ZHCSYC3 May   2025 TAS5830

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序要求
    7. 5.7 典型特性
      1. 5.7.1 采用 BD 调制的桥接负载 (BTL) 配置曲线
      2. 5.7.2 采用 1SPW 调制的桥接负载 (BTL) 配置曲线
      3. 5.7.3 采用 BD 调制的并行桥接负载 (PBTL) 配置
      4. 5.7.4 采用 1SPW 调制的并行桥接负载 (PBTL) 配置
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 电源
      2. 6.3.2 器件时钟
      3. 6.3.3 串行音频端口 – 时钟速率
      4. 6.3.4 时钟暂停自动恢复
      5. 6.3.5 采样率动态变化
      6. 6.3.6 串行音频端口 - 数据格式和位深度
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 软件控制
      2. 6.4.2 扬声器放大器工作模式
        1. 6.4.2.1 BTL 模式
        2. 6.4.2.2 PBTL 模式
      3. 6.4.3 低 EMI 模式
        1. 6.4.3.1 展频
        2. 6.4.3.2 通道间相移
        3. 6.4.3.3 多器件 PWM 相位同步
          1. 6.4.3.3.1 启动阶段与 I2S 时钟的相位同步
          2. 6.4.3.3.2 通过 GPIO 实现相位同步
      4. 6.4.4 热折返
      5. 6.4.5 器件状态控制
      6. 6.4.6 器件调制
        1. 6.4.6.1 BD 调制
        2. 6.4.6.2 1SPW 调制
        3. 6.4.6.3 混合调制
      7. 6.4.7 编程和控制
        1. 6.4.7.1 I2C 串行通信总线
        2. 6.4.7.2 硬件控制模式
        3. 6.4.7.3 I2C 目标地址
          1. 6.4.7.3.1 随机写入
          2. 6.4.7.3.2 顺序写入
          3. 6.4.7.3.3 随机读取
          4. 6.4.7.3.4 顺序读取
          5. 6.4.7.3.5 DSP 存储器 Book、Page 和 BQ 更新
          6. 6.4.7.3.6 校验和
            1. 6.4.7.3.6.1 循环冗余校验 (CRC) 校验和
            2. 6.4.7.3.6.2 异或 (XOR) 校验和
        4. 6.4.7.4 通过软件进行控制
          1. 6.4.7.4.1 启动过程
          2. 6.4.7.4.2 关断过程
        5. 6.4.7.5 保护和监控
          1. 6.4.7.5.1 过流限制（逐周期）
          2. 6.4.7.5.2 过流关断 (OCSD)
          3. 6.4.7.5.3 直流检测误差
          4. 6.4.7.5.4 过热关断 (OTSD)
          5. 6.4.7.5.5 PVDD 过压和欠压误差
          6. 6.4.7.5.6 PVDD 压降检测
          7. 6.4.7.5.7 时钟故障
  8. 7 寄存器映射
    1. 7.1 reg_map 寄存器
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 典型应用
      1. 8.1.1 2.0（立体声 BTL）系统
      2. 8.1.2 单声道 (PBTL) 系统
    2. 8.2 电源相关建议
      1. 8.2.1 DVDD 电源
      2. 8.2.2 PVDD 电源
    3. 8.3 布局
      1. 8.3.1 布局指南
        1. 8.3.1.1 音频放大器通用指南
        2. 8.3.1.2 PVDD 网络中 PVDD 旁路电容布置的重要性
        3. 8.3.1.3 优化散热性能
      2. 8.3.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 器件命名规则
      2. 9.1.2 开发支持
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.4.4 热折返

热折返 (TFB) 旨在防止 TAS5830 因芯片温度过度升高而损坏，以防器件在超过建议的温度/功率限值或热系统设计低于建议值的情况下运行。TFB 允许 TAS5830 播放尽可能大的音量，而不会触发意外的热关断。TAS5830 有四个过热警告 (OTW) 阈值，I2C 寄存器 0x73 的位 0、1、2 和 3 中指示了每个阈值。当 OTW 值（温度）从 1 级（最低 OTW 温度）增加到 4 级（最高 OTW 温度）时，内部自动增益限制器 (AGL) 会逐渐降低数字增益。应用的增益衰减与 OTW 电平成正比，较低的 OTW 电平会导致较低的衰减，而较高的 OTW 电平会导致较高的衰减。当裸片温度降低而 OTW 电平降低时，数字信号增益会逐渐增加，直到温度降至 OTW 电平以下并且数字增益恢复到原始电平。衰减增益和可调速率都是可编程的。TFB 增益调节速度（启动速率和释放速率）设置与常规 AGL 相同，也可以使用 PurePathTM Console3 中的 TAS5830 应用进行配置。