ZHCSLY1E February   2020  – October 2025 LM61480-Q1 , LM61495-Q1 , LM62460-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 计时特点
    7. 6.7 开关特性
    8. 6.8 系统特性
    9. 6.9 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  输出电压选择
      2. 7.3.2  使能 EN 引脚和 VIN UVLO 用途
      3. 7.3.3  用于同步的 SYNC/MODE
      4. 7.3.4  时钟锁定
      5. 7.3.5  可调开关频率
      6. 7.3.6  RESET 输出运行
      7. 7.3.7  内部 LDO、VCC UVLO 和 BIAS 输入
      8. 7.3.8  自举电压和 VCBOOT-UVLO（CBOOT 引脚）
      9. 7.3.9  SW 节点压摆率可调
      10. 7.3.10 展频
      11. 7.3.11 软启动和从压降中恢复
      12. 7.3.12 过流和短路保护
      13. 7.3.13 断续
      14. 7.3.14 热关断
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 关断模式
      2. 7.4.2 待机模式
      3. 7.4.3 工作模式
        1. 7.4.3.1 峰值电流模式运行
        2. 7.4.3.2 自动模式运行
          1. 7.4.3.2.1 二极管仿真
        3. 7.4.3.3 FPWM 模式运行
        4. 7.4.3.4 最短导通时间（高输入电压）运行
        5. 7.4.3.5 压降
        6. 7.4.3.6 从压降中恢复
        7. 7.4.3.7 其他故障模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1  选择开关频率
        2. 8.2.2.2  设置输出电压
        3. 8.2.2.3  电感器选型
        4. 8.2.2.4  输出电容器选型
        5. 8.2.2.5  输入电容器选型
        6. 8.2.2.6  BOOT 电容器
        7. 8.2.2.7  启动电阻器
        8. 8.2.2.8  VCC
        9. 8.2.2.9  CFF 和 RFF 选择
        10. 8.2.2.10 RSPSP 选择
        11. 8.2.2.11 RT 选择
        12. 8.2.2.12 RMODE 选择
        13. 8.2.2.13 外部 UVLO
        14. 8.2.2.14 最高环境温度
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
        1. 8.4.1.1 接地及散热注意事项
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 第三方产品免责声明
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.3.9 SW 节点压摆率可调

为了在效率方面优化 EMI，LM6x4xx-Q1 允许在导通期间通过电阻器选择高侧 FET 驱动器的强度。请参阅图 7-10。通过 RBOOT 引脚消耗的电流（虚线环路）被放大并通过 CBOOT 消耗（虚线）。该电流用于导通高侧电源 MOSEFT。

LM61480-Q1 LM61495-Q1 LM62460-Q1 显示 RBOOT 功能的简化电路图 7-10 显示 RBOOT 功能的简化电路

RBOOT 短接至 CBOOT 时，上升时间很短。在这种情况下，SW 节点谐波以每十倍频程 –20dBµV 的速率滚降，直到达到 150MHz 左右，然后谐波开始以每十倍频–40dBµV 的速率滚降。延长上升时间会降低发生此转换时的频率，在较高频率下提供更多滚降，从而在 EMI 扫描方面提供更大的裕度。如果通过 700Ω 连接 CBOOT 和 RBOOT，则高侧导通导致的压摆时间限制为不超过 13ns。将 13.5V 转换为 5V 时,典型值为 10ns。在大多数情况下，这种缓慢的上升时间使 SW 节点谐波中的能量能在 50MHz 附近滚降。滚降谐波可以消除许多应用中对屏蔽和共模扼流圈的需求。请注意，上升时间随着输入电压的增加而延长。随着 RBOOT 电阻升高，存储电荷产生的噪声也显著降低。以较低压摆率进行开关会降低效率。请注意优化该电阻，以在不产生过多热量的情况下提供出色的 EMI。如果 RBOOT 保持开路，则上升时间设置为最大值。