TAS5815 具有不同功率耗散的五种状态,电气特性 表中列出了这些状态。
- 关断模式。PDN 引脚下拉至 GND。所有内部 LDO(数字内核为 1.5V,模拟为 5V)禁用,所有寄存器清除至默认值。
注: 从关断模式退出并重新进入播放模式时,需要按照启动序列操作,然后再次重新加载所有寄存器配置(这些配置可以通过 PurePath Console3 生成)。
- 深度睡眠模式。寄存器 0x68h [1:0]=00,器件保持深度睡眠模式。在此模式下,I2C 块和用于数字内核的1.5V LDO 仍然工作,但内部 5V LDO(用于 AVDD 和 MOSFET 栅极驱动器)已禁用,以实现低功率耗散。此模式可用于延长某些便携式扬声器应用中的电池寿命。如果主机处理器长时间停止播放音频,可以设置为深度睡眠模式以更大限度地降低功率耗散,直到主机处理器再次开始播放音频。与关断模式(将 PDN 拉至低电平)不同的是,进入或退出深度睡眠模式,DSP 保持运行状态。
- 睡眠模式。寄存器 0x68h [1:0]=01,器件保持睡眠模式。在此模式下,I2 C 块、数字内核、DSP 存储器、5V 模拟 LDO 仍然工作。与关断模式(将 PDN 拉至低电平)不同的是,进入或退出睡眠模式,DSP 保持运行状态。退出此模式并重新进入播放模式,只需设置寄存器 0x68h [1:0]=11。
- 输出 Hi-Z 模式。寄存器 0x68h [1:0]=10,器件保持 Hi-Z 模式。在此模式下,只有输出驱动器设置为 Hi-Z 状态,所有其他块都正常运行。退出此模式并重新进入播放模式,只需设置寄存器 0x68h [1:0]=11。
- 播放模式。寄存器 0x68h [1:0]=11,器件保持播放模式。