ZHCSPC5A October 2022 – November 2025 LM51231-Q1
PRODUCTION DATA
当电源电压大于目标负载电压时,升压转换器具有通过高侧 MOSFET 体二极管从电源到负载的自然直通路径。在此工作条件下,由于体二极管的正向压降,高侧 MOSFET 会消耗功率。为了降低功率耗散,高侧 MOSFET (HO) 以 100% 的占空比驱动,VLOAD 大约等于 VSUPPLY。这种工作模式称为旁路模式。
器件在旁路模式下的运行方式会有所不同,具体取决于所选轻载切换模式操作、检测到的指示器电流以及输入电压。要进入旁路模式,OVP 状态必须至少触发 30μs (VOVTH-DLY),请参阅 节 6.3.8,并且 CSP 和 CSN 之间的电压必须大于 6mV (VCS-FWD)。要退出旁路模式,OVP 状态会被清除,或者 VSW-SENSE 小于旁路模式过零阈值。旁路模式过零阈值取决于所选的轻负载开关模式运行,而对于 DE 模式和 FPWM,节 6.4.1.4.2 和 节 6.4.1.4.1 分别进行了详述。