ZHCSXL1A December   2024  – May 2025 AM62D-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
    1. 3.1 功能方框图
  5. 器件比较
    1. 4.1 相关产品
  6. 端子配置和功能
    1. 5.1 引脚图
    2. 5.2 引脚属性
      1.      11
      2.      12
    3. 5.3 信号说明
      1.      14
      2. 5.3.1  CPSW3G
        1. 5.3.1.1 MAIN 域
          1.        17
          2.        18
          3.        19
          4.        20
      3. 5.3.2  CPTS
        1. 5.3.2.1 MAIN 域
          1.        23
      4. 5.3.3  CSI-2
        1. 5.3.3.1 MAIN 域
          1.        26
      5. 5.3.4  DDRSS
        1. 5.3.4.1 MAIN 域
          1.        29
      6. 5.3.5  ECAP
        1. 5.3.5.1 MAIN 域
          1.        32
          2.        33
          3.        34
      7. 5.3.6  仿真和调试
        1. 5.3.6.1 MAIN 域
          1.        37
        2. 5.3.6.2 MCU 域
          1.        39
      8. 5.3.7  EPWM
        1. 5.3.7.1 MAIN 域
          1.        42
          2.        43
          3.        44
          4.        45
      9. 5.3.8  EQEP
        1. 5.3.8.1 MAIN 域
          1.        48
          2.        49
          3.        50
      10. 5.3.9  GPIO
        1. 5.3.9.1 MAIN 域
          1.        53
          2.        54
        2. 5.3.9.2 MCU 域
          1.        56
      11. 5.3.10 GPMC
        1. 5.3.10.1 MAIN 域
          1.        59
      12. 5.3.11 I2C
        1. 5.3.11.1 MAIN 域
          1.        62
          2.        63
          3.        64
          4.        65
        2. 5.3.11.2 MCU 域
          1.        67
        3. 5.3.11.3 WKUP 域
          1.        69
      13. 5.3.12 MCAN
        1. 5.3.12.1 MAIN 域
          1.        72
        2. 5.3.12.2 MCU 域
          1.        74
          2.        75
      14. 5.3.13 MCASP
        1. 5.3.13.1 MAIN 域
          1.        78
          2.        79
          3.        80
      15. 5.3.14 MCSPI
        1. 5.3.14.1 MAIN 域
          1.        83
          2.        84
          3.        85
        2. 5.3.14.2 MCU 域
          1.        87
          2.        88
      16. 5.3.15 MDIO
        1. 5.3.15.1 MAIN 域
          1.        91
      17. 5.3.16 MMC
        1. 5.3.16.1 MAIN 域
          1.        94
          2.        95
          3.        96
      18. 5.3.17 OSPI
        1. 5.3.17.1 MAIN 域
          1.        99
      19. 5.3.18 电源
        1.       101
      20. 5.3.19 保留
        1.       103
      21. 5.3.20 系统和其他
        1. 5.3.20.1 启动模式配置
          1. 5.3.20.1.1 MAIN 域
            1.         107
        2. 5.3.20.2 时钟
          1. 5.3.20.2.1 MCU 域
            1.         110
          2. 5.3.20.2.2 WKUP 域
            1.         112
        3. 5.3.20.3 系统
          1. 5.3.20.3.1 MAIN 域
            1.         115
          2. 5.3.20.3.2 MCU 域
            1.         117
          3. 5.3.20.3.3 WKUP 域
            1.         119
        4. 5.3.20.4 VMON
          1.        121
      22. 5.3.21 计时器
        1. 5.3.21.1 MAIN 域
          1.        124
        2. 5.3.21.2 MCU 域
          1.        126
        3. 5.3.21.3 WKUP 域
          1.        128
      23. 5.3.22 UART
        1. 5.3.22.1 MAIN 域
          1.        131
          2.        132
          3.        133
          4.        134
          5.        135
          6.        136
          7.        137
        2. 5.3.22.2 MCU 域
          1.        139
        3. 5.3.22.3 WKUP 域
          1.        141
      24. 5.3.23 USB
        1. 5.3.23.1 MAIN 域
          1.        144
          2.        145
    4. 5.4 引脚连接要求
  7. 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  未通过 AEC - Q100 认证的器件的 ESD 等级
    3. 6.3  符合 AEC - Q100 标准的器件的 ESD 等级
    4. 6.4  上电小时数 (POH)
    5. 6.5  建议运行条件
    6. 6.6  运行性能点
    7. 6.7  功耗摘要
    8. 6.8  电气特性
      1. 6.8.1 I2C 开漏和失效防护 (I2C OD FS) 电气特性
      2. 6.8.2 失效防护复位(FS 复位)电气特性
      3. 6.8.3 高频振荡器 (HFOSC) 电气特性
      4. 6.8.4 低频振荡器 (LFXOSC) 电气特性
      5. 6.8.5 SDIO 电气特性
      6. 6.8.6 LVCMOS 电气特性
      7. 6.8.7 CSI-2 (D-PHY) 电气特性
      8. 6.8.8 USB2PHY 电气特性
      9. 6.8.9 DDR 电气特性
    9. 6.9  一次性可编程 (OTP) 电子保险丝的 VPP 规格
      1. 6.9.1 OTP 电子保险丝编程的建议运行条件
      2. 6.9.2 硬件要求
      3. 6.9.3 编程序列
      4. 6.9.4 对硬件保修的影响
    10. 6.10 热阻特性
      1. 6.10.1 ANF 封装的热阻特性
    11. 6.11 温度传感器特性
    12. 6.12 时序和开关特性
      1. 6.12.1 时序参数和信息
      2. 6.12.2 电源要求
        1. 6.12.2.1 电源压摆率要求
        2. 6.12.2.2 电源时序
          1. 6.12.2.2.1 上电时序
          2. 6.12.2.2.2 下电时序
          3. 6.12.2.2.3 部分 IO 电源时序
      3. 6.12.3 系统时序
        1. 6.12.3.1 复位时序
        2. 6.12.3.2 错误信号时序
        3. 6.12.3.3 时钟时序
      4. 6.12.4 时钟规格
        1. 6.12.4.1 输入时钟/振荡器
          1. 6.12.4.1.1 MCU_OSC0 内部振荡器时钟源
          2. 6.12.4.1.2 MCU_OSC0 LVCMOS 数字时钟源
          3. 6.12.4.1.3 WKUP_LFOSC0 内部振荡器时钟源
          4. 6.12.4.1.4 WKUP_LFOSC0 LVCMOS 数字时钟源
          5. 6.12.4.1.5 未使用 WKUP_LFOSC0
        2. 6.12.4.2 输出时钟
        3. 6.12.4.3 PLL
        4. 6.12.4.4 时钟和控制信号转换的建议系统预防措施
      5. 6.12.5 外设
        1. 6.12.5.1  CPSW3G
          1. 6.12.5.1.1 CPSW3G MDIO 时序
          2. 6.12.5.1.2 CPSW3G RMII 时序
          3. 6.12.5.1.3 CPSW3G RGMII 时序
        2. 6.12.5.2  CPTS
        3. 6.12.5.3  CSI-2
        4. 6.12.5.4  DDRSS
        5. 6.12.5.5  ECAP
        6. 6.12.5.6  仿真和调试
          1. 6.12.5.6.1 迹线
          2. 6.12.5.6.2 JTAG
        7. 6.12.5.7  EPWM
        8. 6.12.5.8  EQEP
        9. 6.12.5.9  GPIO
        10. 6.12.5.10 GPMC
          1. 6.12.5.10.1 GPMC 和 NOR 闪存 - 同步模式
          2. 6.12.5.10.2 GPMC 和 NOR 闪存 - 异步模式
          3. 6.12.5.10.3 GPMC 和 NAND 闪存 - 异步模式
        11. 6.12.5.11 I2C
        12. 6.12.5.12 MCAN
        13. 6.12.5.13 MCASP
        14. 6.12.5.14 MCSPI
          1. 6.12.5.14.1 MCSPI - 控制器模式
          2. 6.12.5.14.2 MCSPI - 外设模式
        15. 6.12.5.15 MMCSD
          1. 6.12.5.15.1 MMC0 - eMMC/SD/SDIO 接口
            1. 6.12.5.15.1.1  旧 SDR 模式
            2. 6.12.5.15.1.2  高速 SDR 模式
            3. 6.12.5.15.1.3  高速 DDR 模式
            4. 6.12.5.15.1.4  HS200 模式
            5. 6.12.5.15.1.5  默认速度模式
            6. 6.12.5.15.1.6  高速模式
            7. 6.12.5.15.1.7  UHS–I SDR12 模式
            8. 6.12.5.15.1.8  UHS–I SDR25 模式
            9. 6.12.5.15.1.9  UHS–I SDR50 模式
            10. 6.12.5.15.1.10 UHS-I DDR50 模式
            11. 6.12.5.15.1.11 UHS–I SDR104 模式
          2. 6.12.5.15.2 MMC1/MMC2 - SD/SDIO 接口
            1. 6.12.5.15.2.1 默认速度模式
            2. 6.12.5.15.2.2 高速模式
            3. 6.12.5.15.2.3 UHS–I SDR12 模式
            4. 6.12.5.15.2.4 UHS–I SDR25 模式
            5. 6.12.5.15.2.5 UHS–I SDR50 模式
            6. 6.12.5.15.2.6 UHS-I DDR50 模式
            7. 6.12.5.15.2.7 UHS–I SDR104 模式
        16. 6.12.5.16 OSPI
          1. 6.12.5.16.1 OSPI0 PHY 模式
            1. 6.12.5.16.1.1 具有 PHY 数据训练的 OSPI0
            2. 6.12.5.16.1.2 无数据训练的 OSPI0
              1. 6.12.5.16.1.2.1 OSPI0 PHY SDR 时序
              2. 6.12.5.16.1.2.2 OSPI0 PHY DDR 时序
          2. 6.12.5.16.2 OSPI0 Tap 模式
            1. 6.12.5.16.2.1 OSPI0 Tap SDR 时序
            2. 6.12.5.16.2.2 OSPI0 Tap DDR 时序
        17. 6.12.5.17 计时器
        18. 6.12.5.18 UART
        19. 6.12.5.19 USB
  8. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 处理器子系统
      1. 7.2.1 Arm Cortex-A53 子系统
      2. 7.2.2 器件/电源管理器
      3. 7.2.3 MCU Arm Cortex-R5F 子系统
    3. 7.3 加速器和协处理器
      1. 7.3.1 带矩阵乘法加速器的 C7x256V DSP
    4. 7.4 其他子系统
      1. 7.4.1 双时钟比较器 (DCC)
      2. 7.4.2 数据移动子系统 (DMSS)
      3. 7.4.3 存储器循环冗余校验 (MCRC)
      4. 7.4.4 外设 DMA 控制器 (PDMA)
      5. 7.4.5 实时时钟 (RTC)
    5. 7.5 外设
      1. 7.5.1  千兆位以太网交换机 (CPSW3G)
      2. 7.5.2  摄像头串行接口接收器 (CSI_RX_IF)
      3. 7.5.3  增强型捕获 (ECAP)
      4. 7.5.4  错误定位模块 (ELM)
      5. 7.5.5  增强型脉宽调制 (EPWM)
      6. 7.5.6  错误信令模块 (ESM)
      7. 7.5.7  增强型正交编码器脉冲 (EQEP)
      8. 7.5.8  通用接口 (GPIO)
      9. 7.5.9  通用存储器控制器 (GPMC)
      10. 7.5.10 全局时基计数器 (GTC)
      11. 7.5.11 内部集成电路 (I2C)
      12. 7.5.12 模块化控制器局域网 (MCAN)
      13. 7.5.13 多通道音频串行端口 (MCASP)
      14. 7.5.14 多通道串行外设接口 (MCSPI)
      15. 7.5.15 多媒体卡安全数字 (MMCSD)
      16. 7.5.16 八进制串行外设接口 (OSPI)
      17. 7.5.17 计时器
      18. 7.5.18 通用异步收发器 (UART)
      19. 7.5.19 通用串行总线子系统 (USBSS)
  9. 应用、实施和布局
    1. 8.1 器件连接和布局基本准则
      1. 8.1.1 电源
        1. 8.1.1.1 配电网络实施指南
      2. 8.1.2 外部振荡器
      3. 8.1.3 JTAG、仿真和跟踪
      4. 8.1.4 未使用的引脚
    2. 8.2 外设和接口的相关设计信息
      1. 8.2.1 DDR 电路板设计和布局布线指南
      2. 8.2.2 OSPI/QSPI/SPI 电路板设计和布局指南
        1. 8.2.2.1 无环回、内部 PHY 环回和内部焊盘环回
        2. 8.2.2.2 外部电路板环回
        3. 8.2.2.3 DQS(仅适用于八路 SPI 器件)
      3. 8.2.3 USB VBUS 设计指南
      4. 8.2.4 系统电源监测设计指南
      5. 8.2.5 高速差分信号布线指南
      6. 8.2.6 散热解决方案指导
    3. 8.3 时钟布线指南
      1. 8.3.1 振荡器路由
  10. 器件和文档支持
    1. 9.1 器件命名规则
      1. 9.1.1 标准封装编号法
      2. 9.1.2 器件命名约定
    2. 9.2 工具与软件
    3. 9.3 文档支持
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 封装信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • ANF|484
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

引脚连接要求

本节介绍了具有特定连接要求的封装焊球和未使用封装焊球的连接要求。

注:

除非另有说明,否则必须为所有电源引脚提供节 6.5建议运行条件 中指定的电压。

注:

需要补充说明的是,“保持未连接状态”或“无连接”(NC) 表示这些器件焊球编号能连接任何信号布线。

表 5-70 连接要求
ANF
焊球
编号
焊球名称 连接要求
B8
F15
MCU_ERRORn
TRSTn
这些焊球均必须通过单独的外部拉电阻器连接到 VSS,以确保如果 PCB 信号布线已连接并且未由连接的器件主动驱动,与这些焊球关联的输入会保持为有效的逻辑低电平。如果没有 PCB 信号布线连接到焊球,则可以使用内部下拉来保持有效的逻辑低电平。
C13
E10
C12
E19
A14
A16
B14
EMU0
EMU1
MCU_RESETz
RESET_REQz
TCK
TDI
TMS
这些焊球每一个均必须通过单独的外部拉电阻器连接到相应的电源(1),以确保如果信号布线 PCB 已连接并且未由连接的器件主动驱动,则与这些焊球相关的输入保持为有效的逻辑高电平。如果没有 PCB 信号布线连接到焊球,则可以使用内部上拉来保持有效的逻辑高电平。
E12
D9
D13
E13
MCU_I2C0_SCL
MCU_I2C0_SDA
WKUP_I2C0_SCL
WKUP_I2C0_SDA
这些焊球均必须通过单独的外部拉电阻器连接到相应的电源(1)或 VSS,以确保与这些焊球相关的输入相应地保持为有效的逻辑高电平或低电平,从而实现所选的信号功能。
N21
N20
N19
N18
N17
P18
P19
P21
P22
R19
R20
R22
T22
R21
T20
T21
GPMC0_AD0
GPMC0_AD1
GPMC0_AD2
GPMC0_AD3
GPMC0_AD4
GPMC0_AD5
GPMC0_AD6
GPMC0_AD7
GPMC0_AD8
GPMC0_AD9
GPMC0_AD10
GPMC0_AD11
GPMC0_AD12
GPMC0_AD13
GPMC0_AD14
GPMC0_AD15
这些焊球每一个均必须通过单独的外部拉电阻器连接到相应的电源(1)或 VSS,以确保与这些焊球相关的输入相应地保持为有效的逻辑高电平或低电平,从而选择所需的器件引导模式。
A2
AA1
AB2
B1
J7
K8
L7
M8
N7
P8
L8
VDDS_DDR
VDDS_DDR
VDDS_DDR
VDDS_DDR
VDDS_DDR
VDDS_DDR
VDDS_DDR
VDDS_DDR
VDDS_DDR
VDDS_DDR
VDDS_DDR_C
如果不使用 DDRSS,则必须将这些焊球中的每一个直接连接到 VSS。
N5
H7
M5
N2
M6
N6
J5
J2
J4
L4
J1
K5
K3
H2
L6
L2
K2
L5
M3
M2
K6
H3
P4
R7
H6
M1
L1
P3
P5
J6
N4
C2
F3
U1
W3
A5
B4
B6
D5
C5
C3
B2
A3
E2
F5
E6
G2
G6
G4
E4
D3
T6
T4
U5
R5
P2
R3
T2
U3
Y2
V2
V4
W5
Y4
AA3
AA5
AB4
D1
C1
G1
F1
R1
P1
W1
Y1
H5
N3
P6
DDR0_ACT_n
DDR0_ALERT_n
DDR0_CAS_n
DDR0_PAR
DDR0_RAS_n
DDR0_WE_n
DDR0_A0
DDR0_A1
DDR0_A2
DDR0_A3
DDR0_A4
DDR0_A5
DDR0_A6
DDR0_A7
DDR0_A8
DDR0_A9
DDR0_A10
DDR0_A11
DDR0_A12
DDR0_A13
DDR0_BA0
DDR0_BA1
DDR0_BG0
DDR0_BG1
DDR0_CAL0
DDR0_CK0
DDR0_CK0_n
DDR0_CKE0
DDR0_CKE1
DDR0_CS0_n
DDR0_CS1_n
DDR0_DM0
DDR0_DM1
DDR0_DM2
DDR0_DM3
DDR0_DQ0
DDR0_DQ1
DDR0_DQ2
DDR0_DQ3
DDR0_DQ4
DDR0_DQ5
DDR0_DQ6
DDR0_DQ7
DDR0_DQ8
DDR0_DQ9
DDR0_DQ10
DDR0_DQ11
DDR0_DQ12
DDR0_DQ13
DDR0_DQ14
DDR0_DQ15
DDR0_DQ16
DDR0_DQ17
DDR0_DQ18
DDR0_DQ19
DDR0_DQ20
DDR0_DQ21
DDR0_DQ22
DDR0_DQ23
DDR0_DQ24
DDR0_DQ25
DDR0_DQ26
DDR0_DQ27
DDR0_DQ28
DDR0_DQ29
DDR0_DQ30
DDR0_DQ31
DDR0_DQS0
DDR0_DQS0_n
DDR0_DQS1
DDR0_DQS1_n
DDR0_DQS2
DDR0_DQS2_n
DDR0_DQS2
DDR0_DQS2_n
DDR0_ODT0
DDR0_ODT1
DDR0_RESET0_n
如果不使用 DDRSS,请保持未连接状态。注意:仅当 VDDS_DDR 和 VDDS_DDR_C 连接到 VSS 时,此列表中的 DDR0 引脚才能保持未连接状态。当 VDDS_DDR 和 VDDS_DDR_C 连接到电源时,必须按照 DDR 电路板设计和布局布线指南中的定义来连接 DDR0 引脚。
T9
T10
U10
VDDA_CORE_USB
VDDA_1P8_USB
VDDA_3P3_USB
USB0 与 USB1 共享这些电源轨,因此在使用 USB0 或 USB1 时,这些焊球每一个均必须连接到有效的电源。如果不使用 USB0 和 USB1,则这些焊球每一个均必须直接连接到 VSS。
AA10
AA9
W10
V8
Y11
Y10
U7
V6
USB0_DM
USB0_DP
USB0_RCALIB
USB0_VBUS
USB1_DM
USB1_DP
USB1_RCALIB
USB1_VBUS
如果不使用 USB0 或 USB1,请将相应的 DM、DP 和 VBUS 焊球保持未连接状态。注意:仅当 VDDA_CORE_USB、VDDA_1P8_USB 和 VDDA_3P3_USB 连接到 VSS 时,USB0_RCALIB 和 USB1_RCALIB 引脚才能保持未连接状态。当 VDDA_CORE_USB、VDDA_1P8_USB 和 VDDA_3P3_USB 连接到电源时,USB0_RCALIB 和 USB1_RCALIB 引脚必须通过单独的适当外部电阻器连接到 VSS。
T11
T12
VDDA_CORE_CSIRX0
VDDA_1P8_CSIRX0
如果不使用 CSIRX0 并且需要器件边界扫描功能,这些焊球均必须连接至有效电源。如果不使用 CSIRX0,并且不需要器件边界扫描功能,这些焊球均可以直接连接到 VSS。
AB14
AB13
W12
W13
Y13
Y14
AA13
AA12
AB11
AB10
V10
CSI0_RXCLKN
CSI0_RXCLKP
CSI0_RXN0
CSI0_RXP0
CSI0_RXN1
CSI0_RXP1
CSI0_RXN2
CSI0_RXP2
CSI0_RXN3
CSI0_RXP3
CSI0_RXRCALIB
如果不使用 CSIRX0,则保持未连接状态。
H12 VMON_VSYS 如果不使用 VMON_VSYS,这个焊球必须直接连接至 VSS。
F12 VMON_1P8_SOC 如果 VMON_1P8_SOC 未用于监控 SOC 电源轨,则此焊球必须保持连接到 1.8V 电源轨。
F9 VMON_3P3_SOC 如果 VMON_3P3_SOC 未用于监控 SOC 电源轨,则此焊球必须保持连接到 3.3V 电源轨,或者直接连接到 VSS。
要确定与任何 IO 关联的电源,请参阅引脚属性 表中的“电源”一列。

注:

内部拉电阻器很弱,在某些工作条件下可能无法提供足够的电流来保持有效的逻辑电平。当连接到具有相反逻辑电平泄漏的元件时,或者当外部噪声源与连接到仅由内部电阻器拉至有效逻辑电平的焊球的信号布线耦合时,可能会出现这种情况。因此,建议使用外部拉电阻器来在具有外部连接的焊球上保持有效的逻辑电平。

很多处理器 I/O 默认处于关闭状态,并且可能需要外部拉电阻器才能将任何所连接器件的输入保持在有效逻辑状态,直到软件初始化相应的 I/O。引脚属性 表的“复位 RX/TX/PULL 期间的焊球状态”和“复位 RX/TX/PULL 后的焊球状态”列中定义了可配置器件 IO 的状态。任何输入缓冲器(RX)关闭的 IO 都可以浮动,而不会损坏器件。但是,任何已打开输入缓冲器 (RX) 的 IO 不得浮动到 VILSS 和 VIHSS 之间的任何电位。输入缓冲器可以进入高电流状态,如果允许在这些电平之间浮动,则可能会损坏 IO 单元。