ZHCSXG6B November 2024 – January 2025 DRV81004-Q1
PRODUCTION DATA
在反极性,或者称为反向电池条件下,功率耗散由每个 MOSFET 的体二极管引起。逻辑引脚和电源引脚的每个 ESD 二极管都会导致总功率耗散。必须通过连接的负载来限制流经通道的反向电流。还必须限制流经数字电源 VDD 和输入引脚的电流(请参阅节 5.1)。
在反极性期间,没有温度保护或电流限制等保护机制处于活动状态。