ZHCSLX6A June   2021  – September 2021 TMAG5273

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 修订历史记录
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议运行条件
    4. 6.4  热性能信息
    5. 6.5  电气特性
    6. 6.6  温度传感器
    7. 6.7  A1 的磁特性
    8. 6.8  A2 的磁特性
    9. 6.9  磁温度补偿特性
    10. 6.10 I2C 接口时序
    11. 6.11 上电和转换时间
    12. 6.12 典型特性
  8. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 磁通量方向
      2. 7.3.2 传感器位置
      3. 7.3.3 中断功能
      4. 7.3.4 器件 I2C 地址
      5. 7.3.5 磁场范围选择
      6. 7.3.6 更新速率设置
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 待机(触发)模式
      2. 7.4.2 睡眠模式
      3. 7.4.3 唤醒和睡眠 (W&S) 模式
      4. 7.4.4 连续测量模式
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 I2C 接口
        1. 7.5.1.1 SCL
        2. 7.5.1.2 SDA
        3. 7.5.1.3 I2C 读取/写入
          1. 7.5.1.3.1 标准 I2C 写入
          2. 7.5.1.3.2 通用广播写入
          3. 7.5.1.3.3 标准 3 字节 I2C 读取
          4. 7.5.1.3.4 16 位数据的 1 字节 I2C 读取命令
          5. 7.5.1.3.5 8 位数据的 1 字节 I2C 读取命令
          6. 7.5.1.3.6 I2C 读取 CRC
      2. 7.5.2 数据定义
        1. 7.5.2.1 磁传感器数据
        2. 7.5.2.2 温度传感器数据
        3. 7.5.2.3 角度和幅度定义
        4. 7.5.2.4 磁传感器偏移校正
    6. 7.6 寄存器映射
      1. 7.6.1 TMAG5273 寄存器
  9. 应用和实现
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 选择灵敏度选项
      2. 8.1.2 磁体的温度补偿
      3. 8.1.3 传感器转换
        1. 8.1.3.1 连续转换
        2. 8.1.3.2 触发器转换
        3. 8.1.3.3 伪同步采样
      4. 8.1.4 磁体限制检查
      5. 8.1.5 线性测量过程中的误差计算
      6. 8.1.6 角度测量过程中的误差计算
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 磁篡改检测
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计过程
        3. 8.2.1.3 应用曲线
      2. 8.2.2 I2C 地址扩展
        1. 8.2.2.1 设计要求
        2. 8.2.2.2 详细设计过程
      3. 8.2.3 角度测量
        1. 8.2.3.1 设计要求
        2. 8.2.3.2 详细设计过程
          1. 8.2.3.2.1 角度测量的增益调整
        3. 8.2.3.3 应用曲线
    3. 8.3 该做事项和禁止事项
  10. 电源相关建议
  11. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 支持资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 静电放电警告
    6. 11.6 术语表
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

电气特性

在自然通风条件下的工作温度范围内(除非另有说明)
在建议的 VCC 范围内(除非另有说明)
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
SDA、INT
VOL 输出低电压、SDA、INT 引脚 IOUT = 2mA 0 0.4 V
IOZ 输出漏电流、SDA、INT 引脚 输出禁用,VOZ = 5.5V ±100 nA
tFALL_INT INT 输出下降时间 RPU =10KΩ,CL =20pF,VPU =1.65V 至 5.5V 6 ns
tINT (INT) 脉冲模式下 INT 的中断持续时间 INT_MODE =001b 或 010b 10 µs
tINT (SCL) SCL 中断持续时间 INT_MODE =011b 或 100b 10 µs
直流电源部分
VCCUV (1) VCC 的欠压阈值 VCC = 2.3V 至 3.6V 1.9 2.0 2.2 V
IACTIVE 活动模式电流  X、Y、Z 或热传感器有效转换,LP_LN = 0b 2.3 mA
IACTIVE 活动模式电流  X、Y、Z 或热传感器有效转换,LP_LN = 1b 3.0 mA
ISTANDBY 待机模式电流 器件处于触发模式,未开始转换 0.45 mA
ISLEEP 睡眠模式电流 5 nA
唤醒和睡眠 (W&S) 模式期间的平均功耗
ICC_DCM_1000_1 W&S 模式电流消耗 唤醒间隔 1ms,磁性单通道转换,LP_LN =0b,VCC = 3.3V 160 µA
ICC_DCM_1000_1 W&S 模式电流消耗 唤醒间隔 1ms,磁性单通道转换,LP_LN =0b,VCC = 1.8V 156 µA
ICC_DCM_1000_4 W&S 模式电流消耗 唤醒间隔 1ms,四通道转换,LP_LN =0b,VCC = 3.3V 240 µA
ICC_DCM_1000_4 W&S 模式电流消耗 唤醒间隔 1ms,四通道转换,LP_LN =0b,VCC = 1.8V 233 µA
ICC_DCM_0p2_1 W&S 模式电流消耗 唤醒间隔 5000ms,磁性单通道转换,LP_LN =0b,VCC = 3.3V 1.21 µA
ICC_DCM_0p2_1 W&S 模式电流消耗 唤醒间隔 5000ms,磁性单通道转换,LP_LN =0b,VCC = 1.8V 1.00 µA
ICC_DCM_0p2_4 W&S 模式电流消耗 唤醒间隔 5000ms,四通道转换,LP_LN =0b,VCC = 3.3V 1.22 µA
ICC_DCM_0p2_4 W&S 模式电流消耗 唤醒间隔 5000ms,四通道转换,LP_LN =0b,VCC = 1.8V 1.02 µA
VCC < 2.3V 时,DIAG_STATUS 和 VCC_UV_ER 位无效