UCC21732QDWEVM-025

适用于 SiC/IGBT 的 UCC21732-Q1 汽车单通道隔离式栅极驱动器评估模块

UCC21732QDWEVM-025

立即订购

概述

UCC21732QDWEVM-025 是一个紧凑的单通道隔离式栅极驱动器板,可提供采用 150 x 62 x 17mm 和 106 x 62 x 30mm 封装的 SiC MOSFET 和 Si IGBT 电源模块所需的驱动电压、偏置电压、保护和诊断功能。此 TI EVM 以 5.7kVrms 增强型隔离驱动器 UCC21732 为基础,后者采用 SOIC-16DW 封装,具有 8.0mm 爬电距离和间隙。该 EVM 包含基于 SN6505B 的隔离式直流/直流变压器偏置电源。

特性
  • 10A 峰值分离输出驱动电流及可编程驱动电压
  • 5.7kVrms 增强型隔离式通道,可支持高达 1700V 的输入轨
  • CMTI > 100V/ns 的强大抗噪解决方案

  • Power modules not included

隔离式栅极驱动器
UCC21732 适用于 IGBT/SiC FET 且具有 2 级关断的 5.7kVrms ±10A 单通道隔离式栅极驱动器 UCC21732-Q1 适用于 IGBT/SiC FET 且具有 2 级关断功能的汽车类 5.7kVrms ±10A 单通道隔离式栅极驱动器 UCC21736-Q1 适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有主动短路的汽车类 5.7kVrms ±10A 单通道隔离式栅极驱动器 UCC21737-Q1 适用于 SiC/IGBT、具有主动短路保护功能的汽车类 10A 隔离式单通道栅极驱动器 UCC21739-Q1 适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有隔离式模拟检测的汽车类 3kVrms ±10A 单通道隔离式栅极驱动器

 

变压器驱动器
SN6505B 适用于隔离电源的低噪声、1A、420kHz 变压器驱动器

 

监控器和复位 IC
TPS3700 用于过压和欠压监测的高电压 (18V) 窗口电压检测器

 

线性和低压降 (LDO) 稳压器
TPS709 具有反向电流保护和使能功能的 150mA、30V、超低 IQ、低压降稳压器

立即订购并开发

评估板

UCC21732QDWEVM-025 — 适用于 SiC/IGBT 的 UCC21732-Q1 汽车单通道隔离式栅极驱动器评估模块

登录以订购
In stock / Out of stock
数量限制:
TI.com 上无现货
设计工具

UCC217xxEVM Design Files — SLURAZ2.ZIP (5113KB)

应遵守 TI 的评估模块标准条款与条件.

技术文档

star
= TI 精选文档
未找到结果。请清除搜索,并重试。
查看所有 3
类型 标题 下载最新的英文版本 日期
* 用户指南 UCC21732QDWEVM-025 (Rev. B) 2019年 9月 9日
数据表 UCC21732-Q1 10-A Source/Sink Reinforced Isolated Single Channel Gate Driver for SiC/IGBT with Active Protection, Isolated Analog Sensing and High-CMTI 数据表 (Rev. B) PDF | HTML 2019年 9月 3日
数据表 适用于 SiC/IGBT 且具有高级保护功能和高 CMTI 的 UCC21732-Q1 单通道隔离式栅极驱动器 数据表 PDF | HTML 2018年 10月 31日

支持与培训

可获得 TI E2E™ 论坛的工程师技术支持

查看所有论坛主题 查看英文版所有论坛主题

所有内容均由 TI 和社区网友按“原样”提供,并不构成 TI 规范。参阅使用条款

如果您对质量、包装或订购 TI 产品有疑问,请参阅 TI 支持

视频