ZHCSXG6B November   2024  – January 2025 DRV81004-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
      1. 5.5.1 SPI 时序要求
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 控制引脚
        1. 6.3.1.1 输入引脚
        2. 6.3.1.2 nSLEEP 引脚
      2. 6.3.2 电源
        1. 6.3.2.1 运行模式
          1. 6.3.2.1.1 上电
          2. 6.3.2.1.2 睡眠模式
          3. 6.3.2.1.3 空闲模式
          4. 6.3.2.1.4 工作模式
          5. 6.3.2.1.5 跛行回家模式
          6. 6.3.2.1.6 复位条件
      3. 6.3.3 功率级
        1. 6.3.3.1 开关电阻性负载
        2. 6.3.3.2 电感式输出钳位
        3. 6.3.3.3 最大负载电感
        4. 6.3.3.4 并联开关通道
      4. 6.3.4 保护和诊断
        1. 6.3.4.1 VM 欠压
        2. 6.3.4.2 过流保护
        3. 6.3.4.3 过热保护
        4. 6.3.4.4 过热警告
        5. 6.3.4.5 跛行回家模式下的过热和过流保护
        6. 6.3.4.6 反极性保护
        7. 6.3.4.7 过压保护
        8. 6.3.4.8 输出状态监控
      5. 6.3.5 SPI 通信
        1. 6.3.5.1 SPI 信号说明
          1. 6.3.5.1.1 片选 (nSCS)
            1. 6.3.5.1.1.1 逻辑高电平到逻辑低电平转换
            2. 6.3.5.1.1.2 逻辑低电平到逻辑高电平转换
          2. 6.3.5.1.2 串行时钟 (SCLK)
          3. 6.3.5.1.3 串行数据输入 (SDI)
          4. 6.3.5.1.4 串行数据输出 (SDO)
        2. 6.3.5.2 菊花链功能
        3. 6.3.5.3 SPI 协议
        4. 6.3.5.4 SPI 寄存器
          1. 6.3.5.4.1  标准诊断寄存器
          2. 6.3.5.4.2  输出控制寄存器
          3. 6.3.5.4.3  输入 0 映射寄存器
          4. 6.3.5.4.4  输入 1 映射寄存器
          5. 6.3.5.4.5  输入状态监控寄存器
          6. 6.3.5.4.6  开路负载电流控制寄存器
          7. 6.3.5.4.7  输出状态监控寄存器
          8. 6.3.5.4.8  配置寄存器
          9. 6.3.5.4.9  输出清除锁存寄存器
          10. 6.3.5.4.10 配置寄存器 2
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 典型应用
      2. 7.1.2 建议的外部元件
      3. 7.1.3 应用曲线图
    2. 7.2 布局
      1. 7.2.1 布局指南
      2. 7.2.2 封装尺寸兼容性
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 接收文档更新通知
    2. 8.2 支持资源
    3. 8.3 商标
    4. 8.4 静电放电警告
    5. 8.5 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5.5 电气特性

VDD = 3V 至 5.5V，VM = 4V 至 40V，TJ = -40°C 至 +150°C（除非另有说明）

典型值：VDD = 5V，VM = 13.5V，TJ = 25°C

参数测试条件最小值典型值最大值单位

电源（VM、VDD）

VM_OP

VM 最小工作电压

ENx = 1b，从 UVRVM = 1b 到 VDS ≤ 1V，RL = 50Ω

4

V

VDD_OPVDD 工作电压fSCLK = 5MHz

3

5.5

V

VMDIFF

VM 与 VDD 之间的电压差

200

mV

IVM_SLEEP

睡眠模式下的模拟电源电流

nSLEEP，IN0，IN1 悬空，nSCS = VDDTJ ≤ 85°C

0.7

2

μA

TJ = 150°C

1

4

IVDD_SLEEP

睡眠模式下的逻辑电源电流nSLEEP，IN0，IN1 悬空，nSCS = VDDTJ ≤ 85°C

0.2

0.7

μA
TJ = 150°C

0.4

3

ISLEEP

睡眠模式下的总体电流消耗nSLEEP，IN0，IN1 悬空，nSCS = VDDTJ ≤ 85°C

0.9

2.7

μA
TJ = 150°C

1.4

7

μA

IVM_IDLE

空闲模式下的模拟电源电流nSLEEP = 逻辑高电平，IN0，IN1 悬空，fSCLK = 0MHz，ACT = 0b，ENx = 0b，IOLx = 0b，nSCS = VDD

0.9

1.5

mA

COR 模式，VM ≤ VDD - 1V

0.12

0.2

mA

IVDD_IDLE空闲模式下的逻辑电源电流nSLEEP = 逻辑高电平，IN0，IN1 悬空，fSCLK = 0MHz，ACT = 0b，ENx = 0b，nSCS = VDD

0.02

0.1

mA

COR 模式，VM ≤ VDD - 1V

0.8

1.4

IIDLE空闲模式下的总体电流消耗nSLEEP = 逻辑高电平，IN0，IN1 悬空，fSCLK = 0MHz，ACT = 0b，ENx = 0b，IOLx = 0b，nSCS = VDD

0.92

1.6

mA

IVM_ACT

工作模式下的模拟电源电流nSLEEP = 逻辑高电平，IN0，IN1 悬空，fSCLK = 0MHz，ACT = 1b，IOLx = 0b，nSCS = VDD

1.3

2

mA

COR 模式，VM ≤ VDD - 1V

0.1

0.2

mA

IVDD_ACT工作模式下的逻辑电源电流nSLEEP = 逻辑高电平，IN0，IN1 悬空，fSCLK = 0MHz，ACT = 1b，nSCS = VDD

0.05

0.2

mA

COR 模式，VM ≤ VDD - 1V

1.25

2

mA

IACT工作模式下的总体电流消耗nSLEEP = 逻辑高电平，IN0，IN1 悬空，fSCLK = 0MHz，ACT = 1b，IOLx = 0b，nSCS = VDD

1.35

2.2

mA

tS2I

睡眠到空闲延迟

200

300

μs

tI2S

空闲到睡眠延迟

100

150

μs

tI2A

空闲到工作延迟

100

150

μs

tA2I

工作到空闲延迟

100

150

μs

tS2LH

睡眠到跛行回家延迟

300 + tON

450 + tONμs

tLH2S

跛行回家到睡眠延迟

200 + tOFF300 + tOFF

μs

tLH2A

跛行回家到工作延迟

50

100

μs

tA2LH

工作到跛行回家延迟

60

100

μs

tA2S

工作到睡眠延迟

50

100

μs

控制和 SPI 输入（nSLEEP、IN0、IN1、nSCS、SCLK、SDI）

VIL

输入逻辑低电平电压

0

0.8

V

VIH

输入逻辑高电平电压（nSLEEP、IN0、IN1）

2

5.5

V

VIH_SPI输入逻辑高电平电压（nSCS、SCLK、SDI）

2

VDD

V

IIL

输入逻辑低电平电流（除 nSCS 外的所有引脚）

VI = 0.8V

8

12

16

μA

IIH

输入逻辑高电平电流（除 nSCS 外的所有引脚）

VI = 2V

20

30

40

μA
IIL_nSCSnSCS 输入逻辑低电平电流VnSCS = 0.8V，VDD = 5V

20

60

90

μA

IIH_nSCS

nSCS 输入逻辑高电平电流VnSCS = 2V，VDD = 5V

7

45

60

μA

推挽式输出 (SDO)

VSDO_L

输出逻辑低电平电压

ISDO = -1.5mA

0

0.4

V

VSDO_H

输出逻辑高电压

ISDO = 1.5mA

VDD - 0.4

VDD

V

ISDO_OFF

SDO 三态漏电流

VnSCS = VDD，VSDO = 0V 或 VDD

-0.5

0.5

μA

功率级

RDS(ON)

导通电阻

TJ = 25°C

0.4

0.7

0.9

Ω

TJ = 150°C，IL = IL_EAR = 220mA

0.5

1

1.4

IL_NOM

标称负载电流（所有通道均处于工作状态）

TA = 85°C，TJ ≤ 150°C

470

500

mA

TA = 105°C，TJ ≤ 150°C

370

500

mA

IL_EAR

最大能量耗散的负载电流 - 重复（所有通道均处于工作状态）

TA = 85°C，TJ ≤ 150°C

220

mA

EAR

最大能量耗散重复脉冲 - 2*IL_EAR（两个通道并联）TJ(0) = 85°C，IL(0) = 2*IL_EAR，2*106 个周期，PAR = 1b（对于受影响通道）

15

mJ

VDS_OP电池电量低时的功率级压降RL = 50Ω（通过 VM = 4V 供电）

0.05

0.25

V

VDS_CL漏源输出钳位电压IL = 20mA

42

46

50

V

IL_OFF输出漏电流（每个通道）VIN = 0V 或悬空，VDS = 28V，ENx = 0bTJ ≤ 85°C

0.15

0.3

μA
TJ = 150°C

0.5

2

μA
tDLY_ON导通延迟（从 INx 引脚或位到 VOUT = 90% VM）RL = 50Ω，VM = 13.5V，工作模式或跛行回家模式

2

5.5

9

μs
tDLY_OFF关断延迟（从 INx 引脚或位到 VOUT = 10% VM）RL = 50Ω，VM = 13.5V，工作模式或跛行回家模式

3

6

11

μs
tON导通时间（从 INx 引脚或位到 VOUT = 10% VM）RL = 50Ω，VM = 13.5V，工作模式或跛行回家模式

10

16

22

μs
tOFF关断时间（从 INx 引脚或位到 VOUT = 90% VM）RL = 50Ω，VM = 13.5V，工作模式或跛行回家模式

13

17

24

μs
tON - tOFF导通/关断匹配RL = 50Ω，VM = 13.5V，工作模式或跛行回家模式

-10

0

10

μs
SRON导通压摆率，VDS = 70% 至 30% VMRL = 50Ω，VM = 13.5V，工作模式或跛行回家模式

0.8

1.2

1.6

V/μs
SROFF关断压摆率，VDS = 30% 至 70% VMRL = 50Ω，VM = 13.5V，工作模式或跛行回家模式

0.8

1.2

1.6

V/μs
tSYNC内部基准频率同步时间

7

10

μs

保护

VM_UVLO_FVM 欠压关断（下降）ENx = ON，从 VDS ≤ 1V 到 UVRVM = 1b，RL = 50Ω

2.64

2.73

2.82

V

VM_UVLO_RVM 欠压关断（上升）

2.77

2.86

2.95

V

VDD_UVLOVDD 欠压关断VSDI = VSCLK = VnSCS = 0V，SDO 从低电平至高阻态

2.5

2.6

2.7

V

VDD_HYS

VDD 欠压关断迟滞

100

120

160

mV

IL_OCP0

过流保护阈值，OCP = 0b

TJ = -40°C

1.4

1.65

2.1

A

TJ = 25°C

1.3

1.55

1.9

A

TJ = 150°C

1.1

1.35

1.7

A

IL_OCP1过流保护阈值，OCP = 0bTJ = -40°C

0.7

0.9

1.2

A

TJ = 25°C

0.65

0.85

1.05

A

TJ = 150°C

0.6

0.75

0.9

A

IL_OCP0过流保护阈值，OCP = 1bTJ = -40°C

1.9

2.25

3

A
TJ = 25°C

1.8

2.1

2.7

A
TJ = 150°C

1.4

1.8

2.3

A
IL_OCP1过流保护阈值，OCP = 1bTJ = -40°C

1.3

1.55

2

A
TJ = 25°C

1.2

1.45

1.8

A
TJ = 150°C

1.1

1.3

1.6

A
tOCPIN过流阈值开关延迟时间

80

170

260

μs
tOFF_OCP过流关断延迟时间

1.5

3.5

6

μs

TOTW

过热警告

120

140

160

°C

THYS_OTW

过热警告

迟滞

12

°C

TTSD

热关断温度

150

175

200

°C
VM_AZ

过压保护

IVM = 10mA，睡眠模式

44

48

50

V

VDS_REV反极性期间的漏源二极管IL = -10mA，睡眠模式TJ = 25°C

670

mV

TJ = 150°C

530

mV

tRETRY0_LH跛行回家模式下的重新启动时间

7

10

13

ms

tRETRY1_LH跛行回家模式下的重新启动时间

14

20

26

ms

tRETRY2_LH跛行回家模式下的重新启动时间

28

40

52

ms

tRETRY3_LH跛行回家模式下的重新启动时间

56

80

104

ms

tOSM输出状态监控比较器稳定时间

20

μs
VDS_OL输出状态监控阈值电压

3

3.3

3.6

V

IOL输出诊断电流VDS = 3.3V，VM = 5V 至 18 V

20

75

110

μA
IOL输出诊断电流VDS = 3.3V，VM = 13.5V

60

75

85

μA
ROL开路负载等效电阻VM = 5V 至 40V

45

190

kΩ