ZHCSN07C december   2020  – may 2023 TMP139

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
    7. 6.7 开关特性
    8. 6.8 时序图
    9. 6.9 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 上电序列
      2. 7.3.2 断电和器件复位
      3. 7.3.3 温度结果和限制
      4. 7.3.4 总线复位
      5. 7.3.5 中断生成
      6. 7.3.6 奇偶校验错误检查
      7. 7.3.7 数据包错误检查
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 转换模式
      2. 7.4.2 串行地址
      3. 7.4.3 I2C 模式运行
        1. 7.4.3.1 主机 I2C 写入操作
        2. 7.4.3.2 主机 I2C 读取操作
        3. 7.4.3.3 默认读取地址指针模式下的主机 I2C 读取操作
        4. 7.4.3.4 从 I2C 模式切换到 I3C 基本模式
      4. 7.4.4 I3C 基本模式运行
        1. 7.4.4.1 没有 PEC 的主机 I3C 写入操作
        2. 7.4.4.2 有 PEC 的主机 I3C 写入操作
        3. 7.4.4.3 没有 PEC 的主机 I3C 读取操作
        4. 7.4.4.4 有 PEC 的主机 I3C 读取操作
        5. 7.4.4.5 默认读取地址指针模式下的主机 I3C 读取操作
      5. 7.4.5 带内中断
        1. 7.4.5.1 带内中断仲裁规则
        2. 7.4.5.2 带内中断总线事务
      6. 7.4.6 常见命令代码支持
        1. 7.4.6.1 ENEC CCC
        2. 7.4.6.2 DISEC CCC
        3. 7.4.6.3 RSTDAA CCC
        4. 7.4.6.4 SETAASA CCC
        5. 7.4.6.5 GETSTATUS CCC
        6. 7.4.6.6 DEVCAP CCC
        7. 7.4.6.7 SETHID CCC
        8. 7.4.6.8 DEVCTRL CCC
      7. 7.4.7 I/O 操作
      8. 7.4.8 时序图
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 启用中断机制
      2. 7.5.2 清除中断
    6. 7.6 寄存器映射
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 接收文档更新通知
    2. 9.2 支持资源
    3. 9.3 商标
    4. 9.4 静电放电警告
    5. 9.5 术语表
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • YAH|6
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

4 修订历史记录

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLB (November 2022)to RevisionC (May 2023)

  • 将 MR2 寄存器的复位值从 04h 更改为 06hGo
  • 将 MR2 DEV_REV_MINOR[2:0] 位的复位值从 010 更改为 011Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLA (February 2022)to RevisionB (November 2022)

  • 将器件信息 表更改为封装信息 Go
  • 将 IQ 的典型值从 4.7µA 更新为 8.3µAGo
  • 将 IQ 的最大值从 10µA 更新为 12.4µA Go
  • 更新了 IDDR 的测试条件和典型电流Go
  • 更新了 IDDW 的测试条件和典型电流Go
  • 将有效电流的典型值从 92µA 更新为 99µA Go
  • 将待机电流的典型值从 0.6µA 更新为 4µAGo
  • 将待机电流的最大值从 4µA 更新为 6.5µA Go
  • 将 I3C 模式下的 tSUSTA 从 19.2ns 更新为 12ns 以符合 JESD302-1 要求Go
  • 将 I3C 模式下的 tHDSTA 从 38.4ns 更新为 30ns 以符合 JESD302-1 要求Go
  • 将 I3C 模式下的 tSUSTO 从 19.2ns 更新为 12ns 以符合 JESD302-1 要求Go
  • 更改了 图 6-8 至 图 6-12 Go
  • 将电源相关建议 和布局 部分移到了应用和实施 部分Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTML* (December 2020)to RevisionA (February 2022)

  • 将 MR2 寄存器的复位值从 02h 更改为 04hGo
  • 更改了 DEF_ADDR_POINT_EN 位说明Go
  • 更改了 MR7 寄存器说明中的地址Go