ZHCSQQ6A October   2023  – October 2025 TPS2HCS10-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 器件比较表
  6. 引脚配置和功能
    1. 5.1 版本 A 封装
    2. 5.2 引脚排列 — 版本 A
    3. 5.3 版本 B 封装
    4. 5.4 引脚排列 — 版本 B
  7. 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 SPI 时序要求
    7. 6.7 开关特性
    8. 6.8 典型特性
  8. 参数测量信息
  9. 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 保护机制
        1. 8.3.1.1 过流保护
          1. 8.3.1.1.1 浪涌期间 - 过流保护
          2. 8.3.1.1.2 过流保护 - 稳态运行
          3. 8.3.1.1.3 可编程保险丝保护装置
          4. 8.3.1.1.4 立即关断过流保护 (IOCP)
          5. 8.3.1.1.5 自动重试与闭锁行为
        2. 8.3.1.2 热关断
        3. 8.3.1.3 电池反向
      2. 8.3.2 诊断机制
        1. 8.3.2.1 集成型 ADC
        2. 8.3.2.2 数字电流检测输出
        3. 8.3.2.3 输出电压测量
        4. 8.3.2.4 MOSFET 温度测量
        5. 8.3.2.5 漏源电压 (VDS) 测量
        6. 8.3.2.6 VBB 电压测量
        7. 8.3.2.7 VOUT 电池短路和开路负载
          1. 8.3.2.7.1 启用通道输出 (FET) 时的测量
          2. 8.3.2.7.2 在禁用通道输出的情况下进行检测
      3. 8.3.3 并联模式运行
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 状态图
      2. 8.4.2 输出控制
      3. 8.4.3 SPI 模式运行
      4. 8.4.4 故障报告
      5. 8.4.5 SLEEP
      6. 8.4.6 CONFIG/ACTIVE
      7. 8.4.7 LIMP_HOME 状态(仅限版本 A)
      8. 8.4.8 电池电源输入 (VBB) 欠压
      9. 8.4.9 低功耗模式 (LPM) 状态
        1. 8.4.9.1 MANUAL_LPM 状态
        2. 8.4.9.2 AUTO_LPM 状态
    5. 8.5 TPS2HCS10-Q1 寄存器
  10. 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 散热注意事项
        2. 9.2.2.2 配置电容充电模式
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 第三方产品免责声明
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • PWP|16
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

低功耗模式 (LPM) 状态

该器件提供两种低功耗模式 (LPM) 状态,在这两种状态下,器件可以保持导通状态,但器件会在低静态电流 (IQ) 状态下运行,以延长电池寿命。该器件提供手动 LPM (MANUAL_LPM) 状态,可通过 SPI 写入 LPM 寄存器进入该状态,并提供自动 LPM (AUTO_LPM) 状态,如果已启用通道中的输出电流低于特定的阈值达 tSTBY_LPM_AUTO,则可以自动进入该状态。

当器件处于任一 LPM 状态时,SPI 写入和读取只对 LPM 寄存器可用。在任一 LPM 状态下,器件可以继续以菊花链配置将 SPI 数据传递给连续的器件,并且仍可以读取 SDO 帧中的状态位。当器件进入和退出 LPM 时,SDO 帧中的故障位将更新,以提醒系统器件已退出 LPM 模式。

器件需要大于 VDD_UVLOF 的有效 VDD 电压才能保持在任一 LPM 状态。如果在任一 LPM 状态下移除 VDD 电压,器件将转换到 SLEEP 状态,进而禁用输出并清除寄存器。

在 MANUAL_LPM 状态下,器件会禁用所有诊断以及看门狗计时器和 I2T 保护功能,以帮助降低器件的 IQ。一旦器件退出 MANUAL_LPM,在进入 LPM 之前启用的诊断将自动重新启用。I2T 保护和看门狗计时器也将在退出 LPM 后重新启用。对于 AUTO_LPM 状态,在器件转换到 AUTO_LPM 状态之前,系统必须首先禁用看门狗计时器和除 ISNS 之外的所有 ADC 诊断。在 AUTO_LPM 状态下,器件将自动禁用 I2T 保护和 ISNS,并在器件退出 AUTO_LPM 状态进入 ACTIVE 状态时重新启用这些功能。在保护方面,短路保护在两种 LPM 状态下都保持启用。与 ACTIVE 状态下的短路阈值相比,LPM 状态下使用不同的短路阈值。

在任一 LPM 状态下,器件会通过转换到 ACTIVE 状态来自动响应负载电流增加的情况。如果电流增加过高,器件将触发其短路保护。对于 MANUAL_LPM 状态,器件可向微控制器(处于 SLEEP 模式)提供唤醒信号,以便在任一负载增加的情况下通过 FLT/WAKE_SIG 引脚唤醒系统。对于 AUTO_LPM 状态,只有负载增加到高于 LPM 短路阈值 (ISCP_AUTO) 才会触发 FLT/WAKE_SIG 引脚被拉至低电平。如果 AUTO_LPM 中的负载增加到高于退出阈值 (IEXIT_LPM_AUTO),但低于 ISCP_LPM_AUTO 阈值,则器件不会将 FLT/WAKE_SIG 引脚拉至低电平。对于这两种 LPM 状态,器件仅在 ACTIVE 状态下也确认过流时才会发出过流保护故障信号。

如果需要,系统可以根据器件所处的 LPM 状态,通过不同的 SPI 写入来手动将器件从 LPM 状态唤醒。如果在任一 LPM 状态下 LHI 变为高电平,器件将退出 LPM 并转换到 ACTIVE 状态,然后转换到 LIMP_HOME 状态。

下面的 表 8-11 重点介绍了这两种低功耗模式之间的一些主要差异。有关每个 LPM 状态如何工作的更多信息,请参阅以下有关 MANUAL_LPM 和 AUTO_LPM 状态的章节。

表 8-11 LPM 特性
模式类型 进入方法 规格 说明 典型值 单位
MANUAL_LPM 将 1 写入 LPM 寄存器中的 LPM 位 IQ,VBB,LPM_MAN 两个通道均启用 6.42 μA
IQ,VDD,LPM_MAN 两个通道均启用 15.6 μA
RON,LPM_MAN MANUAL_LPM 中的 RON 36
IEXIT_LPM_MAN IEXIT_LPM_MAN_CHx = 00 0.5 A
IEXIT_LPM_MAN_CHx = 01 0.625
IEXIT_LPM_MAN_CHx = 10 0.15
IEXIT_LPM_MAN_CHx = 11 0.325
ISCP_LPM_MAN 进入 MANUAL_LPM 时的短路阈值 4 A
AUTO_LPM 如果 AUTO_LPM_ENTRY = 1,则自动进入 IQ,VBB,LPM_AUTO 两个通道均启用 11.6 μA
IQ,VDD,LPM_AUTO 两个通道均启用 15.6 μA
RON,LPM_AUTO 进入 AUTO_LPM 时的 RON 11.3
tSTBY_LPM_AUTO 如果 IOUTx < IENTRY_LPM_AUTO,进入 AUTO_LPM 之前的待机时间 20 ms
IENTRY_LPM_AUTO 进入 AUTO_LPM 时的 IOUTx 电流 0.95 A
IEXIT_LPM_AUTO 退出 AUTO_LPM 时的 IOUTx 电流 1.05 A
ISCP_LPM_AUTO 进入 AUTO_LPM 状态时的短路阈值 13.7 A