ZHCSLY1E February   2020  – October 2025 LM61480-Q1 , LM61495-Q1 , LM62460-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 计时特点
    7. 6.7 开关特性
    8. 6.8 系统特性
    9. 6.9 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  输出电压选择
      2. 7.3.2  使能 EN 引脚和 VIN UVLO 用途
      3. 7.3.3  用于同步的 SYNC/MODE
      4. 7.3.4  时钟锁定
      5. 7.3.5  可调开关频率
      6. 7.3.6  RESET 输出运行
      7. 7.3.7  内部 LDO、VCC UVLO 和 BIAS 输入
      8. 7.3.8  自举电压和 VCBOOT-UVLO（CBOOT 引脚）
      9. 7.3.9  SW 节点压摆率可调
      10. 7.3.10 展频
      11. 7.3.11 软启动和从压降中恢复
      12. 7.3.12 过流和短路保护
      13. 7.3.13 断续
      14. 7.3.14 热关断
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 关断模式
      2. 7.4.2 待机模式
      3. 7.4.3 工作模式
        1. 7.4.3.1 峰值电流模式运行
        2. 7.4.3.2 自动模式运行
          1. 7.4.3.2.1 二极管仿真
        3. 7.4.3.3 FPWM 模式运行
        4. 7.4.3.4 最短导通时间（高输入电压）运行
        5. 7.4.3.5 压降
        6. 7.4.3.6 从压降中恢复
        7. 7.4.3.7 其他故障模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1  选择开关频率
        2. 8.2.2.2  设置输出电压
        3. 8.2.2.3  电感器选型
        4. 8.2.2.4  输出电容器选型
        5. 8.2.2.5  输入电容器选型
        6. 8.2.2.6  BOOT 电容器
        7. 8.2.2.7  启动电阻器
        8. 8.2.2.8  VCC
        9. 8.2.2.9  CFF 和 RFF 选择
        10. 8.2.2.10 RSPSP 选择
        11. 8.2.2.11 RT 选择
        12. 8.2.2.12 RMODE 选择
        13. 8.2.2.13 外部 UVLO
        14. 8.2.2.14 最高环境温度
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
        1. 8.4.1.1 接地及散热注意事项
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 第三方产品免责声明
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.4.1.1 接地及散热注意事项

如上所述，TI 建议使用一个中间层作为实心接地层。接地层可为敏感电路和布线屏蔽噪声，还可为控制电路提供低噪声基准电位。AGND 和 PGND 引脚必须使用旁路电容器旁边的过孔连接到接地平面。PGND 引脚直接连接到低侧 MOSFET 的源极，并直接连接到输入和输出电容器的接地端。PGND 网在开关频率下会产生噪声，会因负载变化而反弹。PGND 布线以及 VIN 和 SW 布线应限制在接地平面的一侧。接地平面另一侧的噪声要少得多，且必须用于敏感的布线。

TI 建议通过使用靠近 PGND 的过孔和 VIN 引脚连接到系统接地平面或 VIN 自举来提供足够的器件散热，这两种方法都将散热。尽可能多地使用铜作为顶层和底层的系统接地平面，并避免平面切口和热流瓶颈，以实现最佳散热效果。使用四层电路板，四层的铜厚（从顶层开始）依次为：2oz/1oz/1oz/2oz。具有足够铜厚度和适当布局布线的四层电路板可实现低电流传导阻抗、适当的屏蔽和低热阻。