ZHCSQQ6A October 2023 – October 2025 TPS2HCS10-Q1
PRODUCTION DATA
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
负载电容充电时,输出电压将斜升。在此期间,由于漏源电压较大,因此 FET 中的功率耗散较高。功率耗散和由此导致的器件结温升高会限制在器件进入热关断前可充电的电容。通常,充电速率(电流)越低,可充电的电容值就越高。但是,如果使用较低的充电电流,充电时间将更长。在此处考虑的应用案例中,FET 结温预计不会达到热关断阈值。