ZHCSXL1A December 2024 – May 2025 AM62D-Q1
PRODUCTION DATA
表 6-84、图 6-67、表 6-85 和图 6-68 说明了 MMC0 的时序要求和开关特性 - 高速 DDR 模式。
| 编号 | IO 工作 电压 |
最小值 | 最大值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| HSDDR1 | tsu(cmdV-clk) | 建立时间,在 MMC0_CLK 上升沿之前 MMC0_CMD 有效 | 1.8V | 0.02 | ns | |
| 3.3V | 1.5 | ns | ||||
| HSDDR2 | th(clk-cmdV) | 保持时间,在 MMC0_CLK 上升沿之后 MMC0_CMD 有效 | 1.8V | 1.99 | ns | |
| 3.3V | 1.75 | ns | ||||
| HSDDR3 | tsu(dV-clk) | 建立时间,在 MMC0_CLK 转换之前 MMC0_DAT[7:0] 有效 | 1.8V | 0.02 | ns | |
| 3.3V | 1.5 | ns | ||||
| HSDDR4 | th(clk-dV) | 保持时间,在 MMC0_CLK 转换之后 MMC0_DAT[7:0] 有效 | 1.8V | 1.99 | ns | |
| 3.3V | 1.75 | ns | ||||
图 6-67 MMC0 - 高速 DDR 模式 - 接收模式| 编号 | 参数 | IO 工作 电压 |
最小值 | 最大值 | 单位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| fop(clk) | 工作频率,MMC0_CLK | 40 | MHz | |||
| HSDDR5 | tc(clk) | 周期时间,MMC0_CLK | 25 | ns | ||
| HSDDR6 | tw(clkH) | 脉冲持续时间,MMC0_CLK 高电平 | 11.58 | ns | ||
| HSDDR7 | tw(clkL) | 脉冲持续时间,MMC0_CLK 低电平 | 11.58 | ns | ||
| HSDDR8 | td(clk-cmdV) | 延迟时间,MMC0_CLK 上升沿到 MMC0_CMD 转换 | 1.8V | 1.2 | 5.6 | ns |
| 3.3V | 3.32 | 9.3 | ns | |||
| HSDDR9 | td(clk-dV) | 延迟时间,MMC0_CLK 转换到 MMC0_DAT[7:0] 转换 | 1.8V | 1.2 | 4.8 | ns |
| 3.3V | 3.2 | 8.9 | ns | |||
图 6-68 MMC0 - 高速 DDR 模式 - 发送模式