ZHDS084 February   2026 BQ27Z855

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  电源电流
    5. 5.5  1.8V LDO 稳压器 (REG18)
    6. 5.6  低频振荡器 (LFO)
    7. 5.7  高频振荡器 (HFO)
    8. 5.8  电池组钳位 (PACK_CLAMP)
    9. 5.9  模数转换器 (VADC)
    10. 5.10 库仑计 (CCADC)
    11. 5.11 库仑计数字滤波器 (CC1)
    12. 5.12 电流测量数字滤波器 (CC2)
    13. 5.13 充电电流测量数字滤波器 (CC3)
    14. 5.14 唤醒比较器 (I-WAKE)
    15. 5.15 内部温度传感器 (INT_TEMP)
    16. 5.16 热敏电阻测量支持
    17. 5.17 基于硬件的保护 (SCOMP) 阈值（OVP、UVP、OCC、OCD、SCD）
    18. 5.18 基于硬件的保护 (SCOMP) 时序（OVP、UVP、OCC、OCD、SCD）
    19. 5.19 电流限制
    20. 5.20 CHG、DSG NFET 驱动器
    21. 5.21 零伏充电 (ZVCHG)
    22. 5.22 通用输入/输出 (INT)
    23. 5.23 I2C 接口 I/O（SDA、SCL）
    24. 5.24 I2C 接口时序
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  BQ27Z855 处理器
      2. 6.3.2  电池参数测量
        1. 6.3.2.1 模数转换器 (VADC)
        2. 6.3.2.2 VADC 多路复用器
        3. 6.3.2.3 库仑计数器 (CCADC) 和数字滤波器 (CC1)
        4. 6.3.2.4 内部温度传感器 (INT_TEMP)
        5. 6.3.2.5 外部温度传感器支持
      3. 6.3.3  电源控制
      4. 6.3.4  ENAB 引脚
      5. 6.3.5  I2C 串行通信接口
      6. 6.3.6  低频振荡器 (LFO)
      7. 6.3.7  高频振荡器 (HFO)
      8. 6.3.8  实时时钟 (RTC)
      9. 6.3.9  1.8V 低压降稳压器 (REG18)
      10. 6.3.10 FET 驱动器（CHG、DSG）
        1. 6.3.10.1 充电 (CHG) FET 驱动器
        2. 6.3.10.2 放电 FET (DSG) 驱动器
      11. 6.3.11 零伏充电 (ZVCHG)
      12. 6.3.12 集成式保护
        1. 6.3.12.1 基于硬件的保护
          1. 6.3.12.1.1 过压保护 (OVP)
          2. 6.3.12.1.2 欠压保护 (UVP)
          3. 6.3.12.1.3 充电过流保护 (OCC)
          4. 6.3.12.1.4 放电过流保护 (OCD)
          5. 6.3.12.1.5 放电短路电流保护 (SCD)
          6. 6.3.12.1.6 唤醒比较器 (I-WAKE)
        2. 6.3.12.2 提供基于固件的保护
          1. 6.3.12.2.1 初级保护特性
          2. 6.3.12.2.2 二级保护功能
      13. 6.3.13 Gas Gauging
      14. 6.3.14 先进的电池算法
        1. 6.3.14.1 硅阳极化学物质支持
        2. 6.3.14.2 内部短路指示 (ISI)
        3. 6.3.14.3 电池膨胀检测 (BSD)
      15. 6.3.15 集成限流器和充电控制功能
        1. 6.3.15.1 集成限流器
          1. 6.3.15.1.1 CHG FET 状态机
          2. 6.3.15.1.2 线性模式
            1. 6.3.15.1.2.1 电池充电过程
            2. 6.3.15.1.2.2 零伏充电 (ZVCHG)
            3. 6.3.15.1.2.3 预充电 (PCHG)
            4. 6.3.15.1.2.4 快速充电 (CC)
            5. 6.3.15.1.2.5 恒压充电 (CV)
            6. 6.3.15.1.2.6 充电终止 (VCT)
            7. 6.3.15.1.2.7 分步充电曲线支持
          3. 6.3.15.1.3 MINSYS 模式
          4. 6.3.15.1.4 电池补充模式
        2. 6.3.15.2 与智能充电器的交互
      16. 6.3.16 理想二极管模式
      17. 6.3.17 寿命数据记录特性
      18. 6.3.18 身份验证
        1. 6.3.18.1 ECC ECDSA 身份验证
        2. 6.3.18.2 SHA-256 认证
      19. 6.3.19 空中下载 (OTA) 现场更新器
      20. 6.3.20 配置
        1. 6.3.20.1 电池电压测量
        2. 6.3.20.2 以库仑为单位计
        3. 6.3.20.3 温度测量
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用原理图
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 高电流路径
          1. 7.2.2.1.1 保护 FET
          2. 7.2.2.1.2 电池电芯连接
          3. 7.2.2.1.3 检测电阻
          4. 7.2.2.1.4 降低 ESD
        2. 7.2.2.2 电量监测计电路
          1. 7.2.2.2.1 电芯电压测量接口
          2. 7.2.2.2.2 库仑计数器接口
          3. 7.2.2.2.3 温度测量
          4. 7.2.2.2.4 1.8V 低压降稳压器 (REG18)
          5. 7.2.2.2.5 I2C 通信（SDA、SCL）
          6. 7.2.2.2.6 主机接口中断 (INT)
        3. 7.2.2.3 限流器电路
          1. 7.2.2.3.1 保护 FET 及与 BQ27Z855 的兼容性
          2. 7.2.2.3.2 CP 控制逻辑和电容器
          3. 7.2.2.3.3 基于电压的反馈接口
          4. 7.2.2.3.4 基于电流的反馈接口
            1. 7.2.2.3.4.1 检测电阻对基于电流的反馈的影响
            2. 7.2.2.3.4.2 检测电阻对 CHG FET 状态转换的影响
          5. 7.2.2.3.5 BAT-PACK 专用电压比较器 (DCOMP)
            1. 7.2.2.3.5.1 检测电阻配置对 DCOMP 检测的影响
          6. 7.2.2.3.6 系统级建议
        4. 7.2.2.4 使用 BQ27Z746 和 BQ27Z758 协同设计
          1. 7.2.2.4.1 封装兼容性和等效引脚
          2. 7.2.2.4.2 共同布局示例
  9. 8 电源相关建议
  10. 9 布局
    1. 9.1 布局指南
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 第三方产品免责声明
    2. 10.2 文档支持
      1. 10.2.1 相关文档
    3. 10.3 商标
    4. 10.4 静电放电警告
    5. 10.5 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
    1.     封装选项附录
    2. 12.1 卷带包装信息
    3. 12.2 机械数据

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5.20 CHG、DSG NFET 驱动器

所述典型值的条件是 TA = 25°C 且 VBAT = 3.8V，最小值/最大值的条件是 TA = -40°C 至 85°C 且 VBAT = 2.0V 至 5.0V（除非另有说明）
参数测试条件最小值典型值最大值单位
VDSG_ONDSG FET 驱动器开启输出电压CLOAD = 10nF，VBAT ≥ 4V7.98.08.3V
CLOAD = 10nF，VBAT < 4V1.95 × VBAT2 × VBAT2.1 × VBAT
VCHG_ONCHG FET 驱动器开启输出电压CLOAD = 10nF，VBAT ≥ 4V7.98.08.3V
CLOAD = 10nF，VBAT < 4V1.95 × VBAT2 × VBAT2.1 × VBAT
VDSG_OFFDSG FET 驱动器关断输出电压CLOAD= 10nF，VDSG_OFF = VDSG - VSS0.1V
VCHG_OFFCHG FET 驱动器关断输出电压CLOAD= 10nF，VCHG_OFF = VCHG - VSS0.1V
tDSG_RISE(1)DSG FET 驱动器上升时间 CLOAD = 10nF，VDSG_ON 从 VBAT 的 10% 上升至 90%，达到 VDSG_ON(TYP)400800µs
tCHG_RISE(1)没有 CP 电容器时的 CHG FET 驱动器上升时间CLOAD = 10nF，VCHG_ON 从 VBAT 的 10% 上升至 90%，达到 VCHG_ON(TYP)400800µs
tFET_FALL(1)DSG 和 CHG FET 驱动器下降时间CLOAD = 10nF，VFET 从 VFET_ON(TYP) 变为 VFET_OFF50200µs
(1) 由基准评估指定。未经生产测试。