KOKY031B September   2021  – April 2023 BQ25125 , LM5123-Q1 , LMR43610 , LMR43610-Q1 , LMR43620 , LMR43620-Q1 , TPS22916 , TPS3840 , TPS62840 , TPS63900 , TPS7A02

 

  1.   1
  2.   개요
  3.   한눈에 보기
  4.   IQ의 기여 요소
  5.   저 IQ가 또다른 어려움으로 이어지는 이유
    1.     과도 응답
    2.     리플
    3.     잡음
    4.     다이 크기 및 솔루션 영역
    5.     누출 및 하위 임계값 작동
  6.   저 IQ 장애물을 무너뜨리는 방법
    1.     과도 응답 문제 해결
    2.     스위칭 잡음 문제 해결
    3.     기타 잡음 문제 해결
    4.     다이 크기 및 솔루션 영역 문제 해결
    5.     누출 및 하위 임계값 작동 문제 해결
  7.   전기적 특성
    1.     18
    2.     저 IQ 설계의 잠재적 시스템 문제 방지
    3.     유연성과 저 IQ를 함께.
    4.     차량용 애플리케이션에서 외부 부품 개수를 줄여 IQ를 낮춥니다
    5.     스마트 켜기에서 저 IQ를 지원하는 기능을 스마트하게 사용하거나 활성화 또는 시스템 수준에서 저 IQ를 지원하는 기능을 활성화
  8.   마무리
  9.   저 IQ의 주요 제품 카테고리

누출 및 하위 임계값 작동 문제 해결

TI 전력 프로세스 기술은 최적화된 저전력 설계 구성 요소를 갖추고 있습니다. 새로운 회로 기법과 결합된 고밀도 저항과 커패시터는 IQ 및 다이 영역 모두를 줄일 수 있습니다. 전력 FET와 디지털 로직은 저유출 트랜지스터를 제공하는 동시에 속도에 최적화되므로 ISHDN과 영역이 독점적으로 손상되지는 않습니다. 그림 18또한 그림 18에 나와 있듯이 저 VGS-VT 수준에서 하위 임계값 작동의 정확한 모델링을 통해 피코암페어/마이크로미터 바이어싱 레벨까지 안정적으로 작동할 수 있습니다.

GUID-20210902-SS0I-BL7Z-6PCK-84K8WT7S4NBS-low.gif그림 18 시그마 IDS 백분율 불일치와 VGS-VT 비교.