NESY036B september   2021  – april 2023 BQ25125 , LM5123-Q1 , LMR43610 , LMR43610-Q1 , LMR43620 , LMR43620-Q1 , TPS22916 , TPS3840 , TPS62840 , TPS63900 , TPS7A02

 

  1.   摘要
  2.   Authors
  3.   3
  4.   影響 IQ 的因素
  5.   低 IQ 為何產生新挑戰
    1.     瞬態回應
    2.     漣波
    3.     雜訊
    4.     晶粒尺寸與解決方案面積
    5.     洩漏與低於閾值的操作
  6.   如何打破低 IQ 障礙
    1.     解決瞬態回應問題
    2.     解決切換雜訊問題
    3.     解決其他雜訊問題
    4.     解決晶粒尺寸與解決方案面積問題
    5.     解決洩漏與低於閾值的操作問題
  7.   電氣特性
    1.     18
    2.     避免低 IQ 設計中的潛在系統陷阱
    3.     實現低 IQ 但不犧牲靈活性
    4.     減少外部零組件數以降低汽車應用中的 IQ
    5.     智慧使用或在智慧使用支援低 IQ 的啟用功能，或啟用在系統層級支援低 IQ 的功能
  8.   結論
  9.   低 IQ的重要產品類別
超低功耗電子產品設計人員必須持續在高性能與長電池續航力間做出取捨。儘管電池容量已有改善，但基本挑戰仍然存在：如何在更長時間內實現更高性能？

摘要

本文件檢視減少靜態電流 (IQ) 的需求與相關挑戰和解決方案。

1
？
IQ 是無負載靜態電流，也是工作循環低功耗系統所需克服的最重要瓶頸。低 IQ 可延長電池使用壽命。
2
減少 IQ 會在暫態雜訊性能、晶粒封裝面積與輸出功耗範圍中造成相關取捨。
3
若要減少數十年來的 IQ 並且不犧牲性能或面積，必須對矽科技與電路技術進行重新檢視。