ZHCSQQ6A October 2023 – October 2025 TPS2HCS10-Q1
PRODUCTION DATA
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
AUTO_LPM 状态提供了一种模式,在该模式下,器件可以自动转换到低 IQ 状态,同时根据需要保持通道导通并通过短路保护功能提供保护。根据所使用的器件版本,要进入 AUTO_LPM 状态,DEV_CONFIG 寄存器中的 AUTO_LPM_ENTRY 位需要设置为 1,并且至少需要在 tSTBY_LPM_AUTO 时满足以下条件:
满足这些条件后,器件将在进入 AUTO_LPM 状态之前更新 SDO FRAME/GLOBAL_FAULT_TYPE 寄存器中的 LPM_STATUS 位和 GLOBAL_FAULT_TYPE 寄存器中的 LPM_STATUS_1 位,以提醒系统器件已转换为 AUTO_LPM。器件将在 tLPM_ENTRY 时进入 AUTO_LPM 状态。
在 AUTO_LPM 状态下,将使用更大的内部 FET 来实现更大的负载阶跃。更大内部 FET 的 RON 由电气特性部分中的 RON,LPM_AUTO 定义。与 MANUAL_LPM 状态相比,进入 AUTO_LPM 状态时的 IQ 将更高。在 AUTO_LPM 状态下,进入阈值由 IENTRY_LPM_AUTO 指定,退出阈值由 IEXIT_LPM_AUTO 指定。
对于 TPS2HCS10A-Q1,MCU 或控制器可以向 AUTO_LPM_EXIT_CHx 位之一写入 1,以手动将器件从 AUTO_LPM 状态切换到 ACTIVE 状态。如果 AUTO_LPM_EXIT_CHx 为 1,则会在器件处于 ACTIVE 状态时启用尚未启用的相应通道。对于 TPS2HCS10A-Q1,在允许将器件转换回 AUTO_LPM 状态之前,两个 AUTO_LPM_EXIT_CHx 位都必须设回 0。
对于 TPS2HCS10B-Q1,AUTO_LPM_EXIT_CHx 位对 TPS2HCS10B-Q1 没有影响。通过更改处于 AUTO_LPM 状态的 DI1 和/或 DI2 的状态,系统可以手动让 TPS2HCS10B-Q1 器件退出 AUTO_LPM 模式。
处于 AUTO_LPM 状态时,器件将自行唤醒,并在负载电流增加到超过 IEXIT_LPM_AUTO 阈值时将 LPM_STATUS 位更改为 0。处于 AUTO_LPM 状态时,GLOBAL_FAULT_TYPE 寄存器中的 LPM_STATUS_1 位设置为 1,并被读取清除,这使系统能够判断自上次读取 GLOBAL_FAULT_TYPE 寄存器以来器件是否已转换到 AUTO_LPM 状态。当 ECU 负载电流需求增加到高于 IEXIT_LPM_AUTO 阈值时,将激活向 ACTIVE 状态的转换。请注意,在这种负载增加的情况下,器件不会将 FLT/WAKE_SIG 拉至低电平。
如果 ECU 负载电流需求增加较大或输出短路高于 ISCP_LPM_AUTO,器件将关闭该通道的内部 FET,并在 IOCP 设置为过流保护阈值时,在 tRETRY 后进行重试。在这种情况下,当负载电流增加到超过 ISCP_LPM_AUTO 阈值时,器件会将 FLT/WAKE_SIG 引脚拉至低电平。仅在 ACTIVE 状态下也确认过流时,该器件才会将故障记录为过流保护故障。
根据负载阶跃幅度,器件将以不同的方式转换到 ACTIVE 状态。图 8-34、图 8-35 和 图 8-36 展示了器件如何响应不同的负载阶跃幅度。