ZHCSXN6 December   2024 TAS5815

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5.   器件比较表
  6. 4 引脚配置和功能
  7. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序要求
  8. 6 典型特性
    1. 6.1 采用 BD 调制的桥接负载 (BTL) 配置曲线
    2. 6.2 采用 1SPW 调制的桥接负载 (BTL) 配置曲线
    3. 6.3 采用 BD 调制的并行桥接负载 (PBTL) 配置
    4. 6.4 采用 1SPW 调制的并行桥接负载 (PBTL) 配置
  9. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 电源
      2. 7.3.2 器件时钟
      3. 7.3.3 串行音频端口 – 时钟速率
      4. 7.3.4 串行音频端口 - 数据格式和位深度
      5. 7.3.5 时钟暂停自动恢复
      6. 7.3.6 采样率动态变化
      7. 7.3.7 数字音频处理
      8. 7.3.8 D 类音频放大器
        1. 7.3.8.1 扬声器放大器增益选择
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 软件控制
      2. 7.4.2 扬声器放大器工作模式
        1. 7.4.2.1 BTL 模式
        2. 7.4.2.2 PBTL 模式
      3. 7.4.3 低 EMI 模式
        1. 7.4.3.1 采用展频技术更大限度地降低 EMI
        2. 7.4.3.2 通过通道间相移更大限度地降低 EMI
        3. 7.4.3.3 通过多器件 PWM 相位同步更大限度地降低 EMI
      4. 7.4.4 热折返
      5. 7.4.5 器件状态控制
      6. 7.4.6 器件调制
        1. 7.4.6.1 BD 调制
        2. 7.4.6.2 1SPW 调制
        3. 7.4.6.3 混合调制
      7. 7.4.7 Load Detect
        1. 7.4.7.1 短路负载检测
        2. 7.4.7.2 开路负载检测
    5. 7.5 编程和控制
      1. 7.5.1 I2C 串行通信总线
      2. 7.5.2 目标地址
        1. 7.5.2.1 随机写入
        2. 7.5.2.2 随机读取
        3. 7.5.2.3 顺序写入
        4. 7.5.2.4 顺序读取
        5. 7.5.2.5 DSP 存储器 Book、Page 和 BQ 更新
        6. 7.5.2.6 使用示例
        7. 7.5.2.7 校验和
          1. 7.5.2.7.1 循环冗余校验 (CRC) 校验和
          2. 7.5.2.7.2 异或 (XOR) 校验和
      3. 7.5.3 通过软件进行控制
        1. 7.5.3.1 启动过程
        2. 7.5.3.2 关断过程
        3. 7.5.3.3 保护和监控
          1. 7.5.3.3.1 过流关断 (OCSD)
          2. 7.5.3.3.2 直流检测
          3. 7.5.3.3.3 器件过热保护
          4. 7.5.3.3.4 过压保护
          5. 7.5.3.3.5 欠压保护
          6. 7.5.3.3.6 时钟故障
  10. 8 寄存器映射
    1. 8.1 CONTROL PORT 寄存器
  11. 9 应用信息免责声明
    1. 9.1 应用信息
      1. 9.1.1 自举电容器
      2. 9.1.2 电感器选型
      3. 9.1.3 电源去耦
      4. 9.1.4 输出 EMI 滤波
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 2.0（立体声 BTL）系统
        1. 9.2.1.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 第 1 步：硬件完整性
        2. 9.2.2.2 第 2 步：扬声器调优
        3. 9.2.2.3 第 3 步：软件集成
      3. 9.2.3 单声道 (PBTL) 系统
        1. 9.2.3.1 设计要求
      4. 9.2.4 高级 2.1 系统（两个 TAS5815 器件）
  12. 10电源相关建议
    1. 10.1 DVDD 电源
    2. 10.2 PVDD 电源
  13. 11布局
    1. 11.1 布局指南
      1. 11.1.1 音频放大器通用指南
      2. 11.1.2 PVDD 网络中 PVDD 旁路电容布置的重要性
      3. 11.1.3 优化散热性能
        1. 11.1.3.1 器件、覆铜和元件布局
        2. 11.1.3.2 模板图案
          1. 11.1.3.2.1 PCB 尺寸和过孔排列
          2. 11.1.3.2.2 焊接模板
    2. 11.2 布局示例
  14. 12器件和文档支持
    1. 12.1 器件支持
      1. 12.1.1 器件命名规则
    2. 12.2 支持资源
    3. 12.3 商标
    4. 12.4 静电放电警告
    5. 12.5 术语表
  15. 13修订历史记录
  16. 14机械和封装信息
    1. 14.1 封装选项附录

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

9.1.1 自举电容器

TAS5815 的输出级使用高侧 NMOS 驱动器，而不是 PMOS 驱动器。为生成高侧 NMOS 的栅极驱动器电压，每个输出端子的自举电容器将充当开关周期的浮动电源。使用 0.22µF 电容器将相应的输出引脚 (OUT_X) 连接到自举引脚 (BST_X)。例如，在 OUT_A 和 BST_A 之间连接一个 0.22µF 电容器，用于自举 A 通道。同样，在 OUT_B 和 BST_B 引脚之间连接另一个 0.22µF 电容器，用于 B 通道反相输出。