ZHCAAO3K December   2015  – April 2024 CC1310 , CC1350 , CC2620 , CC2630 , CC2640 , CC2640R2F , CC2640R2F-Q1 , CC2642R-Q1 , CC2650 , CC2662R-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1振荡器和晶体基础知识
    1. 1.1 振荡器操作
    2. 1.2 石英晶体电气模型
      1. 1.2.1 振荡频率
      2. 1.2.2 等效串联电阻
      3. 1.2.3 驱动电平
      4. 1.2.4 晶体牵引
    3. 1.3 负电阻
    4. 1.4 振荡器的时间常数
  5. 2CC 器件晶体振荡器概述
    1. 2.1 24MHz 和 48MHz 晶体振荡器
    2. 2.2 24MHz 和 48MHz 晶体控制环路
    3. 2.3 32.768kHz 晶体振荡器
  6. 3为 CC 器件选择晶体
    1. 3.1 运行模式
    2. 3.2 频率精度
      1. 3.2.1 24MHz 和 48MHz 晶体
      2. 3.2.2 32.768kHz 晶体
    3. 3.3 负载电容
    4. 3.4 ESR 和启动时间
    5. 3.5 驱动电平和功耗
    6. 3.6 晶体封装尺寸
  7. 4晶体的 PCB 布局
  8. 5测量晶体的振荡幅度
    1. 5.1 测量启动时间来确定 HPMRAMP1_TH 和 XOSC_HF_FAST_START
  9. 6适用于 CC13xx、CC26xx 和 CC23xx 的晶体
  10. 7高性能 BAW 振荡器
  11. 8参考文献
  12. 9修订历史记录

1.3 负电阻

负电阻 (RN) 是完整振荡器电路的一个参数，而完整的振荡器电路包括电容器值、晶体参数和片上电路。CC 器件会动态调整振荡器参数，以确保晶体启动期间具有足够的振荡器裕量并在稳态期间释放裕量，从而降低电流消耗。这意味着，在使用满足 CC 数据表中所述要求的晶体时，可以在工作条件内保证适当的启动和稳定裕量。

方程式 7 给出了负电阻的近似值，并表明 CL 越小，负电阻值就越大。

方程式 7. GUID-AC8B36CA-31F0-47F1-8EB5-3978BE1345A4-low.gif

其中：

    gm为振荡器中有源元件的跨导，对于高频晶体振荡器，可以近似为 7 毫西；而对于低频晶体，则为 30 毫西
    CL为负载电容

您可以将一个电阻器与晶体串联以找到电路的负电阻。为避免寄生效应，TI 建议使用 0201 电阻器来完成此任务。额外 0201 外部电阻与 ESR 或晶体之和的阈值，即振荡器无法启动的阈值，可以近似为与电路负电阻相同。