ZHCSYC3 May   2025 TAS5830

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序要求
    7. 5.7 典型特性
      1. 5.7.1 采用 BD 调制的桥接负载 (BTL) 配置曲线
      2. 5.7.2 采用 1SPW 调制的桥接负载 (BTL) 配置曲线
      3. 5.7.3 采用 BD 调制的并行桥接负载 (PBTL) 配置
      4. 5.7.4 采用 1SPW 调制的并行桥接负载 (PBTL) 配置
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 电源
      2. 6.3.2 器件时钟
      3. 6.3.3 串行音频端口 – 时钟速率
      4. 6.3.4 时钟暂停自动恢复
      5. 6.3.5 采样率动态变化
      6. 6.3.6 串行音频端口 - 数据格式和位深度
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 软件控制
      2. 6.4.2 扬声器放大器工作模式
        1. 6.4.2.1 BTL 模式
        2. 6.4.2.2 PBTL 模式
      3. 6.4.3 低 EMI 模式
        1. 6.4.3.1 展频
        2. 6.4.3.2 通道间相移
        3. 6.4.3.3 多器件 PWM 相位同步
          1. 6.4.3.3.1 启动阶段与 I2S 时钟的相位同步
          2. 6.4.3.3.2 通过 GPIO 实现相位同步
      4. 6.4.4 热折返
      5. 6.4.5 器件状态控制
      6. 6.4.6 器件调制
        1. 6.4.6.1 BD 调制
        2. 6.4.6.2 1SPW 调制
        3. 6.4.6.3 混合调制
      7. 6.4.7 编程和控制
        1. 6.4.7.1 I2C 串行通信总线
        2. 6.4.7.2 硬件控制模式
        3. 6.4.7.3 I2C 目标地址
          1. 6.4.7.3.1 随机写入
          2. 6.4.7.3.2 顺序写入
          3. 6.4.7.3.3 随机读取
          4. 6.4.7.3.4 顺序读取
          5. 6.4.7.3.5 DSP 存储器 Book、Page 和 BQ 更新
          6. 6.4.7.3.6 校验和
            1. 6.4.7.3.6.1 循环冗余校验 (CRC) 校验和
            2. 6.4.7.3.6.2 异或 (XOR) 校验和
        4. 6.4.7.4 通过软件进行控制
          1. 6.4.7.4.1 启动过程
          2. 6.4.7.4.2 关断过程
        5. 6.4.7.5 保护和监控
          1. 6.4.7.5.1 过流限制（逐周期）
          2. 6.4.7.5.2 过流关断 (OCSD)
          3. 6.4.7.5.3 直流检测误差
          4. 6.4.7.5.4 过热关断 (OTSD)
          5. 6.4.7.5.5 PVDD 过压和欠压误差
          6. 6.4.7.5.6 PVDD 压降检测
          7. 6.4.7.5.7 时钟故障
  8. 7 寄存器映射
    1. 7.1 reg_map 寄存器
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 典型应用
      1. 8.1.1 2.0（立体声 BTL）系统
      2. 8.1.2 单声道 (PBTL) 系统
    2. 8.2 电源相关建议
      1. 8.2.1 DVDD 电源
      2. 8.2.2 PVDD 电源
    3. 8.3 布局
      1. 8.3.1 布局指南
        1. 8.3.1.1 音频放大器通用指南
        2. 8.3.1.2 PVDD 网络中 PVDD 旁路电容布置的重要性
        3. 8.3.1.3 优化散热性能
      2. 8.3.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 器件命名规则
      2. 9.1.2 开发支持
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.3.1.1 音频放大器通用指南

包含开关输出级的音频放大器必须特别注意布局以及其周围使用的支持元件的布局。系统级性能指标，包括热性能、电磁兼容性 (EMC)、器件可靠性和音频性能，都会受到器件和支持元件布局的影响。

严格遵循节 8.3.2 中所示的布局指南即可符合应用部分中提供的器件和元件选型指南。这些示例代表了在布置器件时所涉及的工程权衡的示范性基准平衡。这些设计可以根据需要稍加修改以满足特定应用的需求。例如，在某些应用中，可以通过在器件中使用额外的连续覆铜，以增大器件涉及为代价来改善散热性能。反之，通过在内部走线进行布线并加入过孔栅栏和附加滤波元件，可以折损散热性能来优先考虑 EMI 性能。在所有情况下，TI 建议从节 8.3.2 中所示的指导开始，并与 TI 现场应用工程师合作，或通过 E2E 社区根据应用特定目标修改示例。