ZHCSLX6A June   2021  – September 2021 TMAG5273

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 修订历史记录
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议运行条件
    4. 6.4  热性能信息
    5. 6.5  电气特性
    6. 6.6  温度传感器
    7. 6.7  A1 的磁特性
    8. 6.8  A2 的磁特性
    9. 6.9  磁温度补偿特性
    10. 6.10 I2C 接口时序
    11. 6.11 上电和转换时间
    12. 6.12 典型特性
  8. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 磁通量方向
      2. 7.3.2 传感器位置
      3. 7.3.3 中断功能
      4. 7.3.4 器件 I2C 地址
      5. 7.3.5 磁场范围选择
      6. 7.3.6 更新速率设置
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 待机(触发)模式
      2. 7.4.2 睡眠模式
      3. 7.4.3 唤醒和睡眠 (W&S) 模式
      4. 7.4.4 连续测量模式
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 I2C 接口
        1. 7.5.1.1 SCL
        2. 7.5.1.2 SDA
        3. 7.5.1.3 I2C 读取/写入
          1. 7.5.1.3.1 标准 I2C 写入
          2. 7.5.1.3.2 通用广播写入
          3. 7.5.1.3.3 标准 3 字节 I2C 读取
          4. 7.5.1.3.4 16 位数据的 1 字节 I2C 读取命令
          5. 7.5.1.3.5 8 位数据的 1 字节 I2C 读取命令
          6. 7.5.1.3.6 I2C 读取 CRC
      2. 7.5.2 数据定义
        1. 7.5.2.1 磁传感器数据
        2. 7.5.2.2 温度传感器数据
        3. 7.5.2.3 角度和幅度定义
        4. 7.5.2.4 磁传感器偏移校正
    6. 7.6 寄存器映射
      1. 7.6.1 TMAG5273 寄存器
  9. 应用和实现
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 选择灵敏度选项
      2. 8.1.2 磁体的温度补偿
      3. 8.1.3 传感器转换
        1. 8.1.3.1 连续转换
        2. 8.1.3.2 触发器转换
        3. 8.1.3.3 伪同步采样
      4. 8.1.4 磁体限制检查
      5. 8.1.5 线性测量过程中的误差计算
      6. 8.1.6 角度测量过程中的误差计算
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 磁篡改检测
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计过程
        3. 8.2.1.3 应用曲线
      2. 8.2.2 I2C 地址扩展
        1. 8.2.2.1 设计要求
        2. 8.2.2.2 详细设计过程
      3. 8.2.3 角度测量
        1. 8.2.3.1 设计要求
        2. 8.2.3.2 详细设计过程
          1. 8.2.3.2.1 角度测量的增益调整
        3. 8.2.3.3 应用曲线
    3. 8.3 该做事项和禁止事项
  10. 电源相关建议
  11. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 支持资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 静电放电警告
    6. 11.6 术语表
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

上电和转换时间

在自然通风条件下的工作温度范围内测得(除非另有说明)
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
tstart_power_up VCC 电源电压超过 VCC_MIN 后进入待机模式所需的时间 270 µs
tstart_sleep 从睡眠模式进入待机模式所需的时间(1) 50 µs
tstart_measure 从待机模式进入连续测量模式所需的时间 70 µs
tmeasure 转换时间(2) CONV_AVG = 000b,OPERATING_MODE =10b,仅启用一个通道 50 µs
tmeasure 转换时间(3) CONV_AVG = 101b,OPERATING_MODE =10b,仅启用一个通道 825 µs
tgo_sleep SCL 变为高电平后进入睡眠模式所需的时间 20 µs
在待机或连续测量模式期间,器件仅识别来自主器件的 I2C 通信。当器件处于睡眠模式时,有效的辅助地址将唤醒器件,但不会向主器件发送确认。在唤醒后寻址器件之前,必须考虑启动时间。
在 CONV_AVG = 000b 的情况下,对于为转换启用的每个额外磁通道,会添加 25µs。当 CONV_AVG = 000b 时,转换时间不随 T_CH_EN 位设置而改变。

在 CONV_AVG =101b 的情况下进行转换时,每个通道数据将收集 32 次。如果在 CONV_AVG = 101b 的情况下启用了一个额外的通道,则在计算两个通道的转换时间时要为 tmeasure 加上 32×25µs = 800µs。