~ RM 20Ω（60Ω 最大值） 37kΩ
驱动电平 晶体长时间可靠运行的最大功率级别，请参阅方程式 5 200µW <500nW