ZHCSQQ6A October 2023 – October 2025 TPS2HCS10-Q1
PRODUCTION DATA
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
当 PARALLEL_12 位设置为 1 时,器件支持并联模式;在该模式下,器件的输出可以在外部连接在一起,从而作为单通道器件运行。这会将 RON 降低约一半,并将连续输出电流增加约 2 倍。
设置 PARALLEL_12 位时,两条通道必须均关闭才能使其生效。要确认 PARALLEL_12 位是否生效,可读取 DEV_CONFIG 寄存器以验证 PARALLEL_12 位是否设置为 1。
以下各部分介绍器件并联模式特定的不同配置和行为。如果以下各部分中未介绍任何功能或特性,则器件将以与单通道运行相同的方式运行该功能或特性。
在并联模式下,仅通过 TPS2HCS10A-Q1 SW_STATE 寄存器中的 CH1_ON 位设置 ACTIVE 状态下的通道控制。对于 TPS2HCS10B-Q1,仅通过 DI1 引脚设置 ACTIVE 状态下的通道控制。对于 LIMP_HOME 状态,仅通过 DEV_CONFIG 寄存器中的 CH1_LH_IN 位设置通道控制。
在并联模式下,如果其中一条或两条通道上出现故障,则两条通道的故障标志都将针对相应的故障置为有效。
在并联模式下,两条通道都可以使用 ADC 诊断(ISNS、VSNS、VBBSNS、VDS_SNS 和 TSNS)。可以通过相应的 CHx_CONFIG 寄存器逐条通道使能或禁用这些诊断。
要进入 KSNS2 运行模式(也称为 OL_ON_EN_CHx = 1 模式),在 OL_ON_EN_CH1 位设置为 1 之前,输出电流必须低于 2 倍 IENTRY_OL_ON。如果电流不低于 2 倍 IENTRY_OL_ON,则不会进入 KSNS2 运行模式,且 KSNS1 运行模式将仍处于活动状态。如果通道以 KSNS2 模式运行且输出电流增加到 2 倍 IEXIT_OL_ON 以上,器件将自动退出 KSNS2 模式并转换为 KSNS1 模式,其中 OL_ON_EN_CH1 位将复位为 0 且整个 MOSFET 处于活动状态。如果电流再次降至低于 2 倍 IENTRY_OL_ON,则 OL_ON_EN_CH1 位需要重新设置为 1,才能再次转换到 KSNS2 运行模式。系统可通过写入 OL_ON_EN_CH1 = 0 来手动退出 KSNS2 运行模式。在 KSNS2 运行模式下通过集成式 ADC 测量输出电流时,系统应继续监测 OL_ON_EN_CH1 = 1 位,以确保在读取输出电流测量值时器件仍处于 KSNS2 运行模式。
关断状态开路负载检测和关断状态电池短路检测设置仅通过 CH1_CONFIG 寄存器进行设置。该器件仅使能通道 1 上的电路以检测关断状态开路负载和关断状态电池短路。
在并联模式下,可选浪涌周期内的过流保护仅通过 ILIM_CONFIG_CH1 寄存器进行设置。并联模式下可使用两种电容充电模式(无电容充电或电流调节)中的任何一种,并通过 CAP_CHRG_CH1 位进行设置。浪涌周期的持续时间通过 INRUSH_DURATION_CH1 设置。电容充电值通过 INRUSH_LIMIT_CH1 位设置,而并联运行时整个器件的有效值将约为 INRUSH_LIMIT_CH1 设置的两倍。
对于两种电容充电模式,将使能两条通道的过流保护和热关断保护。对于无电容充电模式,如果任一通道的输出电流高于 INRUSH_LIMIT_CH1 设置,则两条通道都将关闭。对于两种电容充电模式,如果任一通道发生热关断故障,则两条通道都将关闭。
有关如何在可选浪涌周期内配置器件用于过流保护的更多详细信息,请参阅下面的表 8-3。
| 电容充电模式 (CAP_CHRG_CH1) | 持续时间设置 | 值设置 | PARALLEL_12 = 1 时生效的典型值 |
|---|---|---|---|
| 00 | INRUSH_DURATION_CH1 [2:0] | INRUSH_LIMIT_CH1 [3:0] | 2x INRUSH_LIMIT_CH1 [3:0] |
| 10 | INRUSH_DURATION_CH1 [2:0] | INRUSH_LIMIT_CH1 [3:0] | 2x INRUSH_LIMIT_CH1 [3:0] |
在并联模式下,稳定状态运行时的即时关断过流保护 (IOCP) 仅通过 ILIM_CONFIG_CH1 寄存器中的 ILIMIT_SET_CH1 位设置。并联运行时整个器件的有效值将约为 ILIMIT_SET_CH1 设置的两倍。
在稳定状态运行时,将使能两条通道的过流保护和热关断保护。如果任一通道的输出电流高于 ILIMIT_SET_CH1 设置,则两条通道都将关闭。
并联模式下支持的最大 ILIMIT_SET_CH1 值为 20A。如果 CAP_CHRG_CH1 = 00,则并联模式下支持的最大 INRUSH_LIMIT_CH1 值为 20A。
在并联模式下,I2T 保护仅通过 I2T_CONFIG_CH1 寄存器进行设置。I2T 的 INOM 值通过 NOM_CUR_CH1 位设置,而并联运行时整个器件的有效值将约为 NOM_CUR_CH1 设置的两倍。I2T 阈值通过 I2T_TRIP_CH1 位设置,而并联运行时整个器件的有效值约为 I2T_TRIP_CH1 设置的四倍。ISWCL 值通过 ISWCL_CH1 位设置,而并联运行时整个器件的有效值约为 ISWCL_CH1 设置的两倍。
并联模式下使能 I2T 仅通过 ILIM_CONFIG_CH1 寄存器中的 I2T_EN_CH1 位完成。
对于 I2T 累加,仅使用通道 1 的电流检测。如果通道 1 超过 I2T_TRIP_CH1 值,则两条通道都将关断。
在并联模式下,通过 MANUAL_LPM_ENTRY 位进入 MANUAL_LPM。器件的运行方式与 MANUAL_LPM 部分中所述的单通道运行方式相同,但有以下例外:
在并联模式下,AUTO_LPM_ENTRY 位设置为 1 时,器件进入 AUTO_LPM。器件的运行方式与 AUTO_LPM 部分中所述的单通道运行方式相同,但有以下例外:
在并联模式下,PWM 设置仅通过 PWM_CH1 寄存器进行设置。PWM_SHIFT_DIS 位将被忽略,因为两条通道将同时开启。在并联模式下使能 PWM 通过 PWM_EN_CH1 位完成。
每条通道的 RON 彼此略有不同,并会导致较小的负载不匹配。这是在电气特性中通过 ΔRON 参数指定的。
在并联模式下,输出通道的布线对于避免任何额外的负载不匹配非常重要。输出走线应对称,以避免可能导致输出通道电流消耗不均匀的任何额外电阻。